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1990年  第12卷  第2期

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論文
填充分段介質(zhì)的矩形波導(dǎo)并矢格林函數(shù)
金航, 林為干
1990, 12(2): 113-119.
摘要:
本文采用模式展開與散射疊加法推導(dǎo)出填充分段介質(zhì)的矩形波導(dǎo)并矢格林函數(shù)。推導(dǎo)結(jié)果可直接推廣至圓波導(dǎo)、橢圓波導(dǎo)等其他直波導(dǎo)情況。
加載矩形波導(dǎo)中的并矢格林函數(shù)及其應(yīng)用
喻志遠(yuǎn)
1990, 12(2): 120-127.
摘要:
本文用鏡像法推導(dǎo)出加載矩形波導(dǎo)中的并矢格林函數(shù)。在具體計(jì)算中,由于應(yīng)用積分變換以及將多重?zé)o窮求和化為單一無窮和,極大地簡化了計(jì)算,節(jié)省了計(jì)算時(shí)間。作為并矢格林函數(shù)應(yīng)用的例子,給出了位于加載波導(dǎo)寬邊上的金屬球散射場的矩量解.計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)和文獻(xiàn)的結(jié)果吻合很好。這種方法還能推廣到其它波導(dǎo)。
直線振子和V形振子的時(shí)域輻射特性
孫乃華
1990, 12(2): 128-136.
摘要:
本文用時(shí)間步進(jìn)法求解線天線的時(shí)域積分方程,計(jì)算分析了直線振子和V形振子的時(shí)域輻射特性。分析了饋源位置、加載大小對(duì)振子輸入電流及遠(yuǎn)區(qū)輻射場的影響。對(duì)V形振子的長度及張角等參數(shù)作了優(yōu)化,找到了獲得前向輻射場強(qiáng)最大瞬時(shí)沖擊值的結(jié)構(gòu)參數(shù),結(jié)果可供此類天線的設(shè)計(jì)參考。
導(dǎo)電媒質(zhì)包圍的球形空腔內(nèi)的圓環(huán)天線的特性
袁翊
1990, 12(2): 137-145.
摘要:
本文導(dǎo)出了導(dǎo)電媒質(zhì)在被其包圍的球形空腔中的圓環(huán)天線內(nèi)產(chǎn)生的輸入阻抗的公式。描述了導(dǎo)電媒質(zhì)中天線輻射性能的定義。導(dǎo)出了圓環(huán)天線的輻射電阻公式。數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明所得的兩個(gè)公式收斂迅速,一般只需取第一項(xiàng)或前兩項(xiàng)之和即可。探討了這些數(shù)值與空腔半徑等參數(shù)之間的關(guān)系。
布爾序集相鄰邏輯對(duì)稱的實(shí)現(xiàn)
林柏鋼
1990, 12(2): 146-151.
摘要:
本文提出一種用邏輯對(duì)稱軸的關(guān)系,解決N維布爾序集唯一相鄰的邏輯路徑問題。同時(shí)還給出一種限維內(nèi)任一邏輯相鄰子集的確定方法。其結(jié)果簡單直觀,適合于計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)。這種思想,對(duì)于二分樹快速搜尋和二分樹排序決策等,也具有一定意義。
分析線性反饋網(wǎng)絡(luò)的新方法
仝茂達(dá)
1990, 12(2): 152-160.
摘要:
本文應(yīng)用回路阻抗矩陣的行列式和廣義余因式導(dǎo)出一種分析線性反饋網(wǎng)絡(luò)的新方法,深入系統(tǒng)地研究了網(wǎng)絡(luò)函數(shù),靈敏度、回歸差、零回歸差及其矩陣等,得到了規(guī)律性很強(qiáng)適合機(jī)輔分析的一系列公式。此法不局限于研究平面網(wǎng)絡(luò),特別適用于RLCM和流控電壓源組成的受電壓源激勵(lì)的網(wǎng)絡(luò)。
變形電子束曝光機(jī)成形偏轉(zhuǎn)器的設(shè)計(jì)和性能
康念坎, 江鈞基, 吳偉, 黃蘭友, 吳明均
1990, 12(2): 161-168.
摘要:
在變形電子束曝光機(jī)中,為使曝光均勻必須保證靶上束斑電流密度物邊緣分辨率不隨束斑形狀和尺寸的變化而改變。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵是正確設(shè)計(jì)成形偏轉(zhuǎn)器。本文討論采用高靈敏度平行板偏轉(zhuǎn)器實(shí)現(xiàn)成形偏轉(zhuǎn)時(shí),為達(dá)到上述目標(biāo)應(yīng)進(jìn)行的線性補(bǔ)償和旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì)計(jì)算方法。給出了用實(shí)驗(yàn)方法改變電子源象與偏轉(zhuǎn)板幾何中心的軸向距離所測得的線性補(bǔ)償因子和旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償因子的值。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與計(jì)算值符合較好。
帶鐵心任意形狀偏轉(zhuǎn)器磁場的計(jì)算
謝志行, 林文彬, 沈慶垓
1990, 12(2): 169-178.
摘要:
本文將文獻(xiàn)[1]的分析方法推廣到帶鐵心的偏轉(zhuǎn)器,繞組形狀可以是任意的,如子午繞組、非子午繞組、鞍形、環(huán)形或扇形等。對(duì)鐵心與繞組之間有一定間隙的情況,提出了計(jì)算偏轉(zhuǎn)場的一種新的表示式,并用高斯-切比雪夫積分式對(duì)積分方程離散求解。最后用COTY GE-14''彩顯管偏轉(zhuǎn)器的解剖數(shù)據(jù)驗(yàn)證。
鈧酸鹽陰極發(fā)射物質(zhì)相的研究
曾昭俟, 蘇翹秀, 李美仙, 蔡立, 呂光烈, 陳林琛, 凌榮國
1990, 12(2): 179-186.
摘要:
用多晶X射線衍射方法,研究鈧酸鹽陰極發(fā)射材料在燒結(jié)過程中物理化學(xué)變化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3組成的發(fā)射材料中,在10001300℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系與CaO的混合物;在13001500℃內(nèi),是Ba-Al-O和Ba-Sc-O體系互溶生成熱力學(xué)上的亞穩(wěn)定態(tài)的Ba-Al-Sc-O固溶體。先形成組成約為5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,屬正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成組成約為4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,屬四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游離狀態(tài)。
研究簡報(bào)
一種求解電磁位差分方程組的快速收斂方法
崔錚, 童林夙
1990, 12(2): 187-191.
摘要:
本文根據(jù)電磁位差分方程組系數(shù)矩陣對(duì)角元素占優(yōu)以及稀疏性的特點(diǎn),將直接求解一維線性方程組的追趕法與迭代法相結(jié)合,發(fā)展了一種準(zhǔn)直接法。該方法對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存的要求小于直接法,而收斂速度快于連續(xù)超松馳迭代法,適用于計(jì)算各種靜態(tài)電磁場的有限差分解。文中介紹了準(zhǔn)直接法的基本原理與特點(diǎn),并與連續(xù)超松弛方法進(jìn)行了比較。
處理對(duì)稱與反對(duì)稱結(jié)構(gòu)電磁散射問題的統(tǒng)一理論
郭英杰
1990, 12(2): 192-195.
摘要:
利用散射體的幾何和物理特征,減少用矩量法求解散射場過程中所需要的存儲(chǔ)量和計(jì)算時(shí)間,是當(dāng)前具有理論和實(shí)際意義的重要課題。本文利用群論方法,給出了處理對(duì)稱與反對(duì)稱結(jié)構(gòu)電磁散射問題的統(tǒng)一方法和理論依據(jù)。
線性互易二端口網(wǎng)絡(luò)輸入反射系數(shù)圓的一種新的數(shù)值解法
吳宏雄
1990, 12(2): 196-198.
摘要:
本文提出一種求線性互易二端口網(wǎng)絡(luò)輸入反射系數(shù)圓的新的數(shù)值解法。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是:原理簡單,上機(jī)運(yùn)行時(shí)間短。所得結(jié)果與文獻(xiàn)[2]、[4]的幾乎完全相同。
任意傳遞矩陣的多端口有源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)
戴國勝, 戴旦前
1990, 12(2): 199-203.
摘要:
本文提出用實(shí)際的多端口網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)任意傳遞矩陣的簡捷方法,即通過RC梯形網(wǎng)絡(luò)和輸入輸出加法器進(jìn)行狀態(tài)反饋和狀態(tài)交叉輸出的實(shí)現(xiàn)方法。主要工作是確定各加法器系數(shù)。
LSI/VLSI的任意元胞K行安置的算法
陸生勛, 姜國均
1990, 12(2): 204-207.
摘要:
本文提出一種適用于LSI/VLSI任意元胞布局的K行安置的算法。當(dāng)矩形單元的拓樸位置確定后,每個(gè)單元有橫放、豎放兩個(gè)態(tài)共有2n個(gè)態(tài)。在K行安置時(shí),從這2n個(gè)態(tài)中選出包絡(luò)矩形面積最小的問題,可歸結(jié)為求n個(gè)態(tài)中的包絡(luò)矩形面積最小,所以是很有效的算法??梢院徒Y(jié)群法混合使用;在一定條件下,還可以直接用于準(zhǔn)BBL布局。
正向小注入脈沖下多子陷阱響應(yīng)和兩種載流子俘獲率之比
傅春寅, 魯永令, 曾樹榮
1990, 12(2): 208-213.
摘要:
正向小注入下分析了p+-n結(jié)的多子陷阱響應(yīng)。指出了其中的少子注入俘獲效應(yīng)。當(dāng)p-n結(jié)反向偏壓足夠小,以致其響虛區(qū)中尾區(qū)的作用不容忽視時(shí),多子陷阱的少子注入俘獲效應(yīng)就在其DLTS中明顯地表現(xiàn)出來。這種效應(yīng)可用于在小注入條件下,測量多子陷阱兩種載流子俘獲率之比Cp/Cn。
p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性及其應(yīng)用
張桂成, 程宗權(quán), 蔣惠英, 俞志中
1990, 12(2): 214-218.
摘要:
本文研究了p-InP/Ag-Zn/Mn系的接觸特性和界面互擴(kuò)散問題。結(jié)果表明:該系的比接觸電阻與Au-Zn系相當(dāng)。而Ag的內(nèi)擴(kuò)散程度較Au低,有利于器件可靠性的改善。該系用作InGaAsP/InP邊發(fā)光管的p面電極,器件的Rs4--6。
砷化鎵表面自旋極化光電子發(fā)射
周清, 趙守珍, 李育民, 方蘭, 張黎明
1990, 12(2): 219-224.
摘要:
本文詳細(xì)地介紹了在圓偏振光作用下,NEA GaAs表面發(fā)射目旋極化光電子的原理,及NEA GaAs表面的制備和裝置。介紹了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到靈敏度為8A/mW,極化度約用35%以上的光電子束。發(fā)現(xiàn)清潔的GaAs表面覆蓋以50%60%Cs單原子層時(shí),光電子的發(fā)射出現(xiàn)第一個(gè)極大值,同時(shí)發(fā)現(xiàn)穩(wěn)定的發(fā)射取決于銫吸附量。