摘要: 本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)結(jié)構(gòu)M-Z(Mach-Zehnder)干涉型調(diào)制器的新方法。該方法在大截面單模SOI脊形波導(dǎo)理論的基礎(chǔ)上,根據(jù)等離子體色散效應(yīng)分析了這種調(diào)制器的電光調(diào)制機(jī)理;根據(jù)有限元法分析了p+n結(jié)大注入時該調(diào)制器的電學(xué)性質(zhì),從而為實(shí)際研制成這種干涉型調(diào)制器打下了理論基礎(chǔ)。