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1990年 第12卷 第1期
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1990, 12(1): 1-6.
摘要:
本文介紹了簡(jiǎn)單、實(shí)用的矩形變換和近幾年來(lái)迅速發(fā)展的矢量量化技術(shù).并把矩形變換和矢量量化技術(shù)結(jié)合在一起應(yīng)用于圖象的數(shù)據(jù)壓縮.這種結(jié)合降低了矢量編碼的維數(shù),相應(yīng)的碼書尺寸能適當(dāng)?shù)牡玫綔p小.此方法加快了矢量編碼的進(jìn)程,減少了存貯量,編碼率得到進(jìn)一步減小.計(jì)算機(jī)模擬實(shí)驗(yàn)證明這種方法對(duì)圖象的數(shù)據(jù)壓縮是非常有效的.
本文介紹了簡(jiǎn)單、實(shí)用的矩形變換和近幾年來(lái)迅速發(fā)展的矢量量化技術(shù).并把矩形變換和矢量量化技術(shù)結(jié)合在一起應(yīng)用于圖象的數(shù)據(jù)壓縮.這種結(jié)合降低了矢量編碼的維數(shù),相應(yīng)的碼書尺寸能適當(dāng)?shù)牡玫綔p小.此方法加快了矢量編碼的進(jìn)程,減少了存貯量,編碼率得到進(jìn)一步減小.計(jì)算機(jī)模擬實(shí)驗(yàn)證明這種方法對(duì)圖象的數(shù)據(jù)壓縮是非常有效的.
1990, 12(1): 7-13.
摘要:
Elias提出的間隔編碼和新近隊(duì)列編碼對(duì)統(tǒng)計(jì)特性未知的信源是良好的自適應(yīng)信源編碼.本文論證了間隔編碼和新近隊(duì)列編碼的效率以概率隊(duì)列編碼的效率為上界,并將Elias的離散無(wú)記憶信源模型下的間隔編碼和新近隊(duì)列編碼推廣到了有限狀態(tài)有記憶信源.
Elias提出的間隔編碼和新近隊(duì)列編碼對(duì)統(tǒng)計(jì)特性未知的信源是良好的自適應(yīng)信源編碼.本文論證了間隔編碼和新近隊(duì)列編碼的效率以概率隊(duì)列編碼的效率為上界,并將Elias的離散無(wú)記憶信源模型下的間隔編碼和新近隊(duì)列編碼推廣到了有限狀態(tài)有記憶信源.
1990, 12(1): 14-21.
摘要:
不考慮相位失真,而要求滿足比較苛刻的振幅特性的時(shí)候,和FIR濾波器比較起來(lái),采用 IIR 濾波器,計(jì)算量要小很多.但對(duì)某些IIR濾波器,采取適當(dāng)?shù)姆椒?也可以使其相位失真變得很小.本文提出一種新的設(shè)計(jì)方法,用來(lái)設(shè)計(jì)振幅響應(yīng)完全滿足設(shè)計(jì)要求,而相位特性用Chebyshev 近似來(lái)實(shí)現(xiàn)的多相波數(shù)字濾波器.這種方法的關(guān)鍵在于確定通帶中的若干衰減零點(diǎn).文中對(duì)需要的最小衰減零點(diǎn)數(shù)作了估計(jì).實(shí)例表明,用這種方法設(shè)計(jì)的濾波器,時(shí)延小,相位特性非常接近線性.
不考慮相位失真,而要求滿足比較苛刻的振幅特性的時(shí)候,和FIR濾波器比較起來(lái),采用 IIR 濾波器,計(jì)算量要小很多.但對(duì)某些IIR濾波器,采取適當(dāng)?shù)姆椒?也可以使其相位失真變得很小.本文提出一種新的設(shè)計(jì)方法,用來(lái)設(shè)計(jì)振幅響應(yīng)完全滿足設(shè)計(jì)要求,而相位特性用Chebyshev 近似來(lái)實(shí)現(xiàn)的多相波數(shù)字濾波器.這種方法的關(guān)鍵在于確定通帶中的若干衰減零點(diǎn).文中對(duì)需要的最小衰減零點(diǎn)數(shù)作了估計(jì).實(shí)例表明,用這種方法設(shè)計(jì)的濾波器,時(shí)延小,相位特性非常接近線性.
1990, 12(1): 22-31.
摘要:
本文提出一種自動(dòng)調(diào)諧陷波器,其陷波中心頻率自動(dòng)跟蹤市電頻率或某一外加干擾頻率,以抑制其干擾.陷波器的諧振電路由LC組成,而電感L是用普遍阻抗轉(zhuǎn)換器(GIC)來(lái)實(shí)現(xiàn),GIC的端接電阻為壓控MOS管電阻,因此可以用一電壓控制此電阻以改變電感值,進(jìn)而控制陷波頻率.這種陷波電路可用于抑制市電頻率的干擾噪聲并防止測(cè)量或數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中前置放大器的飽和.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在頻率從4555Hz,其陷波頻率跟蹤精度優(yōu)于0.5Hz,而陷波深度(串模抑制比)為3040dB.
本文提出一種自動(dòng)調(diào)諧陷波器,其陷波中心頻率自動(dòng)跟蹤市電頻率或某一外加干擾頻率,以抑制其干擾.陷波器的諧振電路由LC組成,而電感L是用普遍阻抗轉(zhuǎn)換器(GIC)來(lái)實(shí)現(xiàn),GIC的端接電阻為壓控MOS管電阻,因此可以用一電壓控制此電阻以改變電感值,進(jìn)而控制陷波頻率.這種陷波電路可用于抑制市電頻率的干擾噪聲并防止測(cè)量或數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中前置放大器的飽和.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在頻率從4555Hz,其陷波頻率跟蹤精度優(yōu)于0.5Hz,而陷波深度(串模抑制比)為3040dB.
1990, 12(1): 32-37.
摘要:
本文給出了TM平面波被一照射面為阻抗表面的導(dǎo)體劈繞射的一致性幾何繞射公式.利用該公式,我們計(jì)算了涂覆有耗介質(zhì)的矩形平板的后向雷達(dá)散射截面,計(jì)算結(jié)果與測(cè)量值吻合較好.
本文給出了TM平面波被一照射面為阻抗表面的導(dǎo)體劈繞射的一致性幾何繞射公式.利用該公式,我們計(jì)算了涂覆有耗介質(zhì)的矩形平板的后向雷達(dá)散射截面,計(jì)算結(jié)果與測(cè)量值吻合較好.
1990, 12(1): 38-46.
摘要:
本文通過(guò)反演保角變換與圖形逼近相結(jié)合的方法,為許多傳輸線問(wèn)題的分析提供了一種更加有效的方法.并以圓及正N邊形組成的同軸線為例,闡述了這種方法.新方法的準(zhǔn)確性通過(guò)與精確方法的數(shù)值比較得到證實(shí).
本文通過(guò)反演保角變換與圖形逼近相結(jié)合的方法,為許多傳輸線問(wèn)題的分析提供了一種更加有效的方法.并以圓及正N邊形組成的同軸線為例,闡述了這種方法.新方法的準(zhǔn)確性通過(guò)與精確方法的數(shù)值比較得到證實(shí).
1990, 12(1): 47-56.
摘要:
本文給出了鞍形和環(huán)形非子午繞組偏轉(zhuǎn)器磁標(biāo)位和特性函數(shù)的解析式.對(duì)彩色顯象管和電子束曝光機(jī)等的偏轉(zhuǎn)線圈設(shè)計(jì)具有實(shí)際意義.理論計(jì)算與實(shí)測(cè)結(jié)果符合良好.
本文給出了鞍形和環(huán)形非子午繞組偏轉(zhuǎn)器磁標(biāo)位和特性函數(shù)的解析式.對(duì)彩色顯象管和電子束曝光機(jī)等的偏轉(zhuǎn)線圈設(shè)計(jì)具有實(shí)際意義.理論計(jì)算與實(shí)測(cè)結(jié)果符合良好.
1990, 12(1): 57-64.
摘要:
提出用光生電流偏壓關(guān)系擬合非晶硅pin太陽(yáng)能電池光態(tài)I-V特性曲線,測(cè)量光生載流子收集長(zhǎng)度的模型.用計(jì)算機(jī)自動(dòng)測(cè)量與分析處理系統(tǒng)采樣,采用Marquardt數(shù)字計(jì)算擬合法對(duì)實(shí)測(cè)I-V值進(jìn)行擬合驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明該模型擬合結(jié)果良好.用不同模型對(duì)同組數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合比較,對(duì)各模型擬合誤差進(jìn)行了討論,本文的模型擬合誤差較小,參數(shù)自動(dòng)擬合調(diào)整較大,數(shù)據(jù)重復(fù)性、可靠性好,能反映實(shí)際使用條件下電池的特性.
提出用光生電流偏壓關(guān)系擬合非晶硅pin太陽(yáng)能電池光態(tài)I-V特性曲線,測(cè)量光生載流子收集長(zhǎng)度的模型.用計(jì)算機(jī)自動(dòng)測(cè)量與分析處理系統(tǒng)采樣,采用Marquardt數(shù)字計(jì)算擬合法對(duì)實(shí)測(cè)I-V值進(jìn)行擬合驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明該模型擬合結(jié)果良好.用不同模型對(duì)同組數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合比較,對(duì)各模型擬合誤差進(jìn)行了討論,本文的模型擬合誤差較小,參數(shù)自動(dòng)擬合調(diào)整較大,數(shù)據(jù)重復(fù)性、可靠性好,能反映實(shí)際使用條件下電池的特性.
1990, 12(1): 65-68.
摘要:
本文介紹了一種二值圖象數(shù)據(jù)壓縮的十六元樹方法,它具有效率高、便于實(shí)現(xiàn),無(wú)失真恢復(fù)等特點(diǎn),是處理二值圖象中極為實(shí)用的方法,
本文介紹了一種二值圖象數(shù)據(jù)壓縮的十六元樹方法,它具有效率高、便于實(shí)現(xiàn),無(wú)失真恢復(fù)等特點(diǎn),是處理二值圖象中極為實(shí)用的方法,
1990, 12(1): 69-73.
摘要:
本文給出了適合于線性有源網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的一種有效方法.在電路優(yōu)化設(shè)計(jì)中,計(jì)算費(fèi)用主要取決于目標(biāo)函數(shù)計(jì)算。通常情況下,一個(gè)線性網(wǎng)絡(luò)的模擬要求解維數(shù)較高的線性方程。電路優(yōu)化設(shè)計(jì)中一個(gè)很重要的特點(diǎn)是獨(dú)立可調(diào)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)目較小,依據(jù)線性網(wǎng)絡(luò)的性質(zhì),將其表征為一個(gè)多端口網(wǎng)絡(luò),在優(yōu)化之前建立混合參數(shù)矩陣,每次目標(biāo)函數(shù)計(jì)算中僅需求解一個(gè)維數(shù)和設(shè)計(jì)參數(shù)數(shù)目相同的方程,因而非常省時(shí)。
本文給出了適合于線性有源網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的一種有效方法.在電路優(yōu)化設(shè)計(jì)中,計(jì)算費(fèi)用主要取決于目標(biāo)函數(shù)計(jì)算。通常情況下,一個(gè)線性網(wǎng)絡(luò)的模擬要求解維數(shù)較高的線性方程。電路優(yōu)化設(shè)計(jì)中一個(gè)很重要的特點(diǎn)是獨(dú)立可調(diào)設(shè)計(jì)參數(shù)的數(shù)目較小,依據(jù)線性網(wǎng)絡(luò)的性質(zhì),將其表征為一個(gè)多端口網(wǎng)絡(luò),在優(yōu)化之前建立混合參數(shù)矩陣,每次目標(biāo)函數(shù)計(jì)算中僅需求解一個(gè)維數(shù)和設(shè)計(jì)參數(shù)數(shù)目相同的方程,因而非常省時(shí)。
1990, 12(1): 74-79.
摘要:
本文選取本征函數(shù)作為權(quán)函數(shù),由格林第二恒等式建立邊界積分方程,并采用邊界基形式得到線性齊次方程組。這種方法不僅降低了系數(shù)矩陣的維數(shù),而且使其各項(xiàng)仍保持為簡(jiǎn)單一項(xiàng),減少了計(jì)算量.本文提供了幾種常見金屬波導(dǎo)的例子,計(jì)算結(jié)果既收斂快、又足夠準(zhǔn)確。
本文選取本征函數(shù)作為權(quán)函數(shù),由格林第二恒等式建立邊界積分方程,并采用邊界基形式得到線性齊次方程組。這種方法不僅降低了系數(shù)矩陣的維數(shù),而且使其各項(xiàng)仍保持為簡(jiǎn)單一項(xiàng),減少了計(jì)算量.本文提供了幾種常見金屬波導(dǎo)的例子,計(jì)算結(jié)果既收斂快、又足夠準(zhǔn)確。
1990, 12(1): 80-82.
摘要:
本文描述了頻率復(fù)蓋210270GHz的3倍頻器,最高的倍頻效率為5.8%,最大的輸出功率發(fā)生在輸入功率為3050mW的范圍內(nèi)。3倍頻器是由基波輸入波導(dǎo)WR-12、輸出波導(dǎo)WR-4和兩波導(dǎo)之間的同軸低通濾波器組成。
本文描述了頻率復(fù)蓋210270GHz的3倍頻器,最高的倍頻效率為5.8%,最大的輸出功率發(fā)生在輸入功率為3050mW的范圍內(nèi)。3倍頻器是由基波輸入波導(dǎo)WR-12、輸出波導(dǎo)WR-4和兩波導(dǎo)之間的同軸低通濾波器組成。
1990, 12(1): 83-88.
摘要:
本文提出了示波管偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)高頻性能分析新方法。通過(guò)分析電子在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)內(nèi)的渡越時(shí)間差模型,導(dǎo)出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)在單位階躍電壓函數(shù)作用下,電子束掃描軌跡方程及上升時(shí)間的計(jì)算。
本文提出了示波管偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)高頻性能分析新方法。通過(guò)分析電子在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)內(nèi)的渡越時(shí)間差模型,導(dǎo)出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)在單位階躍電壓函數(shù)作用下,電子束掃描軌跡方程及上升時(shí)間的計(jì)算。
1990, 12(1): 89-92.
摘要:
本文給出了微通道板(MCP)輸出電極的最佳深度表達(dá)式。在此最佳條件下,MCP輸出電子能量分布(EDOE)曲線只有銳的低能主峰,它的半寬度達(dá)到極限值,能在極限空間分辨率下工作。解釋了以前所報(bào)道的MCP的EDOE特性,那實(shí)際上是偏離最佳條件下的MCP的特性。
本文給出了微通道板(MCP)輸出電極的最佳深度表達(dá)式。在此最佳條件下,MCP輸出電子能量分布(EDOE)曲線只有銳的低能主峰,它的半寬度達(dá)到極限值,能在極限空間分辨率下工作。解釋了以前所報(bào)道的MCP的EDOE特性,那實(shí)際上是偏離最佳條件下的MCP的特性。
1990, 12(1): 93-99.
摘要:
應(yīng)用透射式電子顯微鏡觀察了GaAs-AlxGa1-xAs多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中的精細(xì)低維調(diào)制條紋。在鄰近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格層的緩沖層中和與這緩沖層鄰近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格層的小區(qū)域中發(fā)現(xiàn)了等寬度的精細(xì)低維調(diào)制條紋,其寬度為9.1的GaAs條紋,12的AlxGa1-xAs條紋。文中介紹了用顯微密度計(jì)獲得的這些條紋的密度分布結(jié)果。同時(shí)還給出了GaAs-AlxGa1-xAs 多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的晶格像和用X射線能量散射譜技術(shù)獲得的成分定量分析結(jié)果。
應(yīng)用透射式電子顯微鏡觀察了GaAs-AlxGa1-xAs多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中的精細(xì)低維調(diào)制條紋。在鄰近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格層的緩沖層中和與這緩沖層鄰近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格層的小區(qū)域中發(fā)現(xiàn)了等寬度的精細(xì)低維調(diào)制條紋,其寬度為9.1的GaAs條紋,12的AlxGa1-xAs條紋。文中介紹了用顯微密度計(jì)獲得的這些條紋的密度分布結(jié)果。同時(shí)還給出了GaAs-AlxGa1-xAs 多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的晶格像和用X射線能量散射譜技術(shù)獲得的成分定量分析結(jié)果。
1990, 12(1): 100-102.
摘要:
設(shè)計(jì)和研制了耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管。外延選擇性摻雜材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延爐生長(zhǎng)的。制作器件的材料在室溫下,霍爾測(cè)量的電子遷移率為6500cm2/vs,二維薄層電子濃度ns=91011cm2。在77K時(shí)n=75000cm2/vs。測(cè)量了具有柵長(zhǎng)1.21.5m,柵寬2180m耗盡型異質(zhì)結(jié)器件的直流特性和器件的跨導(dǎo),室溫下gm=110～130ms/mm,而低溫77K時(shí),可達(dá)到200ms/mm。
設(shè)計(jì)和研制了耗盡型選擇性摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管。外延選擇性摻雜材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延爐生長(zhǎng)的。制作器件的材料在室溫下,霍爾測(cè)量的電子遷移率為6500cm2/vs,二維薄層電子濃度ns=91011cm2。在77K時(shí)n=75000cm2/vs。測(cè)量了具有柵長(zhǎng)1.21.5m,柵寬2180m耗盡型異質(zhì)結(jié)器件的直流特性和器件的跨導(dǎo),室溫下gm=110～130ms/mm,而低溫77K時(shí),可達(dá)到200ms/mm。
1990, 12(1): 103-108.
摘要:
微波管電極表面涂復(fù)碳膜能改善管子性能。本文介紹了采用高頻濺射熱解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情況。包括碳膜的制造、成分分析,次級(jí)發(fā)射性能和熱輻射特性以及在真空系統(tǒng)中隨溫度上升釋放氣體的質(zhì)譜分析等。主要結(jié)果有:(1)復(fù)碳鉬有明顯的吸氧效應(yīng);(2)鉬、鉿上復(fù)碳后次級(jí)發(fā)射系數(shù)降為max 0.7;(3)高溫時(shí)(930℃)鉬基上的碳膜會(huì)很快消失,但鉿基上的碳膜到1050℃仍無(wú)明顯變化;(4)復(fù)碳鉬在高溫時(shí)有一定量的CH4形成。
微波管電極表面涂復(fù)碳膜能改善管子性能。本文介紹了采用高頻濺射熱解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情況。包括碳膜的制造、成分分析,次級(jí)發(fā)射性能和熱輻射特性以及在真空系統(tǒng)中隨溫度上升釋放氣體的質(zhì)譜分析等。主要結(jié)果有:(1)復(fù)碳鉬有明顯的吸氧效應(yīng);(2)鉬、鉿上復(fù)碳后次級(jí)發(fā)射系數(shù)降為max 0.7;(3)高溫時(shí)(930℃)鉬基上的碳膜會(huì)很快消失,但鉿基上的碳膜到1050℃仍無(wú)明顯變化;(4)復(fù)碳鉬在高溫時(shí)有一定量的CH4形成。
1990, 12(1): 109-112.
摘要:
利用某些有機(jī)烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導(dǎo)體基片上沉積相應(yīng)的金屬氧化物次級(jí)發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級(jí)發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級(jí)電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。
利用某些有機(jī)烷氧基金屬化合物的熱分解,可在玻璃、金屬、陶瓷或半導(dǎo)體基片上沉積相應(yīng)的金屬氧化物次級(jí)發(fā)射膜。例如:由乙氧基鎂(或鋁)的熱解制得MgO(或Al2O3)膜。本工作由自制乙氧基鋁和五氯化鉬,在玻璃基底上熱解沉積制得合適電阻率的次級(jí)發(fā)射膜Al2O3∶Mo.膜厚1000,電阻率107-108cm,最大次級(jí)電子發(fā)射系數(shù) max=3.1,熱解條件為450℃,12min。
