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1991年 第13卷 第2期
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1991, 13(2): 113-118.
摘要:
本文提出一種具有三軌輸出的三值維持阻塞JKL觸發(fā)器的設(shè)計(jì),經(jīng)計(jì)算機(jī)邏輯模擬和通過測(cè)試由TTL門電路組成的實(shí)驗(yàn)電路表明,該觸發(fā)器能實(shí)現(xiàn)預(yù)定的邏輯功能。
本文提出一種具有三軌輸出的三值維持阻塞JKL觸發(fā)器的設(shè)計(jì),經(jīng)計(jì)算機(jī)邏輯模擬和通過測(cè)試由TTL門電路組成的實(shí)驗(yàn)電路表明,該觸發(fā)器能實(shí)現(xiàn)預(yù)定的邏輯功能。
1991, 13(2): 119-124.
摘要:
本文從嚴(yán)格的場(chǎng)匹配方法出發(fā),對(duì)電磁波在矩形截面光柵上的反射和衍射進(jìn)行了理論研究。對(duì)這種光柵作為頻率掃描天線的計(jì)算顯示出,不論滿足或不滿足布喇格條件,在較寬的角度范圍內(nèi)入射,經(jīng)調(diào)節(jié)槽寬和槽深都可獲得理想的耀射。對(duì)于不滿足布喇格條件,在兩個(gè)互易角中較大的一個(gè)入射時(shí),-1次衍射波有較高的效率和較寬的頻帶。而對(duì)這種光柵作為奧羅管中反射鏡的特性的理論計(jì)算指出,它具有極寬的頻帶。同時(shí)本文還給出了不同頻率平面波垂直入射時(shí)的等效光柵位置,以及電磁波在光柵表面反射時(shí)所引起的相位改變。
本文從嚴(yán)格的場(chǎng)匹配方法出發(fā),對(duì)電磁波在矩形截面光柵上的反射和衍射進(jìn)行了理論研究。對(duì)這種光柵作為頻率掃描天線的計(jì)算顯示出,不論滿足或不滿足布喇格條件,在較寬的角度范圍內(nèi)入射,經(jīng)調(diào)節(jié)槽寬和槽深都可獲得理想的耀射。對(duì)于不滿足布喇格條件,在兩個(gè)互易角中較大的一個(gè)入射時(shí),-1次衍射波有較高的效率和較寬的頻帶。而對(duì)這種光柵作為奧羅管中反射鏡的特性的理論計(jì)算指出,它具有極寬的頻帶。同時(shí)本文還給出了不同頻率平面波垂直入射時(shí)的等效光柵位置,以及電磁波在光柵表面反射時(shí)所引起的相位改變。
1991, 13(2): 125-130.
摘要:
加權(quán)陣列天線的設(shè)計(jì)目前主要采用統(tǒng)計(jì)法。本文通過總結(jié)統(tǒng)計(jì)法的優(yōu)缺點(diǎn),提出了一個(gè)新方法馬爾柯夫鏈法。新方法采用將陣列分成若干個(gè)區(qū)的方式,反映了在陣列的不同部分,單元相關(guān)性不同這一特性,改變了以前設(shè)計(jì)加權(quán)天線對(duì)籠統(tǒng)地考慮整個(gè)陣列上的單元排列。應(yīng)用隨機(jī)過程的馬爾柯夫鏈特性,得到了各個(gè)隨機(jī)量處于不同狀態(tài)的概率。由于馬爾柯夫鏈法反映了實(shí)際低副瓣天線的口徑分布,因而利用此種方法更容易得到低副瓣的加權(quán)陣列天線。
加權(quán)陣列天線的設(shè)計(jì)目前主要采用統(tǒng)計(jì)法。本文通過總結(jié)統(tǒng)計(jì)法的優(yōu)缺點(diǎn),提出了一個(gè)新方法馬爾柯夫鏈法。新方法采用將陣列分成若干個(gè)區(qū)的方式,反映了在陣列的不同部分,單元相關(guān)性不同這一特性,改變了以前設(shè)計(jì)加權(quán)天線對(duì)籠統(tǒng)地考慮整個(gè)陣列上的單元排列。應(yīng)用隨機(jī)過程的馬爾柯夫鏈特性,得到了各個(gè)隨機(jī)量處于不同狀態(tài)的概率。由于馬爾柯夫鏈法反映了實(shí)際低副瓣天線的口徑分布,因而利用此種方法更容易得到低副瓣的加權(quán)陣列天線。
1991, 13(2): 131-137.
摘要:
本文提出了喇叭饋源混合相位中心的一種定義,給出了圓錐喇叭E面和H面混合相位中心的計(jì)算公式和相應(yīng)的優(yōu)化模型,也給出了求解該模型的快速優(yōu)化方法,并用該方法對(duì)波紋喇叭混合相位中心進(jìn)行了討論和計(jì)算,還給出了相位中心隨觀察球面和工作頻率的變化規(guī)律。
本文提出了喇叭饋源混合相位中心的一種定義,給出了圓錐喇叭E面和H面混合相位中心的計(jì)算公式和相應(yīng)的優(yōu)化模型,也給出了求解該模型的快速優(yōu)化方法,并用該方法對(duì)波紋喇叭混合相位中心進(jìn)行了討論和計(jì)算,還給出了相位中心隨觀察球面和工作頻率的變化規(guī)律。
1991, 13(2): 138-144.
摘要:
本文利用矢量波函數(shù)展開法求解了任意激勵(lì)原埋入體的電磁散射問題。通過導(dǎo)出圓柱和圓球矢量波函數(shù)的轉(zhuǎn)換關(guān)系,使場(chǎng)量滿足分界平面和數(shù)學(xué)球面邊界條件,從而方便地利用矢量波函數(shù)展開求解了這一復(fù)雜邊值問題。作為示例,本文計(jì)算了在平面波和偶極子激勵(lì)下,埋入導(dǎo)體球和介質(zhì)球的散射場(chǎng)。
本文利用矢量波函數(shù)展開法求解了任意激勵(lì)原埋入體的電磁散射問題。通過導(dǎo)出圓柱和圓球矢量波函數(shù)的轉(zhuǎn)換關(guān)系,使場(chǎng)量滿足分界平面和數(shù)學(xué)球面邊界條件,從而方便地利用矢量波函數(shù)展開求解了這一復(fù)雜邊值問題。作為示例,本文計(jì)算了在平面波和偶極子激勵(lì)下,埋入導(dǎo)體球和介質(zhì)球的散射場(chǎng)。
1991, 13(2): 145-150.
摘要:
本文采用電子計(jì)算機(jī)數(shù)值分析方法對(duì)靜電離心系統(tǒng)中電子的非圓軌道運(yùn)動(dòng)的規(guī)律進(jìn)行了研究,通過大量的數(shù)值計(jì)算、分析和研究發(fā)現(xiàn):電子做非圓軌道運(yùn)動(dòng)時(shí),其運(yùn)動(dòng)存在著角向和徑向周期性,且這種周期性只與電子的橫向注入速度、注入位置及系統(tǒng)中所加的靜電電壓有關(guān),而幾乎與其橫向注入角度無(wú)關(guān);不同參量下的電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期與角向周期之比均趨近于同一常數(shù);當(dāng)電子注的橫向注入速度較小(0.35c)時(shí),電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期與系統(tǒng)中所加的靜電電壓的平方根成反比;不同參量下的電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期均近似等于相應(yīng)系統(tǒng)中的特征振蕩周期。
本文采用電子計(jì)算機(jī)數(shù)值分析方法對(duì)靜電離心系統(tǒng)中電子的非圓軌道運(yùn)動(dòng)的規(guī)律進(jìn)行了研究,通過大量的數(shù)值計(jì)算、分析和研究發(fā)現(xiàn):電子做非圓軌道運(yùn)動(dòng)時(shí),其運(yùn)動(dòng)存在著角向和徑向周期性,且這種周期性只與電子的橫向注入速度、注入位置及系統(tǒng)中所加的靜電電壓有關(guān),而幾乎與其橫向注入角度無(wú)關(guān);不同參量下的電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期與角向周期之比均趨近于同一常數(shù);當(dāng)電子注的橫向注入速度較小(0.35c)時(shí),電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期與系統(tǒng)中所加的靜電電壓的平方根成反比;不同參量下的電子運(yùn)動(dòng)的徑向周期均近似等于相應(yīng)系統(tǒng)中的特征振蕩周期。
1991, 13(2): 151-158.
摘要:
本文利用矩量法對(duì)矩形波導(dǎo)中任意高度的細(xì)柱體進(jìn)行了研究。從柱體表面的電場(chǎng)積分方程出發(fā),選用脈沖基函數(shù)與點(diǎn)匹配的方法求解。對(duì)其中收斂較慢的一些無(wú)窮級(jí)數(shù),采用了若干數(shù)學(xué)處理,大大加快了收斂速度。對(duì)柱體上的電流分布進(jìn)行了較詳細(xì)的討論,得出了一個(gè)新的較為精確的解析表達(dá)式,求得的等效阻抗與有關(guān)文獻(xiàn)中的實(shí)驗(yàn)值相當(dāng)吻合。
本文利用矩量法對(duì)矩形波導(dǎo)中任意高度的細(xì)柱體進(jìn)行了研究。從柱體表面的電場(chǎng)積分方程出發(fā),選用脈沖基函數(shù)與點(diǎn)匹配的方法求解。對(duì)其中收斂較慢的一些無(wú)窮級(jí)數(shù),采用了若干數(shù)學(xué)處理,大大加快了收斂速度。對(duì)柱體上的電流分布進(jìn)行了較詳細(xì)的討論,得出了一個(gè)新的較為精確的解析表達(dá)式,求得的等效阻抗與有關(guān)文獻(xiàn)中的實(shí)驗(yàn)值相當(dāng)吻合。
1991, 13(2): 159-168.
摘要:
本文從求在具有對(duì)稱張量ik的各向異性磁介質(zhì)中磁場(chǎng)基本方程組的解而得各向異性的磁矢勢(shì)A的積分公式,并由此導(dǎo)出了標(biāo)量形式和張量形式的自感系數(shù)和互感系數(shù)的特性公式以及這兩種形式系數(shù)之間的變換關(guān)系。文中最后以實(shí)例對(duì)本文導(dǎo)出的新公式進(jìn)行了驗(yàn)證。
本文從求在具有對(duì)稱張量ik的各向異性磁介質(zhì)中磁場(chǎng)基本方程組的解而得各向異性的磁矢勢(shì)A的積分公式,并由此導(dǎo)出了標(biāo)量形式和張量形式的自感系數(shù)和互感系數(shù)的特性公式以及這兩種形式系數(shù)之間的變換關(guān)系。文中最后以實(shí)例對(duì)本文導(dǎo)出的新公式進(jìn)行了驗(yàn)證。
1991, 13(2): 169-176.
摘要:
用動(dòng)態(tài)系統(tǒng)測(cè)量了-Si∶H靶電壓對(duì)光譜響應(yīng)的影響,發(fā)現(xiàn)對(duì)短波響應(yīng)影響較大。推導(dǎo)了靶光電流is和飽和電壓Vs的計(jì)算公式,發(fā)現(xiàn)Vs[(p,p)-1,2]。從測(cè)量的Vs值,計(jì)算了pp值。發(fā)現(xiàn)它隨入照光波長(zhǎng)的縮短而減小。估算了對(duì)單色光和對(duì)白光的最佳靶厚。
用動(dòng)態(tài)系統(tǒng)測(cè)量了-Si∶H靶電壓對(duì)光譜響應(yīng)的影響,發(fā)現(xiàn)對(duì)短波響應(yīng)影響較大。推導(dǎo)了靶光電流is和飽和電壓Vs的計(jì)算公式,發(fā)現(xiàn)Vs[(p,p)-1,2]。從測(cè)量的Vs值,計(jì)算了pp值。發(fā)現(xiàn)它隨入照光波長(zhǎng)的縮短而減小。估算了對(duì)單色光和對(duì)白光的最佳靶厚。
1991, 13(2): 177-182.
摘要:
NEA活化實(shí)驗(yàn)是利用體單晶材料進(jìn)行的,未經(jīng)任何外延或真空解理手續(xù)。為確立活化工藝,特別是表面清潔處理規(guī)范,作了相應(yīng)AES分析。借助于測(cè)量樣品附近高純Al的熔點(diǎn)以校準(zhǔn)及控制樣品表面的溫度。在不太好的本底真空(210-7610-7Pa)條件下,活化好的GaAs樣品之白光光電靈敏度可達(dá)1000A/lm以上。
NEA活化實(shí)驗(yàn)是利用體單晶材料進(jìn)行的,未經(jīng)任何外延或真空解理手續(xù)。為確立活化工藝,特別是表面清潔處理規(guī)范,作了相應(yīng)AES分析。借助于測(cè)量樣品附近高純Al的熔點(diǎn)以校準(zhǔn)及控制樣品表面的溫度。在不太好的本底真空(210-7610-7Pa)條件下,活化好的GaAs樣品之白光光電靈敏度可達(dá)1000A/lm以上。
1991, 13(2): 183-192.
摘要:
在綜合研究已有的各種復(fù)合物鏡(如移動(dòng)物鏡、變軸物鏡和擺動(dòng)物鏡等)的基礎(chǔ)上,本文對(duì)復(fù)合物鏡的一般理論進(jìn)行了探討,推導(dǎo)了普遍化計(jì)算公式,并提出新的復(fù)合物鏡(彎曲物鏡)系統(tǒng)。采用解析函數(shù)近似表示系統(tǒng)場(chǎng)分布,對(duì)彎曲物鏡系統(tǒng)象差進(jìn)行了理論分析,并設(shè)計(jì)出一個(gè)實(shí)際系統(tǒng)。數(shù)值計(jì)算結(jié)果給出該系統(tǒng)在55mm2掃描場(chǎng)內(nèi),束孔徑角5mrad和能散2.5eV下,最大彗差0.005m,橫向色差0.001m。
在綜合研究已有的各種復(fù)合物鏡(如移動(dòng)物鏡、變軸物鏡和擺動(dòng)物鏡等)的基礎(chǔ)上,本文對(duì)復(fù)合物鏡的一般理論進(jìn)行了探討,推導(dǎo)了普遍化計(jì)算公式,并提出新的復(fù)合物鏡(彎曲物鏡)系統(tǒng)。采用解析函數(shù)近似表示系統(tǒng)場(chǎng)分布,對(duì)彎曲物鏡系統(tǒng)象差進(jìn)行了理論分析,并設(shè)計(jì)出一個(gè)實(shí)際系統(tǒng)。數(shù)值計(jì)算結(jié)果給出該系統(tǒng)在55mm2掃描場(chǎng)內(nèi),束孔徑角5mrad和能散2.5eV下,最大彗差0.005m,橫向色差0.001m。
1991, 13(2): 193-196.
摘要:
在物理光學(xué)近似下,本文將Bojarski恒等式擴(kuò)展到普遍的雙站散射機(jī)制上。它比S.R.Raz(1976)在kEi=k0Ei=0條件下得到的更為普適。指出多站去極化散射成像系統(tǒng)的優(yōu)越性,并指出了S.R.Raz在其公式推導(dǎo)中存在的問題。
在物理光學(xué)近似下,本文將Bojarski恒等式擴(kuò)展到普遍的雙站散射機(jī)制上。它比S.R.Raz(1976)在kEi=k0Ei=0條件下得到的更為普適。指出多站去極化散射成像系統(tǒng)的優(yōu)越性,并指出了S.R.Raz在其公式推導(dǎo)中存在的問題。
1991, 13(2): 197-201.
摘要:
用單色電磁波照射介質(zhì)薄板并測(cè)量其散射場(chǎng),根據(jù)測(cè)得的散射場(chǎng)數(shù)據(jù),可以確定介質(zhì)薄板的電參數(shù)分布。本文給出一種單層和雙層不均勻介質(zhì)薄板的電參數(shù)確定方法,并給出了數(shù)值計(jì)算結(jié)果。
用單色電磁波照射介質(zhì)薄板并測(cè)量其散射場(chǎng),根據(jù)測(cè)得的散射場(chǎng)數(shù)據(jù),可以確定介質(zhì)薄板的電參數(shù)分布。本文給出一種單層和雙層不均勻介質(zhì)薄板的電參數(shù)確定方法,并給出了數(shù)值計(jì)算結(jié)果。
1991, 13(2): 202-206.
摘要:
本文導(dǎo)出了橫電磁波傳輸室(TEM Cell)電場(chǎng)的縱向不均勻性表達(dá)式。數(shù)值結(jié)果與M.L.Crawford(1977)的實(shí)驗(yàn)值吻合較好。該結(jié)果可用于校正測(cè)量探頭位置偏差帶來(lái)的測(cè)量誤差,從而提高用TEM Cell進(jìn)行電磁兼容性試驗(yàn)和天線探頭校準(zhǔn)的測(cè)量精度。
本文導(dǎo)出了橫電磁波傳輸室(TEM Cell)電場(chǎng)的縱向不均勻性表達(dá)式。數(shù)值結(jié)果與M.L.Crawford(1977)的實(shí)驗(yàn)值吻合較好。該結(jié)果可用于校正測(cè)量探頭位置偏差帶來(lái)的測(cè)量誤差,從而提高用TEM Cell進(jìn)行電磁兼容性試驗(yàn)和天線探頭校準(zhǔn)的測(cè)量精度。
1991, 13(2): 207-210.
摘要:
線性無(wú)耗網(wǎng)絡(luò)不一定同時(shí)具備互易性和幺正性,但在零狀態(tài)條件下,線性無(wú)耗網(wǎng)絡(luò)同時(shí)具有互易性和幺正性。本文從互能定理出發(fā),證明了標(biāo)量媒質(zhì)和雙各向異性張量媒質(zhì)的線性無(wú)耗零狀態(tài)網(wǎng)絡(luò)的互易性和幺正性。
線性無(wú)耗網(wǎng)絡(luò)不一定同時(shí)具備互易性和幺正性,但在零狀態(tài)條件下,線性無(wú)耗網(wǎng)絡(luò)同時(shí)具有互易性和幺正性。本文從互能定理出發(fā),證明了標(biāo)量媒質(zhì)和雙各向異性張量媒質(zhì)的線性無(wú)耗零狀態(tài)網(wǎng)絡(luò)的互易性和幺正性。
1991, 13(2): 211-216.
摘要:
馮貴良(1983)給出了Coppa碼維數(shù)的新下限。本文首先給出了在一定條件下求這一下限的統(tǒng)一公式。然后給出了Goppa碼維數(shù)上限以及求這一上限的具體方法。通過上、下限同時(shí)估計(jì),能夠求出特殊類型的Goppa碼的維數(shù)。
馮貴良(1983)給出了Coppa碼維數(shù)的新下限。本文首先給出了在一定條件下求這一下限的統(tǒng)一公式。然后給出了Goppa碼維數(shù)上限以及求這一上限的具體方法。通過上、下限同時(shí)估計(jì),能夠求出特殊類型的Goppa碼的維數(shù)。
1991, 13(2): 217-220.
摘要:
金屬蒸氣激光器利用He、Ne、N2和Ar作緩沖氣體,在高功率電平下的直流放電特性被首次測(cè)得。實(shí)驗(yàn)表明,He氣是用于直流預(yù)熱的最佳緩沖氣體。在200mmHg的He氣壓和1A的放電電流下,有多于5kW的電功率被注入到等離子體管中去。等離子體管溫度在短于1h的時(shí)間內(nèi)達(dá)到1400℃的高溫。
金屬蒸氣激光器利用He、Ne、N2和Ar作緩沖氣體,在高功率電平下的直流放電特性被首次測(cè)得。實(shí)驗(yàn)表明,He氣是用于直流預(yù)熱的最佳緩沖氣體。在200mmHg的He氣壓和1A的放電電流下,有多于5kW的電功率被注入到等離子體管中去。等離子體管溫度在短于1h的時(shí)間內(nèi)達(dá)到1400℃的高溫。
1991, 13(2): 221-224.
摘要:
提出了一種新的非均勻減薄法,即選擇陽(yáng)極氧化法。用于n+-n-n++GaAs高低結(jié)雪崩二極管的n+層厚度的控制,使器件的效率達(dá)到理論值。
提出了一種新的非均勻減薄法,即選擇陽(yáng)極氧化法。用于n+-n-n++GaAs高低結(jié)雪崩二極管的n+層厚度的控制,使器件的效率達(dá)到理論值。
