MCP中單通道電子倍增參數(shù)的Monte Carlo模擬計(jì)算
MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP
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摘要: 本文用Monte Carlo方法對(duì)電子在MCP單通道中傳輸,碰撞和次級(jí)發(fā)射的整個(gè)過程進(jìn)行了模擬。給出了MCP中次級(jí)電子能量分布表達(dá)式。計(jì)算了MCP中單通道電子倍增的有關(guān)參數(shù),并對(duì)比實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)討論了模型及其結(jié)果的合理性。
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關(guān)鍵詞:
- 微通道板; Monte Carlo方法; 次級(jí)電子發(fā)射; 電子倍增
Abstract: Monte Carlo method is used to simulate the whole courses of electronictransportation, collision and secondary emission in a single channel of MCP. The energy distribution formula of secondary electron of MCP is derived. Each parameter of a single channel in MCP is calculated and discussed. -
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