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1989年 第11卷 第3期
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1989, 11(3): 225-235.
摘要:
本文從理想均勻靜電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)三級(jí)幾何象差的公式出發(fā),導(dǎo)出了由兩對(duì)互相垂直的偏轉(zhuǎn)板組成的平行平板偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的三級(jí)幾何象差公式。這些公式不但可用來(lái)快速估算偏轉(zhuǎn)象差,還可用來(lái)作為校驗(yàn)數(shù)字計(jì)算程序的理論模型。從水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)象散和場(chǎng)曲的影響應(yīng)相同這一要求出發(fā),提出了一種優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。在給定偏轉(zhuǎn)區(qū)總長(zhǎng)度和兩對(duì)偏轉(zhuǎn)板之間的距離后,可以計(jì)算出每對(duì)偏轉(zhuǎn)板的最佳長(zhǎng)度。文中給出了設(shè)計(jì)數(shù)表,并比較了平行平板偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)和八極偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的優(yōu)缺點(diǎn)。
本文從理想均勻靜電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)三級(jí)幾何象差的公式出發(fā),導(dǎo)出了由兩對(duì)互相垂直的偏轉(zhuǎn)板組成的平行平板偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的三級(jí)幾何象差公式。這些公式不但可用來(lái)快速估算偏轉(zhuǎn)象差,還可用來(lái)作為校驗(yàn)數(shù)字計(jì)算程序的理論模型。從水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)象散和場(chǎng)曲的影響應(yīng)相同這一要求出發(fā),提出了一種優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。在給定偏轉(zhuǎn)區(qū)總長(zhǎng)度和兩對(duì)偏轉(zhuǎn)板之間的距離后,可以計(jì)算出每對(duì)偏轉(zhuǎn)板的最佳長(zhǎng)度。文中給出了設(shè)計(jì)數(shù)表,并比較了平行平板偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)和八極偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的優(yōu)缺點(diǎn)。
1989, 11(3): 236-243.
摘要:
本文對(duì)電磁聚焦移象系統(tǒng)中靜電聚焦場(chǎng)的逆設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究,利用多電極系統(tǒng)靜電場(chǎng)的電位迭加原理,建立了數(shù)學(xué)模型,用最優(yōu)化方法對(duì)系統(tǒng)的靜電聚焦場(chǎng)進(jìn)行了設(shè)計(jì)計(jì)算。
本文對(duì)電磁聚焦移象系統(tǒng)中靜電聚焦場(chǎng)的逆設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究,利用多電極系統(tǒng)靜電場(chǎng)的電位迭加原理,建立了數(shù)學(xué)模型,用最優(yōu)化方法對(duì)系統(tǒng)的靜電聚焦場(chǎng)進(jìn)行了設(shè)計(jì)計(jì)算。
1989, 11(3): 244-249.
摘要:
在實(shí)用熱陰極中,測(cè)量得的發(fā)射常數(shù)值經(jīng)常小于120A/cm2T2。這是由于逸出功有一分布所致,而不是由于電子遇到表面勢(shì)壘時(shí)的反射。用單晶面測(cè)量時(shí),理論和實(shí)驗(yàn)值便相符了。事實(shí)上發(fā)射來(lái)源于已穿透進(jìn)勢(shì)壘的表面電子。這些電子既不能進(jìn)入真空,也不能在金屬導(dǎo)帶中自由運(yùn)動(dòng),否則不同晶面便不可能有不同的逸出功。異族元素的吸附增加表面電子的數(shù)目和能量,因而使逸出功下降。
在實(shí)用熱陰極中,測(cè)量得的發(fā)射常數(shù)值經(jīng)常小于120A/cm2T2。這是由于逸出功有一分布所致,而不是由于電子遇到表面勢(shì)壘時(shí)的反射。用單晶面測(cè)量時(shí),理論和實(shí)驗(yàn)值便相符了。事實(shí)上發(fā)射來(lái)源于已穿透進(jìn)勢(shì)壘的表面電子。這些電子既不能進(jìn)入真空,也不能在金屬導(dǎo)帶中自由運(yùn)動(dòng),否則不同晶面便不可能有不同的逸出功。異族元素的吸附增加表面電子的數(shù)目和能量,因而使逸出功下降。
1989, 11(3): 250-257.
摘要:
本文對(duì)Nakano簡(jiǎn)化的曲線天線積分方程核做了更便于數(shù)值計(jì)算的處理;運(yùn)用矩量法分析,計(jì)算了諧振式四臂螺旋天線的圓極化方向圖、增益、軸比、前后比及賦形特性等,并研究了饋電方法和導(dǎo)電板對(duì)天線性能的影響。
本文對(duì)Nakano簡(jiǎn)化的曲線天線積分方程核做了更便于數(shù)值計(jì)算的處理;運(yùn)用矩量法分析,計(jì)算了諧振式四臂螺旋天線的圓極化方向圖、增益、軸比、前后比及賦形特性等,并研究了饋電方法和導(dǎo)電板對(duì)天線性能的影響。
1989, 11(3): 258-266.
摘要:
本文以聲吶為例討論了應(yīng)用啾聲(Chirp)信號(hào)于線陣的問(wèn)題。文章研究了在接收機(jī)輸入端混有噪聲的條件下線性調(diào)頻脈沖陣的波束形成的可能性。理論分析和計(jì)算機(jī)模擬表明,系統(tǒng)具有良好的距離分辨率、角度分辨率和高的信噪比增益。
本文以聲吶為例討論了應(yīng)用啾聲(Chirp)信號(hào)于線陣的問(wèn)題。文章研究了在接收機(jī)輸入端混有噪聲的條件下線性調(diào)頻脈沖陣的波束形成的可能性。理論分析和計(jì)算機(jī)模擬表明,系統(tǒng)具有良好的距離分辨率、角度分辨率和高的信噪比增益。
1989, 11(3): 267-274.
摘要:
文中引入完全超樹和主子超圖的概念,并提出產(chǎn)生線性有源網(wǎng)絡(luò)之符號(hào)網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的一個(gè)新方法主子超圖法。它是主子圖法[1]的改進(jìn)。它的表達(dá)式很緊湊,計(jì)算時(shí)間復(fù)雜度為O(venl)。通常葉總數(shù)nl遠(yuǎn)小于主子圖數(shù)np,所以它的計(jì)算效率高于主子圖法。
文中引入完全超樹和主子超圖的概念,并提出產(chǎn)生線性有源網(wǎng)絡(luò)之符號(hào)網(wǎng)絡(luò)函數(shù)的一個(gè)新方法主子超圖法。它是主子圖法[1]的改進(jìn)。它的表達(dá)式很緊湊,計(jì)算時(shí)間復(fù)雜度為O(venl)。通常葉總數(shù)nl遠(yuǎn)小于主子圖數(shù)np,所以它的計(jì)算效率高于主子圖法。
1989, 11(3): 275-283.
摘要:
本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的壓磁電效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同柵電壓、漏電壓以及n溝道硅器件不同寬長(zhǎng)比的壓力靈敏度和磁靈敏度。在P0,B=0,器件寬長(zhǎng)比為W/L=1/2-1時(shí),電流性壓力靈敏度約為:2.5％cm2/N。據(jù)此,提出了一種有良好工作穩(wěn)定性及噪聲性能的力學(xué)量敏感器件結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)力敏管(Junction field effect-pressure sensor)。
本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的壓磁電效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同柵電壓、漏電壓以及n溝道硅器件不同寬長(zhǎng)比的壓力靈敏度和磁靈敏度。在P0,B=0,器件寬長(zhǎng)比為W/L=1/2-1時(shí),電流性壓力靈敏度約為:2.5％cm2/N。據(jù)此,提出了一種有良好工作穩(wěn)定性及噪聲性能的力學(xué)量敏感器件結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)力敏管(Junction field effect-pressure sensor)。
1989, 11(3): 284-289.
摘要:
在研究硅n+-p結(jié)中金深受主能級(jí)EA的DLTS信號(hào)強(qiáng)度(峰高)與多子脈沖的關(guān)系中發(fā)現(xiàn),當(dāng)脈沖寬度寬于1s時(shí),峰高反而隨著脈沖寬度增加而單調(diào)下降。給出了典型的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,并指出這是由于EA同時(shí)具有多子及少子兩種響應(yīng)區(qū)的結(jié)果。
在研究硅n+-p結(jié)中金深受主能級(jí)EA的DLTS信號(hào)強(qiáng)度(峰高)與多子脈沖的關(guān)系中發(fā)現(xiàn),當(dāng)脈沖寬度寬于1s時(shí),峰高反而隨著脈沖寬度增加而單調(diào)下降。給出了典型的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,并指出這是由于EA同時(shí)具有多子及少子兩種響應(yīng)區(qū)的結(jié)果。
1989, 11(3): 290-298.
摘要:
本文綜述了迅速發(fā)展中的微帶天線理論和技術(shù)的新進(jìn)展。側(cè)重評(píng)述了基本理論和圓極化、寬頻帶、多頻段及饋電等技術(shù)的進(jìn)展,并介紹了毫米波微帶天線陣和有源固態(tài)相控陣等新型微帶陣列。最后展望了發(fā)展方向。
本文綜述了迅速發(fā)展中的微帶天線理論和技術(shù)的新進(jìn)展。側(cè)重評(píng)述了基本理論和圓極化、寬頻帶、多頻段及饋電等技術(shù)的進(jìn)展,并介紹了毫米波微帶天線陣和有源固態(tài)相控陣等新型微帶陣列。最后展望了發(fā)展方向。
1989, 11(3): 299-302.
摘要:
本文推導(dǎo)出了以襯底光功率流為參數(shù)的非線性襯底光波導(dǎo)TE模的本征值方程,且采用簡(jiǎn)單的圖解法求解。
本文推導(dǎo)出了以襯底光功率流為參數(shù)的非線性襯底光波導(dǎo)TE模的本征值方程,且采用簡(jiǎn)單的圖解法求解。
1989, 11(3): 303-307.
摘要:
本文討論了加鰭波導(dǎo)高次模的特性,并用傳輸矩陣(TLM)方法計(jì)算了前七個(gè)模式的截止波長(zhǎng),還指出了如何修正TLM方法的誤差。
本文討論了加鰭波導(dǎo)高次模的特性,并用傳輸矩陣(TLM)方法計(jì)算了前七個(gè)模式的截止波長(zhǎng),還指出了如何修正TLM方法的誤差。
1989, 11(3): 308-313.
摘要:
本文導(dǎo)出標(biāo)準(zhǔn)直角、圓柱和圓球矢量波函數(shù)的坐標(biāo)變換關(guān)系,為實(shí)際使用提供了方便。
本文導(dǎo)出標(biāo)準(zhǔn)直角、圓柱和圓球矢量波函數(shù)的坐標(biāo)變換關(guān)系,為實(shí)際使用提供了方便。
1989, 11(3): 314-319.
摘要:
本文介紹由長(zhǎng)縫隙耦合的端頭對(duì)接的波導(dǎo)接頭的電特性。利用伽略金法求解縫隙口面上等效磁流,獲得散射場(chǎng)及其等效參量的通用表達(dá)式。波導(dǎo)尺寸,縫隙尺寸和位置是任意的。給出了數(shù)值計(jì)算實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),二者相吻合。
本文介紹由長(zhǎng)縫隙耦合的端頭對(duì)接的波導(dǎo)接頭的電特性。利用伽略金法求解縫隙口面上等效磁流,獲得散射場(chǎng)及其等效參量的通用表達(dá)式。波導(dǎo)尺寸,縫隙尺寸和位置是任意的。給出了數(shù)值計(jì)算實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),二者相吻合。
1989, 11(3): 320-323.
摘要:
本文通過(guò)保角變換研究了垂直帶狀線中等位線的特性,結(jié)果表明其中有一根非常近似于圓的等位線。據(jù)此導(dǎo)出了開放平板線的特性阻抗。這個(gè)方法物理概念清晰,所得結(jié)果可信并和已有的結(jié)果吻合較好。
本文通過(guò)保角變換研究了垂直帶狀線中等位線的特性,結(jié)果表明其中有一根非常近似于圓的等位線。據(jù)此導(dǎo)出了開放平板線的特性阻抗。這個(gè)方法物理概念清晰,所得結(jié)果可信并和已有的結(jié)果吻合較好。
1989, 11(3): 324-327.
摘要:
本文簡(jiǎn)要地?cái)⑹隽薍形阻抗變換器的設(shè)計(jì)方法,重點(diǎn)討論了H形波導(dǎo)的截止波長(zhǎng)應(yīng)如何正確選擇,才能使在調(diào)諧頻率范圍內(nèi)磁控管的輸出功率比較均勻。最后進(jìn)行了裝管熱測(cè),結(jié)果與予期目標(biāo)較符合。
本文簡(jiǎn)要地?cái)⑹隽薍形阻抗變換器的設(shè)計(jì)方法,重點(diǎn)討論了H形波導(dǎo)的截止波長(zhǎng)應(yīng)如何正確選擇,才能使在調(diào)諧頻率范圍內(nèi)磁控管的輸出功率比較均勻。最后進(jìn)行了裝管熱測(cè),結(jié)果與予期目標(biāo)較符合。
1989, 11(3): 328-332.
摘要:
本文利用滯回電阻實(shí)現(xiàn)了滯回電感,然后研究了包含該滯回電感的二階非自激動(dòng)態(tài)電路中的分叉和渾沌行為。計(jì)算機(jī)模擬和實(shí)驗(yàn)結(jié)果是定性相似的。系統(tǒng)的分叉結(jié)果具有應(yīng)用價(jià)值。
本文利用滯回電阻實(shí)現(xiàn)了滯回電感,然后研究了包含該滯回電感的二階非自激動(dòng)態(tài)電路中的分叉和渾沌行為。計(jì)算機(jī)模擬和實(shí)驗(yàn)結(jié)果是定性相似的。系統(tǒng)的分叉結(jié)果具有應(yīng)用價(jià)值。
1989, 11(3): 333-336.
摘要:
本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測(cè)量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級(jí),對(duì)有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測(cè)得有多子陷阱存在,其能級(jí)位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對(duì)有源區(qū)摻Si器件深能級(jí)的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級(jí)關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對(duì)深能級(jí)有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級(jí)無(wú)明顯關(guān)系。
本文用DLTS譜儀和單脈沖瞬態(tài)電容技術(shù)測(cè)量了光通信用GaAlAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管中的深能級(jí),對(duì)有源區(qū)摻Si和摻Ge的相同結(jié)構(gòu)器件,均測(cè)得有多子陷阱存在,其能級(jí)位置分別為EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比較了外延系統(tǒng)中氧含量變化對(duì)有源區(qū)摻Si器件深能級(jí)的影響,以及有源區(qū)EL圖象中的DSD與深能級(jí)關(guān)系,結(jié)果表明外延系統(tǒng)中氧含量對(duì)深能級(jí)有明顯影響,而EL圖象中DSD的出現(xiàn)率與深能級(jí)無(wú)明顯關(guān)系。
