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1992年 第14卷 第3期
1992, 14(3): 225-232.
摘要:
本文利用矩量法與并矢格林函數(shù)相結(jié)合,研究了背腔式窄縫天線在有耗介質(zhì)中的特性。對于矩陣單元的雙重級數(shù),采用泊松求和公式改善了級數(shù)的收斂性;對于矩陣單元的二重積分,分別采用積分中值定理及橢圓積分予以簡化。本文的數(shù)值結(jié)果分別給出了有耗介質(zhì)及天線結(jié)構(gòu)參數(shù)對輸入阻抗的影響,為天線設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
本文利用矩量法與并矢格林函數(shù)相結(jié)合,研究了背腔式窄縫天線在有耗介質(zhì)中的特性。對于矩陣單元的雙重級數(shù),采用泊松求和公式改善了級數(shù)的收斂性;對于矩陣單元的二重積分,分別采用積分中值定理及橢圓積分予以簡化。本文的數(shù)值結(jié)果分別給出了有耗介質(zhì)及天線結(jié)構(gòu)參數(shù)對輸入阻抗的影響,為天線設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
1992, 14(3): 233-239.
摘要:
實(shí)現(xiàn)極低副瓣陣列天線需要作精確的互耦補(bǔ)償.如果陣列的互阻抗(或互耦系數(shù))矩陣確知,理論上可以精確補(bǔ)償互耦的影響,從而實(shí)現(xiàn)極低副瓣接收。但無論是計(jì)算還是測量得到的互阻抗矩陣都只有一定的精度,這個精度最終決定了補(bǔ)償效果。本文研究了極低副瓣陣列天線中互耦補(bǔ)償對互阻抗精度的要求;推導(dǎo)出了互阻抗誤差與通道幅相誤差的關(guān)系;進(jìn)而得到了互阻抗誤差與副瓣電平的關(guān)系。
實(shí)現(xiàn)極低副瓣陣列天線需要作精確的互耦補(bǔ)償.如果陣列的互阻抗(或互耦系數(shù))矩陣確知,理論上可以精確補(bǔ)償互耦的影響,從而實(shí)現(xiàn)極低副瓣接收。但無論是計(jì)算還是測量得到的互阻抗矩陣都只有一定的精度,這個精度最終決定了補(bǔ)償效果。本文研究了極低副瓣陣列天線中互耦補(bǔ)償對互阻抗精度的要求;推導(dǎo)出了互阻抗誤差與通道幅相誤差的關(guān)系;進(jìn)而得到了互阻抗誤差與副瓣電平的關(guān)系。
1992, 14(3): 240-246.
摘要:
本文提出一種恢復(fù)非均勻損耗介質(zhì)體復(fù)介電常數(shù)的新方法。它基于這樣一個原則,即當(dāng)介質(zhì)體被一組非相關(guān)入射波照射。可以從其散射場中獲得充分的有關(guān)介質(zhì)體的信息。本文給出了有關(guān)的公式和數(shù)值模擬結(jié)果。準(zhǔn)確的恢復(fù)數(shù)據(jù)說明這種方法在電磁逆散射和微波成象的研究中很有潛力。
本文提出一種恢復(fù)非均勻損耗介質(zhì)體復(fù)介電常數(shù)的新方法。它基于這樣一個原則,即當(dāng)介質(zhì)體被一組非相關(guān)入射波照射。可以從其散射場中獲得充分的有關(guān)介質(zhì)體的信息。本文給出了有關(guān)的公式和數(shù)值模擬結(jié)果。準(zhǔn)確的恢復(fù)數(shù)據(jù)說明這種方法在電磁逆散射和微波成象的研究中很有潛力。
1992, 14(3): 247-253.
摘要:
本文提出一種多體散射系統(tǒng)的普遍化的分析方法,原則上能處理任意形式的多體散射系統(tǒng)。利用系統(tǒng)散射方程把多體問題歸結(jié)為一組單體問題,然后用有限元法對各個單體問題逐個進(jìn)行分析。本文著重討論二維多體系統(tǒng),并給出由介質(zhì)涂敷導(dǎo)體往構(gòu)成的三體散射系統(tǒng)的計(jì)算實(shí)例。
本文提出一種多體散射系統(tǒng)的普遍化的分析方法,原則上能處理任意形式的多體散射系統(tǒng)。利用系統(tǒng)散射方程把多體問題歸結(jié)為一組單體問題,然后用有限元法對各個單體問題逐個進(jìn)行分析。本文著重討論二維多體系統(tǒng),并給出由介質(zhì)涂敷導(dǎo)體往構(gòu)成的三體散射系統(tǒng)的計(jì)算實(shí)例。
1992, 14(3): 254-261.
摘要:
將復(fù)射線理論推廣到媒質(zhì)有耗的情形,可以建立起損耗媒質(zhì)中的復(fù)射線方法并用來分析吸波涂層目標(biāo)的散射特性。該方法具有計(jì)算簡便、物理概念明確、適用范圍較廣等特點(diǎn)。本文以涂層金屬平板為例所進(jìn)行的目標(biāo)雷達(dá)截面分析結(jié)果表明,理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果能夠很好地吻合。
將復(fù)射線理論推廣到媒質(zhì)有耗的情形,可以建立起損耗媒質(zhì)中的復(fù)射線方法并用來分析吸波涂層目標(biāo)的散射特性。該方法具有計(jì)算簡便、物理概念明確、適用范圍較廣等特點(diǎn)。本文以涂層金屬平板為例所進(jìn)行的目標(biāo)雷達(dá)截面分析結(jié)果表明,理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果能夠很好地吻合。
1992, 14(3): 262-270.
摘要:
本文提出一種新的矩和矩的不變性。它不僅適合于封閉輪廓線的識別和匹配,而且可以用來進(jìn)行任意曲線段以任意方式組合所構(gòu)成的物體的識別和匹配,從而拓廣了前人平面矩、付里葉描述子等方法的應(yīng)用范圍。同時運(yùn)用本文方法更正了前人方法的錯誤。最后,為了有效地使用曲線矩,本文提出了曲線矩計(jì)算的快速算法。新算法幾乎不需要乘法,因此實(shí)現(xiàn)簡單,速度快。
本文提出一種新的矩和矩的不變性。它不僅適合于封閉輪廓線的識別和匹配,而且可以用來進(jìn)行任意曲線段以任意方式組合所構(gòu)成的物體的識別和匹配,從而拓廣了前人平面矩、付里葉描述子等方法的應(yīng)用范圍。同時運(yùn)用本文方法更正了前人方法的錯誤。最后,為了有效地使用曲線矩,本文提出了曲線矩計(jì)算的快速算法。新算法幾乎不需要乘法,因此實(shí)現(xiàn)簡單,速度快。
1992, 14(3): 271-275.
摘要:
本文提出了一種新的陣處理方法,此法無需進(jìn)行特征值分解(EVD)和多維最優(yōu)化處理。因此它計(jì)算簡單、易于實(shí)時處理,而且適合于相干源存在的情況。文中將新方法與PROJ(1991)和Yeh(1987)兩種方法作了比較;還給出了模擬結(jié)果。
本文提出了一種新的陣處理方法,此法無需進(jìn)行特征值分解(EVD)和多維最優(yōu)化處理。因此它計(jì)算簡單、易于實(shí)時處理,而且適合于相干源存在的情況。文中將新方法與PROJ(1991)和Yeh(1987)兩種方法作了比較;還給出了模擬結(jié)果。
1992, 14(3): 276-280.
摘要:
本文提出一種樹型電力網(wǎng)單一故障分支的識別方法零泛器替代法。這種方法的特點(diǎn)是診斷所需要的端口變量易于測量,對于短路和斷線故障都適用,測后計(jì)算量較少。適用于多分支的樹型電力網(wǎng)單一故障分支的識別。經(jīng)計(jì)算機(jī)模擬,證明了所提識別方法是有效的。
本文提出一種樹型電力網(wǎng)單一故障分支的識別方法零泛器替代法。這種方法的特點(diǎn)是診斷所需要的端口變量易于測量,對于短路和斷線故障都適用,測后計(jì)算量較少。適用于多分支的樹型電力網(wǎng)單一故障分支的識別。經(jīng)計(jì)算機(jī)模擬,證明了所提識別方法是有效的。
1992, 14(3): 281-285.
摘要:
求給定偶圖的所有完備匹配問題在LSI/VLSI的布圖設(shè)計(jì)方面有著重要的應(yīng)用。本文提出了一種求解這一問題的算法。(1)提出了許配樹的概念并討論了其性質(zhì);(2)證明了任意一棵許配樹T(xi)對應(yīng)于給定偶圖的所有完備匹配的定理;(3)給出了求給定偶圖的所有完備匹配的算法。本算法已在BST 386 CAD工作站上用C語言實(shí)現(xiàn)。運(yùn)行結(jié)果證明了算法的正確性。算法已作為正在研充的VLSI積木塊布圖設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的一個模塊。
求給定偶圖的所有完備匹配問題在LSI/VLSI的布圖設(shè)計(jì)方面有著重要的應(yīng)用。本文提出了一種求解這一問題的算法。(1)提出了許配樹的概念并討論了其性質(zhì);(2)證明了任意一棵許配樹T(xi)對應(yīng)于給定偶圖的所有完備匹配的定理;(3)給出了求給定偶圖的所有完備匹配的算法。本算法已在BST 386 CAD工作站上用C語言實(shí)現(xiàn)。運(yùn)行結(jié)果證明了算法的正確性。算法已作為正在研充的VLSI積木塊布圖設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的一個模塊。
1992, 14(3): 286-290.
摘要:
本文在Eisenstein環(huán)Z[]上得到了兩類新的密碼體制。它們分別是推廣的RSA密碼體制和自確認(rèn)密碼體制。安全性分別基于環(huán)Z[]上整數(shù)的分解和Z[]環(huán)上離散對數(shù)的計(jì)算。
本文在Eisenstein環(huán)Z[]上得到了兩類新的密碼體制。它們分別是推廣的RSA密碼體制和自確認(rèn)密碼體制。安全性分別基于環(huán)Z[]上整數(shù)的分解和Z[]環(huán)上離散對數(shù)的計(jì)算。
1992, 14(3): 291-294.
摘要:
本文建議用耗盡的線性掃描電壓掃描MOS電容樣品。掃描開始前MOS電容被置于強(qiáng)反型態(tài),以消除表面產(chǎn)生的影響。根據(jù)掃描所得的電容-時間瞬態(tài)曲線,可確定樣品中少于產(chǎn)生壽命。實(shí)驗(yàn)表明,對于同一個MOS電容樣品,不同電壓掃描率下得到的結(jié)果有很好的一致性,且與飽和電容法的結(jié)果相符合。
本文建議用耗盡的線性掃描電壓掃描MOS電容樣品。掃描開始前MOS電容被置于強(qiáng)反型態(tài),以消除表面產(chǎn)生的影響。根據(jù)掃描所得的電容-時間瞬態(tài)曲線,可確定樣品中少于產(chǎn)生壽命。實(shí)驗(yàn)表明,對于同一個MOS電容樣品,不同電壓掃描率下得到的結(jié)果有很好的一致性,且與飽和電容法的結(jié)果相符合。
1992, 14(3): 295-300.
摘要:
本文報(bào)道了單晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端陰極,第一、二陽極組成的三極場發(fā)射電子槍(FEG)的工作特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種FEG在槍室真空為510-7Pa,加速電壓在30kV的條件下,其虛源半徑為1.6nm;亮度為3.8109A/cm2.sterad;場發(fā)射電流為1A時,束流穩(wěn)定性為5%(10min內(nèi))。說明它是一種較理想的點(diǎn)狀電子源,在實(shí)際應(yīng)用中具有廣泛發(fā)展前景。
本文報(bào)道了單晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端陰極,第一、二陽極組成的三極場發(fā)射電子槍(FEG)的工作特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種FEG在槍室真空為510-7Pa,加速電壓在30kV的條件下,其虛源半徑為1.6nm;亮度為3.8109A/cm2.sterad;場發(fā)射電流為1A時,束流穩(wěn)定性為5%(10min內(nèi))。說明它是一種較理想的點(diǎn)狀電子源,在實(shí)際應(yīng)用中具有廣泛發(fā)展前景。
1992, 14(3): 301-305.
摘要:
本文在L.s.Lee(1984,1986)異少模-數(shù)-模語音加密方案的基礎(chǔ)上提出了自適應(yīng)偽頻插入置亂方法。這種方法有利于降低密話節(jié)奏感,提高異步加密方案的保密性,且可保證良好的恢復(fù)話音質(zhì)量。
本文在L.s.Lee(1984,1986)異少模-數(shù)-模語音加密方案的基礎(chǔ)上提出了自適應(yīng)偽頻插入置亂方法。這種方法有利于降低密話節(jié)奏感,提高異步加密方案的保密性,且可保證良好的恢復(fù)話音質(zhì)量。
1992, 14(3): 306-310.
摘要:
本文應(yīng)用Volterra級數(shù)和諧波平衡技術(shù)分析了一個互感耦合非線性振蕩電路在外電動勢作用下的頻率占據(jù)現(xiàn)象。導(dǎo)出了占據(jù)帶寬表達(dá)式。這種方法在建立好系統(tǒng)模型后只需進(jìn)行代數(shù)運(yùn)算,從而避開了求解非線性微分方程的復(fù)雜過程。
本文應(yīng)用Volterra級數(shù)和諧波平衡技術(shù)分析了一個互感耦合非線性振蕩電路在外電動勢作用下的頻率占據(jù)現(xiàn)象。導(dǎo)出了占據(jù)帶寬表達(dá)式。這種方法在建立好系統(tǒng)模型后只需進(jìn)行代數(shù)運(yùn)算,從而避開了求解非線性微分方程的復(fù)雜過程。
1992, 14(3): 311-314.
摘要:
本文研究了垂直電偶極子在介質(zhì)-導(dǎo)體平面結(jié)構(gòu)中的電波傳播問題。利用索末菲積分表達(dá)式,通過假定場在各個區(qū)域中的形式以及使各區(qū)域中的場滿足邊界條件,導(dǎo)出了電磁場在介質(zhì)-導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的表達(dá)式。對場的表達(dá)式所做的漸近計(jì)算表明了介質(zhì)下面導(dǎo)體的存在對電波傳播的影響。
本文研究了垂直電偶極子在介質(zhì)-導(dǎo)體平面結(jié)構(gòu)中的電波傳播問題。利用索末菲積分表達(dá)式,通過假定場在各個區(qū)域中的形式以及使各區(qū)域中的場滿足邊界條件,導(dǎo)出了電磁場在介質(zhì)-導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的表達(dá)式。對場的表達(dá)式所做的漸近計(jì)算表明了介質(zhì)下面導(dǎo)體的存在對電波傳播的影響。
1992, 14(3): 315-319.
摘要:
本文是對作者前一工作(1990)的補(bǔ)充和發(fā)展,文中用改進(jìn)的微擾法分析了任意曲線形狀介質(zhì)柵漏波天線的輻射特性。所得數(shù)據(jù)和用場匹配方法得到的精確值進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,本文方法在保持相同精度的情況下,極大地簡化了求解過程;并據(jù)此系統(tǒng)地研究了周期槽形狀對介質(zhì)柵漏波天線輻射特性的影響。文中給出的曲線可供設(shè)計(jì)介質(zhì)柵天線時參考。
本文是對作者前一工作(1990)的補(bǔ)充和發(fā)展,文中用改進(jìn)的微擾法分析了任意曲線形狀介質(zhì)柵漏波天線的輻射特性。所得數(shù)據(jù)和用場匹配方法得到的精確值進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,本文方法在保持相同精度的情況下,極大地簡化了求解過程;并據(jù)此系統(tǒng)地研究了周期槽形狀對介質(zhì)柵漏波天線輻射特性的影響。文中給出的曲線可供設(shè)計(jì)介質(zhì)柵天線時參考。
1992, 14(3): 320-324.
摘要:
本文給出了逆合成孔徑雷達(dá)系統(tǒng)的幅相特性的補(bǔ)償方法,指出補(bǔ)償可分為混頻前的系統(tǒng)補(bǔ)償和混頻后的系統(tǒng)補(bǔ)償。通過微波暗室實(shí)驗(yàn)證明,所給補(bǔ)償方法是正確的。
本文給出了逆合成孔徑雷達(dá)系統(tǒng)的幅相特性的補(bǔ)償方法,指出補(bǔ)償可分為混頻前的系統(tǒng)補(bǔ)償和混頻后的系統(tǒng)補(bǔ)償。通過微波暗室實(shí)驗(yàn)證明,所給補(bǔ)償方法是正確的。
1992, 14(3): 323-328.
摘要:
本文提出了低溫區(qū)高精度的禁帶寬度的表達(dá)式,獲得了低溫區(qū)本征載流子濃度的簡明公式?？紤]到禁帶變窄效應(yīng)的作用,本文導(dǎo)出了重?fù)诫s硅中本征載流子濃度與溫度和雜質(zhì)濃度的關(guān)系式。與常溫情況相比,低溫下本征載流子濃度將隨雜質(zhì)濃度的上升更為劇烈地上升。
本文提出了低溫區(qū)高精度的禁帶寬度的表達(dá)式,獲得了低溫區(qū)本征載流子濃度的簡明公式?？紤]到禁帶變窄效應(yīng)的作用,本文導(dǎo)出了重?fù)诫s硅中本征載流子濃度與溫度和雜質(zhì)濃度的關(guān)系式。與常溫情況相比,低溫下本征載流子濃度將隨雜質(zhì)濃度的上升更為劇烈地上升。
1992, 14(3): 329-331.
摘要:
本文計(jì)算了天然放射性同位素產(chǎn)生的MCP噪聲(以A/cm2表示)。計(jì)算結(jié)果給出:Rb87產(chǎn)生的噪聲最大,K40次之;最小為La138和V50。這表明:某些應(yīng)用領(lǐng)域要求低噪聲或超低噪聲的MCP時,則該MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb87或K40。
本文計(jì)算了天然放射性同位素產(chǎn)生的MCP噪聲(以A/cm2表示)。計(jì)算結(jié)果給出:Rb87產(chǎn)生的噪聲最大,K40次之;最小為La138和V50。這表明:某些應(yīng)用領(lǐng)域要求低噪聲或超低噪聲的MCP時,則該MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb87或K40。
1992, 14(3): 332-336.
摘要:
用XPS,APES和ARPES分析技術(shù)綜合探測了鋇鎢陰極(包括鋁酸鹽、鎢酸鹽和鈧酸鹽陰極)的表面化學(xué),獲得了一些新的結(jié)果。實(shí)驗(yàn)表明:陰極表面光電子譜峰的形貌特征與陰極的激活狀態(tài)呈對應(yīng)的關(guān)系;激活后鋇鎢陰極表面的鎢是單一金屬態(tài),鋇呈現(xiàn)氧化態(tài)。
用XPS,APES和ARPES分析技術(shù)綜合探測了鋇鎢陰極(包括鋁酸鹽、鎢酸鹽和鈧酸鹽陰極)的表面化學(xué),獲得了一些新的結(jié)果。實(shí)驗(yàn)表明:陰極表面光電子譜峰的形貌特征與陰極的激活狀態(tài)呈對應(yīng)的關(guān)系;激活后鋇鎢陰極表面的鎢是單一金屬態(tài),鋇呈現(xiàn)氧化態(tài)。
