1991, 13(6): 611-617.
摘要:
本文報道了半導(dǎo)體InP上Al膜陽極氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和橢圓儀等測試方法研究了氧化膜的穩(wěn)定性、電學(xué)特性、組分的縱向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究結(jié)果表明,陽極氧化Al2O3的介電常數(shù)為11~12,Al2O3/InP界面存在一個能量上連續(xù)分布的電子陷阱,DLTS峰值對應(yīng)的能級位置約在Ec-Ec=0.5eV,其俘獲截面約為10-15cm2,Al2O3/InP的界面態(tài)密度為1011cm-2eV-1。陽極氧化Al2O3的穩(wěn)定性要比InP自身氧化物好得多,更適于用作器件的鈍化保護和擴散掩蔽膜。