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一種新穎的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪聲放大器

戴永勝

戴永勝. 一種新穎的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪聲放大器[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1992, 14(6): 629-632.
引用本文: 戴永勝. 一種新穎的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪聲放大器[J]. 電子與信息學(xué)報(bào), 1992, 14(6): 629-632.
Dai Yongsheng. A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 629-632.
Citation: Dai Yongsheng. A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 629-632.

一種新穎的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪聲放大器

A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC

  • 摘要: 本文介紹了一種具有高電子遷移率晶體管(HEMT)和砷化鎵單片微波集成電路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪聲放大器。在11.7~12.2GHz頻率范圍內(nèi),該放大器的噪聲系數(shù)小于1.9dB,相關(guān)增益大于27dB,輸入和輸出駐波比小于1.4。放大器第一級(jí)采用了HEMT和微波串聯(lián)電感反饋技術(shù),放大器未級(jí)采用了Ku波段GsAs MMIC。設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是采用微波串聯(lián)電感反饋方法同時(shí)獲得最佳噪聲和最小輸入駐波匹配。放大器的輸入端和輸出端均為BJ-120波導(dǎo)。
  • 戴永勝等,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,7(1987)2,150-156.[2]H. Rothe, W. Dahlke. Proc. IRE, 44(1956) 6, 811-818.[3]S. Lversen Proc. IEEE. 64(1975) 3. 540-542.[4]Sander Weinmb, IEEE Trans. on MTT, MTT-30 (1982)6. 849-853.[5]戴永勝,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,7(1987)1,84-85.[6]戴永勝,固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,10(1990)4,406-407.
  • 加載中
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出版歷程
  • 收稿日期:  1991-05-09
  • 修回日期:  1992-04-16
  • 刊出日期:  1992-11-19

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