郵件訂閱
1988年 第10卷 第4期
1988, 10(4): 289-296.
摘要:
鄒理和(1984)提出,用線性預(yù)測誤差濾波器系數(shù)矩陣對K個二維復(fù)正弦波加白噪聲的信號作譜估計,有著良好的特性。本文將證明,二維線性預(yù)測誤差濾波器系數(shù)矩陣空間具有和相關(guān)陣空間非常類似的結(jié)構(gòu)。在系數(shù)陣空間同樣存在正交矢量譜估計方法。采用相關(guān)陣SVD逼近技術(shù),可使系數(shù)陣正交矢量方法不僅具有很高分辨率,而且具有很好的統(tǒng)計穩(wěn)定性。最后將二維的結(jié)果移植到一維,并在一維中進行了計算機模擬,模擬結(jié)果表明新方法比現(xiàn)用的一些方法為佳。
鄒理和(1984)提出,用線性預(yù)測誤差濾波器系數(shù)矩陣對K個二維復(fù)正弦波加白噪聲的信號作譜估計,有著良好的特性。本文將證明,二維線性預(yù)測誤差濾波器系數(shù)矩陣空間具有和相關(guān)陣空間非常類似的結(jié)構(gòu)。在系數(shù)陣空間同樣存在正交矢量譜估計方法。采用相關(guān)陣SVD逼近技術(shù),可使系數(shù)陣正交矢量方法不僅具有很高分辨率,而且具有很好的統(tǒng)計穩(wěn)定性。最后將二維的結(jié)果移植到一維,并在一維中進行了計算機模擬,模擬結(jié)果表明新方法比現(xiàn)用的一些方法為佳。
1988, 10(4): 297-304.
摘要:
本文定義了描述網(wǎng)絡(luò)圖回路與節(jié)點關(guān)聯(lián)狀況的矩陣D,定義了回路岔集和回路岔集矩陣。提出并證明了回路節(jié)點矩陣與節(jié)點矩陣的乘積等于回路岔集矩陣的定理。定義了回路岔集導(dǎo)納矩陣,假設(shè)回路岔集電壓矢量作為中間計算量,導(dǎo)出了回路岔集方程,并提出了對電網(wǎng)絡(luò)的回路岔集分析法。
本文定義了描述網(wǎng)絡(luò)圖回路與節(jié)點關(guān)聯(lián)狀況的矩陣D,定義了回路岔集和回路岔集矩陣。提出并證明了回路節(jié)點矩陣與節(jié)點矩陣的乘積等于回路岔集矩陣的定理。定義了回路岔集導(dǎo)納矩陣,假設(shè)回路岔集電壓矢量作為中間計算量,導(dǎo)出了回路岔集方程,并提出了對電網(wǎng)絡(luò)的回路岔集分析法。
1988, 10(4): 305-315.
摘要:
本文提出了有效關(guān)聯(lián)矩陣、升階鄰接矩陣、點的歸宿等一些新概念,對最大權(quán)匹配算法作了一些改進。上述方法已用FORTRAN語言編制成計算機程序,并在FELIX C-512機和IBM-PC機上調(diào)試通過,運行效果良好。
本文提出了有效關(guān)聯(lián)矩陣、升階鄰接矩陣、點的歸宿等一些新概念,對最大權(quán)匹配算法作了一些改進。上述方法已用FORTRAN語言編制成計算機程序,并在FELIX C-512機和IBM-PC機上調(diào)試通過,運行效果良好。
1988, 10(4): 316-321.
摘要:
本文提出一種處理反對稱結(jié)構(gòu)的電磁散射問題的廣義鏡像法,將它和數(shù)值方法相結(jié)合,可以大量節(jié)省求解散射場過程中所需要的計算機內(nèi)存和計算時間。本文就二維問題對此進行了詳細討論,并給出了計算實例。
本文提出一種處理反對稱結(jié)構(gòu)的電磁散射問題的廣義鏡像法,將它和數(shù)值方法相結(jié)合,可以大量節(jié)省求解散射場過程中所需要的計算機內(nèi)存和計算時間。本文就二維問題對此進行了詳細討論,并給出了計算實例。
1988, 10(4): 322-333.
摘要:
本文討論了用積分方程法處理不連續(xù)介質(zhì)結(jié)構(gòu)問題。先從模式匹配法出發(fā),通過一些變換和推導(dǎo),得到了相應(yīng)的散射積分方程和傳輸積分方程。給出了傳輸積分方程存在解的充要條件。這個條件實際上就是這種介質(zhì)結(jié)構(gòu)的色散方程。作為例子,導(dǎo)出了一階不連續(xù)介質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡潔解。
本文討論了用積分方程法處理不連續(xù)介質(zhì)結(jié)構(gòu)問題。先從模式匹配法出發(fā),通過一些變換和推導(dǎo),得到了相應(yīng)的散射積分方程和傳輸積分方程。給出了傳輸積分方程存在解的充要條件。這個條件實際上就是這種介質(zhì)結(jié)構(gòu)的色散方程。作為例子,導(dǎo)出了一階不連續(xù)介質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡潔解。
1988, 10(4): 334-342.
摘要:
本文討論了單模光纖特性的快速工程計算方法;編制了能夠分析任意圓對稱剖面結(jié)構(gòu)單模光纖傳輸特性的小型通用程序;給出了分析結(jié)果。本方法具有較高的精度,是一種實用的工程分析方法。
本文討論了單模光纖特性的快速工程計算方法;編制了能夠分析任意圓對稱剖面結(jié)構(gòu)單模光纖傳輸特性的小型通用程序;給出了分析結(jié)果。本方法具有較高的精度,是一種實用的工程分析方法。
1988, 10(4): 343-349.
摘要:
準光學(xué)方法有效地提高了毫米波接收系統(tǒng)在等離子體診斷中的空間分辨率。本文給出了準光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計公式、設(shè)計步驟以及測量的實驗結(jié)果。
準光學(xué)方法有效地提高了毫米波接收系統(tǒng)在等離子體診斷中的空間分辨率。本文給出了準光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計公式、設(shè)計步驟以及測量的實驗結(jié)果。
1988, 10(4): 350-359.
摘要:
本文應(yīng)用耦合波理論對微波鐵氧體器件的三種介質(zhì)加載方式進行了計算,得出了一些定量的結(jié)果,這對我們深入理解微波鐵氧體器件的介質(zhì)加載機理具有一定的意義
本文應(yīng)用耦合波理論對微波鐵氧體器件的三種介質(zhì)加載方式進行了計算,得出了一些定量的結(jié)果,這對我們深入理解微波鐵氧體器件的介質(zhì)加載機理具有一定的意義
1988, 10(4): 360-366.
摘要:
蒸涂法獲得的Si-Ni界面在室溫到800℃下熱處理,并用透射式電子顯微鏡對它進行原位研究。在化學(xué)清洗的潔凈的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。實驗表明,在真空度為110-6mmHg,溫度為650℃時,化學(xué)清洗的Si表面上生成了SiC;各種鎳硅化物的出現(xiàn)不是在某一確定溫度;在Si(111)面上外延生長鎳硅化物比在(100)面上容易。
蒸涂法獲得的Si-Ni界面在室溫到800℃下熱處理,并用透射式電子顯微鏡對它進行原位研究。在化學(xué)清洗的潔凈的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。實驗表明,在真空度為110-6mmHg,溫度為650℃時,化學(xué)清洗的Si表面上生成了SiC;各種鎳硅化物的出現(xiàn)不是在某一確定溫度;在Si(111)面上外延生長鎳硅化物比在(100)面上容易。
1988, 10(4): 367-371.
摘要:
Tustin變換(又稱雙線性變換)是數(shù)字濾波器的設(shè)計、實時數(shù)字仿真、數(shù)控及辯識等領(lǐng)域流行的方法,有關(guān)s域和z域系數(shù)值的相互計算問題前人已進行過研究,但均未建立直接的數(shù)學(xué)關(guān)系式。本文運用矩陣相乘代替多項式的相乘,再利用二項式定理以及二次型的有關(guān)結(jié)論,導(dǎo)出了s域和z域上系數(shù)值之間的數(shù)學(xué)關(guān)系式,并在這一成果的基礎(chǔ)上,建立了一個算法。
Tustin變換(又稱雙線性變換)是數(shù)字濾波器的設(shè)計、實時數(shù)字仿真、數(shù)控及辯識等領(lǐng)域流行的方法,有關(guān)s域和z域系數(shù)值的相互計算問題前人已進行過研究,但均未建立直接的數(shù)學(xué)關(guān)系式。本文運用矩陣相乘代替多項式的相乘,再利用二項式定理以及二次型的有關(guān)結(jié)論,導(dǎo)出了s域和z域上系數(shù)值之間的數(shù)學(xué)關(guān)系式,并在這一成果的基礎(chǔ)上,建立了一個算法。
1988, 10(4): 372-376.
摘要:
本文將雙柵MOSFET考慮成四極器件,以電流連續(xù)、電壓守恒為基礎(chǔ),討論了其跨導(dǎo)和漏導(dǎo)特性。所提出的分析求解方法?？赏茝V到任何雙柵結(jié)構(gòu)器件。結(jié)果表明,此方法不僅簡潔、適用性廣;而且物理概念清楚,將三極器件和四極器件的特性聯(lián)系了起來,自然地引出了雙柵器件特有的耦合概念。對于所選取的單柵模型,跨導(dǎo)、漏導(dǎo)的計算值和實驗值符合良好。
本文將雙柵MOSFET考慮成四極器件,以電流連續(xù)、電壓守恒為基礎(chǔ),討論了其跨導(dǎo)和漏導(dǎo)特性。所提出的分析求解方法?？赏茝V到任何雙柵結(jié)構(gòu)器件。結(jié)果表明,此方法不僅簡潔、適用性廣;而且物理概念清楚,將三極器件和四極器件的特性聯(lián)系了起來,自然地引出了雙柵器件特有的耦合概念。對于所選取的單柵模型,跨導(dǎo)、漏導(dǎo)的計算值和實驗值符合良好。
1988, 10(4): 377-380.
摘要:
砷化鎵材料中缺陷的不均勻分布嚴重地限制了集成電路生產(chǎn)的重復(fù)性。本文首次提出一種利用傅里葉變換頻譜圖象檢測和分析沿110和010方向上位錯缺陷的統(tǒng)計分布的方法,稱為FTIT檢驗法。文中定義的相參系數(shù)和紋理復(fù)雜系數(shù)是定量地檢驗制造集成電路材料中缺陷的重要指標。
砷化鎵材料中缺陷的不均勻分布嚴重地限制了集成電路生產(chǎn)的重復(fù)性。本文首次提出一種利用傅里葉變換頻譜圖象檢測和分析沿110和010方向上位錯缺陷的統(tǒng)計分布的方法,稱為FTIT檢驗法。文中定義的相參系數(shù)和紋理復(fù)雜系數(shù)是定量地檢驗制造集成電路材料中缺陷的重要指標。
