1989, 11(3): 244-249.
摘要:
在實(shí)用熱陰極中,測(cè)量得的發(fā)射常數(shù)值經(jīng)常小于120A/cm2T2。這是由于逸出功有一分布所致,而不是由于電子遇到表面勢(shì)壘時(shí)的反射。用單晶面測(cè)量時(shí),理論和實(shí)驗(yàn)值便相符了。事實(shí)上發(fā)射來(lái)源于已穿透進(jìn)勢(shì)壘的表面電子。這些電子既不能進(jìn)入真空,也不能在金屬導(dǎo)帶中自由運(yùn)動(dòng),否則不同晶面便不可能有不同的逸出功。異族元素的吸附增加表面電子的數(shù)目和能量,因而使逸出功下降。