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均勻磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流過渡區(qū)的設計

魯佩菊

魯佩菊. 均勻磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流過渡區(qū)的設計[J]. 電子與信息學報, 1998, 20(2): 267-272.
引用本文: 魯佩菊. 均勻磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流過渡區(qū)的設計[J]. 電子與信息學報, 1998, 20(2): 267-272.
Lu Peiju. A DESIGN OF THE TRANSITION REGION ABOUT PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM AND PERIODIC MAGNETIC FOCUSING FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(2): 267-272.
Citation: Lu Peiju. A DESIGN OF THE TRANSITION REGION ABOUT PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM AND PERIODIC MAGNETIC FOCUSING FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1998, 20(2): 267-272.

均勻磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流過渡區(qū)的設計

A DESIGN OF THE TRANSITION REGION ABOUT PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM AND PERIODIC MAGNETIC FOCUSING FIELD

  • 摘要: 本文敘述均勻磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流過渡區(qū)設計的一種方法,指出對于陽極電位與慢波線電位不同的電子光學系統(tǒng),以及這兩個電位雖然相同,但導流系數(shù)大,陽極孔效應嚴重的電子光學系統(tǒng),它們的過渡區(qū)的設計,必須采用非等位空間中的傍軸電子軌跡方程。并對用部分屏蔽流周期磁聚焦的電子光學系統(tǒng),電子槍區(qū)中的電子軌跡與磁力線重合的問題提出一些看法。
  • 電子管手冊編委會.微波管電子光學系統(tǒng)設計手冊.國防出版社,1981,第五章.[2]袁光泉.均勻磁場聚焦部分屏蔽流電子注的一種設計方法.電子科學學刊,1983, 5(1): 32-37.[3]劉鐵山,唐儀鳳,張月蘭,魯佩菊.C波段、脈沖功率500KW, KC-56速調(diào)管放大器.中國電子學會真空電子學會分會第十屆年會論文集,上冊,1995年11月,93.[4]電子所內(nèi)部資料.科學技術(shù)成果鑒定證書,編號:871001, 8毫米波段,CW100瓦輸出的分布作用放大器 (EIA),1987年10月.[5]魯佩菊.八毫米瓦級連續(xù)波行波管電子光學系統(tǒng)的設計.中國電子學會真空電子學會分會第十屆年會論文集,上冊,1995年11月,96.[6]И. B.阿良莫夫斯基著,黃高年譯.電子注與電子槍.北京:電子管技術(shù)編輯組出版,1974年,第十一章.
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出版歷程
  • 收稿日期:  1997-01-15
  • 修回日期:  1997-05-08
  • 刊出日期:  1998-03-19

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