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利用FFT圖象檢測和分析砷化鎵材料中的缺陷

張福貴

張福貴. 利用FFT圖象檢測和分析砷化鎵材料中的缺陷[J]. 電子與信息學(xué)報, 1988, 10(4): 377-380.
引用本文: 張福貴. 利用FFT圖象檢測和分析砷化鎵材料中的缺陷[J]. 電子與信息學(xué)報, 1988, 10(4): 377-380.
Zhang Fugui. FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(4): 377-380.
Citation: Zhang Fugui. FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1988, 10(4): 377-380.

利用FFT圖象檢測和分析砷化鎵材料中的缺陷

FFT IMAGE APPLICATION TO DETECTION AND ANALYSIS OF THE DEFECTS IN GaAs MATERIALS

  • 摘要: 砷化鎵材料中缺陷的不均勻分布嚴(yán)重地限制了集成電路生產(chǎn)的重復(fù)性。本文首次提出一種利用傅里葉變換頻譜圖象檢測和分析沿110和010方向上位錯缺陷的統(tǒng)計分布的方法,稱為FTIT檢驗法。文中定義的相參系數(shù)和紋理復(fù)雜系數(shù)是定量地檢驗制造集成電路材料中缺陷的重要指標(biāo)。
  • J. P. Fillard.[J].Comptes Rendus de la Confrence, Karinzawl, France, July.1984,:-[2]V. Milutinovic, Computer 19, 10(1986), 235-240.[3]J. Bonnafe.[J].et al., DRIP Symposium, ed. by J .P. Fillard, Materials Sciences Monographs, n31, Elsevier.1985,:-[4]M. Kunt,Traitement Numerique des Signaux, Dunod, 1981, pp. 101-110.[5]Zhang Fugui, These de Doctoral, Universite des Sciences et Techniques du Langudoc Montpellier, France, 1986, pp. 98-110.[6]C. G. Lendaris, G. L.Stanley, Proc. IEEE, 2(1970), 50-58.[7]J. Logowski, et al., Semi-insulating III-V Materials, Conf. Kah. nee ta, 1984, U. S. A., pp. 200-205.[8]M. P. Scott.[J].DRIP Materials Science Monographs, n31 Elsevier, ed. by J. P. Fillard.1985,:-M. Bonnet.[J].et al., DRIP Materials Science Monographs, n31 Elsevier, ed by J. P. Fillard.1985,:-
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出版歷程
  • 收稿日期:  1986-12-19
  • 修回日期:  1988-02-22
  • 刊出日期:  1988-07-19

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