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1987年 第9卷 第5期
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1987, 9(5): 385-394.
摘要:
本文闡明微波網(wǎng)絡(luò)中功率波、可交換功率、功率波反射系數(shù)和廣義散射參數(shù)等的物理概念,并加以推廣。通過(guò)若干應(yīng)用實(shí)例說(shuō)明上述工具對(duì)處理微波有源網(wǎng)絡(luò)(特別是包含負(fù)阻電路)問(wèn)題的有效性。
本文闡明微波網(wǎng)絡(luò)中功率波、可交換功率、功率波反射系數(shù)和廣義散射參數(shù)等的物理概念,并加以推廣。通過(guò)若干應(yīng)用實(shí)例說(shuō)明上述工具對(duì)處理微波有源網(wǎng)絡(luò)(特別是包含負(fù)阻電路)問(wèn)題的有效性。
1987, 9(5): 395-403.
摘要:
本文介紹了一個(gè)以分析開(kāi)關(guān)電容(SC)電路為目的面向用戶(hù)的通用程序。該程序可以完成對(duì)SC電路的時(shí)域、頻域和靈敏度模擬,可以對(duì)SC電路進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化,并可以求得SC電路的傳輸極點(diǎn),且對(duì)電路的輸入信號(hào)、開(kāi)關(guān)序列、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)錄](méi)有限制,文中提出了在改進(jìn)節(jié)點(diǎn)法基礎(chǔ)上求出電路傳輸極點(diǎn)的方法,以貢獻(xiàn)的方式建立求傳輸函數(shù)對(duì)電容比的靈敏度方程,通過(guò)線(xiàn)性變換求得對(duì)電容比的靈敏度的方法和SC電路的多目標(biāo)優(yōu)化方法。最后給出了用該程序?qū)C電路進(jìn)行模擬和優(yōu)化的兩個(gè)算例。
本文介紹了一個(gè)以分析開(kāi)關(guān)電容(SC)電路為目的面向用戶(hù)的通用程序。該程序可以完成對(duì)SC電路的時(shí)域、頻域和靈敏度模擬,可以對(duì)SC電路進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化,并可以求得SC電路的傳輸極點(diǎn),且對(duì)電路的輸入信號(hào)、開(kāi)關(guān)序列、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)錄](méi)有限制,文中提出了在改進(jìn)節(jié)點(diǎn)法基礎(chǔ)上求出電路傳輸極點(diǎn)的方法,以貢獻(xiàn)的方式建立求傳輸函數(shù)對(duì)電容比的靈敏度方程,通過(guò)線(xiàn)性變換求得對(duì)電容比的靈敏度的方法和SC電路的多目標(biāo)優(yōu)化方法。最后給出了用該程序?qū)C電路進(jìn)行模擬和優(yōu)化的兩個(gè)算例。
1987, 9(5): 404-412.
摘要:
本文敘述了一個(gè)具有高準(zhǔn)確度的對(duì)數(shù)函數(shù)和通帶較寬的對(duì)數(shù)放大器。該放大器用RC充放電的指數(shù)函數(shù)和脈寬調(diào)制的方法,提高了對(duì)數(shù)函數(shù)的準(zhǔn)確度,從而可以解決天文、宇航、精確測(cè)量和通信等方面的很多關(guān)鍵問(wèn)題。 根據(jù)RC充放電電壓與時(shí)間的指數(shù)關(guān)系,再將時(shí)間用脈沖調(diào)制轉(zhuǎn)換成電壓,就構(gòu)成了輸入輸出的對(duì)數(shù)關(guān)系。使用取樣定理、香農(nóng)基礎(chǔ)信道容量公式和多級(jí)放大帶寬公式等,對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了理論分析。搭試了一個(gè)具體電路,取得了系統(tǒng)特性數(shù)據(jù),證實(shí)了該系統(tǒng)的對(duì)數(shù)函數(shù)準(zhǔn)確度可達(dá)99％以上。
本文敘述了一個(gè)具有高準(zhǔn)確度的對(duì)數(shù)函數(shù)和通帶較寬的對(duì)數(shù)放大器。該放大器用RC充放電的指數(shù)函數(shù)和脈寬調(diào)制的方法,提高了對(duì)數(shù)函數(shù)的準(zhǔn)確度,從而可以解決天文、宇航、精確測(cè)量和通信等方面的很多關(guān)鍵問(wèn)題。 根據(jù)RC充放電電壓與時(shí)間的指數(shù)關(guān)系,再將時(shí)間用脈沖調(diào)制轉(zhuǎn)換成電壓,就構(gòu)成了輸入輸出的對(duì)數(shù)關(guān)系。使用取樣定理、香農(nóng)基礎(chǔ)信道容量公式和多級(jí)放大帶寬公式等,對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了理論分析。搭試了一個(gè)具體電路,取得了系統(tǒng)特性數(shù)據(jù),證實(shí)了該系統(tǒng)的對(duì)數(shù)函數(shù)準(zhǔn)確度可達(dá)99％以上。
1987, 9(5): 413-419.
摘要:
本文討論了相關(guān)高斯噪聲自適應(yīng)非參量檢測(cè)器。當(dāng)輸入噪聲的采樣滿(mǎn)足獨(dú)立、同分布(IID)條件時(shí),不管分布是什么形式,非參量檢測(cè)器均能保持虛警概率恒定(CFAR)。但是,許多類(lèi)噪聲并不能保持IID條件,檢測(cè)器也就無(wú)法保持CFAR。本文提出一種簡(jiǎn)單、可行的自適應(yīng)非參量檢測(cè)器,能自動(dòng)調(diào)節(jié)門(mén)限,使虛警概率(Pfa)趨于恒定。這種方法的關(guān)鍵在于用遞歸濾波器的輸出值來(lái)測(cè)量噪聲的相關(guān)系數(shù)(Pd),并由此改變秩值檢測(cè)器的檢測(cè)單元的權(quán),使其Pfa趨于恒定。從而使在一定信噪比條件下發(fā)現(xiàn)概率(Pd)也趨于恒定。本文給出檢測(cè)單元加權(quán)的非參量檢測(cè)器的檢測(cè)性能和漸近性能,然后還給出自適應(yīng)非參量檢測(cè)器的近似計(jì)算方法和計(jì)算機(jī)模擬結(jié)果。
本文討論了相關(guān)高斯噪聲自適應(yīng)非參量檢測(cè)器。當(dāng)輸入噪聲的采樣滿(mǎn)足獨(dú)立、同分布(IID)條件時(shí),不管分布是什么形式,非參量檢測(cè)器均能保持虛警概率恒定(CFAR)。但是,許多類(lèi)噪聲并不能保持IID條件,檢測(cè)器也就無(wú)法保持CFAR。本文提出一種簡(jiǎn)單、可行的自適應(yīng)非參量檢測(cè)器,能自動(dòng)調(diào)節(jié)門(mén)限,使虛警概率(Pfa)趨于恒定。這種方法的關(guān)鍵在于用遞歸濾波器的輸出值來(lái)測(cè)量噪聲的相關(guān)系數(shù)(Pd),并由此改變秩值檢測(cè)器的檢測(cè)單元的權(quán),使其Pfa趨于恒定。從而使在一定信噪比條件下發(fā)現(xiàn)概率(Pd)也趨于恒定。本文給出檢測(cè)單元加權(quán)的非參量檢測(cè)器的檢測(cè)性能和漸近性能,然后還給出自適應(yīng)非參量檢測(cè)器的近似計(jì)算方法和計(jì)算機(jī)模擬結(jié)果。
1987, 9(5): 420-427.
摘要:
以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。
以反射高能電子衍射的方法研究了用Ar+離子轟擊和高溫處理技術(shù)獲得的潔凈的Si(100)和(111)面,以及在室溫下這些表面上分子束外延生長(zhǎng)鎳硅化物。實(shí)驗(yàn)獲得了Si(111)77以及它的負(fù)區(qū)衍射圖,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)同時(shí)表明,在低外延生長(zhǎng)速率下(0.150.5/min)生成的鎳硅化物的晶格結(jié)構(gòu)與硅基底的一樣。
1987, 9(5): 428-434.
摘要:
本文對(duì)液相外延生長(zhǎng)HgCdTe及其汞壓控制進(jìn)行了研究。在理論上對(duì)開(kāi)管滑動(dòng)系統(tǒng)中汞損失的影響作了分析和計(jì)算,提出了準(zhǔn)平衡汞壓的方法。在實(shí)驗(yàn)中設(shè)計(jì)制作了獨(dú)特的汞回流裝置,實(shí)現(xiàn)了對(duì)汞壓的控制。通過(guò)生長(zhǎng)工藝的條件實(shí)驗(yàn),得到了各工藝參數(shù)影響外延片性能的關(guān)系,制備出表面光亮,組分為x=0.2110.002,x=0.280.001的Hg1-xCdxTe外延片。在77K下n型(未退火)和P型外延片的遷移率分別為3.36105cm2/Vs和1.81103cm2/Vs,載流子濃度分別為1.091015cm-3和1.041016cm-3。
本文對(duì)液相外延生長(zhǎng)HgCdTe及其汞壓控制進(jìn)行了研究。在理論上對(duì)開(kāi)管滑動(dòng)系統(tǒng)中汞損失的影響作了分析和計(jì)算,提出了準(zhǔn)平衡汞壓的方法。在實(shí)驗(yàn)中設(shè)計(jì)制作了獨(dú)特的汞回流裝置,實(shí)現(xiàn)了對(duì)汞壓的控制。通過(guò)生長(zhǎng)工藝的條件實(shí)驗(yàn),得到了各工藝參數(shù)影響外延片性能的關(guān)系,制備出表面光亮,組分為x=0.2110.002,x=0.280.001的Hg1-xCdxTe外延片。在77K下n型(未退火)和P型外延片的遷移率分別為3.36105cm2/Vs和1.81103cm2/Vs,載流子濃度分別為1.091015cm-3和1.041016cm-3。
1987, 9(5): 435-440.
摘要:
用紅外電視選行掃描儀觀(guān)察由不同P型摻雜劑的外延片制成的InGaAsP/InP雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管的暗缺陷,并研究了它的來(lái)源。比較了P型摻雜劑的種類(lèi)和摻雜濃度對(duì)暗結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,摻Mg和摻In-Zn合金與重?fù)絑n器件相比,暗結(jié)構(gòu)比例明顯降低。Zn可能是暗缺陷的重要來(lái)源之一。器件在70℃,85℃條件下老化2000小時(shí)后,老化前無(wú)暗缺陷的某些器件亦有暗結(jié)構(gòu)產(chǎn)生,但其生長(zhǎng)率很慢。
用紅外電視選行掃描儀觀(guān)察由不同P型摻雜劑的外延片制成的InGaAsP/InP雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管的暗缺陷,并研究了它的來(lái)源。比較了P型摻雜劑的種類(lèi)和摻雜濃度對(duì)暗結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,摻Mg和摻In-Zn合金與重?fù)絑n器件相比,暗結(jié)構(gòu)比例明顯降低。Zn可能是暗缺陷的重要來(lái)源之一。器件在70℃,85℃條件下老化2000小時(shí)后,老化前無(wú)暗缺陷的某些器件亦有暗結(jié)構(gòu)產(chǎn)生,但其生長(zhǎng)率很慢。
1987, 9(5): 441-450.
摘要:
本文用經(jīng)典的場(chǎng)匹配方法計(jì)算了雙重入腔的本征頻率。結(jié)果表明對(duì)于漂移咀規(guī)則的重入腔,采用分區(qū)場(chǎng)匹配的經(jīng)典方法仍有明顯的優(yōu)點(diǎn),它既可以保證很高的精度,又只需要很少的計(jì)算量。
本文用經(jīng)典的場(chǎng)匹配方法計(jì)算了雙重入腔的本征頻率。結(jié)果表明對(duì)于漂移咀規(guī)則的重入腔,采用分區(qū)場(chǎng)匹配的經(jīng)典方法仍有明顯的優(yōu)點(diǎn),它既可以保證很高的精度,又只需要很少的計(jì)算量。
1987, 9(5): 451-457.
摘要:
為了穩(wěn)定而有效地探測(cè)能量范圍在0.110keV之間的軟X射線(xiàn),研制并優(yōu)化了一種高低密度夾心結(jié)構(gòu)的透射式CsI光陰極。它的光子探測(cè)效串大約是高密度透射式CsI光陰極的110倍。所測(cè)得的光電發(fā)射次級(jí)電子能量分布曲線(xiàn)與高密度CsI光陰極類(lèi)似,半極限值的全寬度(FWHM)不到2eV。由于它的量子效率高而次級(jí)電子能量分布范圍相當(dāng)窄,這種夾心結(jié)構(gòu)透射式CsI光陰極廣泛地應(yīng)用于軟X射線(xiàn)探測(cè)器和計(jì)數(shù)器,特別是軟X射線(xiàn)條紋攝相管。
為了穩(wěn)定而有效地探測(cè)能量范圍在0.110keV之間的軟X射線(xiàn),研制并優(yōu)化了一種高低密度夾心結(jié)構(gòu)的透射式CsI光陰極。它的光子探測(cè)效串大約是高密度透射式CsI光陰極的110倍。所測(cè)得的光電發(fā)射次級(jí)電子能量分布曲線(xiàn)與高密度CsI光陰極類(lèi)似,半極限值的全寬度(FWHM)不到2eV。由于它的量子效率高而次級(jí)電子能量分布范圍相當(dāng)窄,這種夾心結(jié)構(gòu)透射式CsI光陰極廣泛地應(yīng)用于軟X射線(xiàn)探測(cè)器和計(jì)數(shù)器,特別是軟X射線(xiàn)條紋攝相管。
1987, 9(5): 458-464.
摘要:
利用電子迴旋共振(ECR)的原理,在10-310-1Pa的低壓強(qiáng)下,已成功地產(chǎn)生了高活性,高密度的微波等離子體。運(yùn)用靜電探針裝置,研究了N2、Ar放電中微波功率、氣體壓強(qiáng)對(duì)等離子體參量的影響,并對(duì)放電等離子體進(jìn)行了質(zhì)譜分析。
利用電子迴旋共振(ECR)的原理,在10-310-1Pa的低壓強(qiáng)下,已成功地產(chǎn)生了高活性,高密度的微波等離子體。運(yùn)用靜電探針裝置,研究了N2、Ar放電中微波功率、氣體壓強(qiáng)對(duì)等離子體參量的影響,并對(duì)放電等離子體進(jìn)行了質(zhì)譜分析。
1987, 9(5): 465-468.
摘要:
本文對(duì)回旋管輸出窗系統(tǒng)的傳輸特性進(jìn)行了理論研究,給出了圓波導(dǎo)徑向突變的模式散射的近似公式,研究了輸出窗對(duì)工作模式的反射和寄生模式的散射的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)證實(shí)分析是合理的。
本文對(duì)回旋管輸出窗系統(tǒng)的傳輸特性進(jìn)行了理論研究,給出了圓波導(dǎo)徑向突變的模式散射的近似公式,研究了輸出窗對(duì)工作模式的反射和寄生模式的散射的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)證實(shí)分析是合理的。
1987, 9(5): 469-472.
摘要:
本文用親電性腐蝕液、靜置腐蝕法腐蝕實(shí)芯絲鉛玻璃微通道板的芯料,并用掃描電鏡和X射線(xiàn)能譜儀分析其形貌和化學(xué)成份。結(jié)果表明,用本腐蝕法可獲得內(nèi)壁光滑、增益高、噪聲低的通道板。 文中還提出了一種測(cè)量腐蝕速度的新方法。測(cè)量結(jié)果可靠、重復(fù)性好。
本文用親電性腐蝕液、靜置腐蝕法腐蝕實(shí)芯絲鉛玻璃微通道板的芯料,并用掃描電鏡和X射線(xiàn)能譜儀分析其形貌和化學(xué)成份。結(jié)果表明,用本腐蝕法可獲得內(nèi)壁光滑、增益高、噪聲低的通道板。 文中還提出了一種測(cè)量腐蝕速度的新方法。測(cè)量結(jié)果可靠、重復(fù)性好。
1987, 9(5): 473-476.
摘要:
本文介紹了一種制作變厚超導(dǎo)微橋的新方法。用此方法變厚超導(dǎo)微橋通過(guò)一次光刻、用三個(gè)坩堝、不必打開(kāi)鍍膜機(jī)就能制成。利用普通接觸式紫外曝光設(shè)備和斜蒸發(fā)技術(shù),使橋區(qū)達(dá)到亞微米尺寸。并獲得了無(wú)迴滯的直流I-V特性。
本文介紹了一種制作變厚超導(dǎo)微橋的新方法。用此方法變厚超導(dǎo)微橋通過(guò)一次光刻、用三個(gè)坩堝、不必打開(kāi)鍍膜機(jī)就能制成。利用普通接觸式紫外曝光設(shè)備和斜蒸發(fā)技術(shù),使橋區(qū)達(dá)到亞微米尺寸。并獲得了無(wú)迴滯的直流I-V特性。
1987, 9(5): 477-480.
摘要:
本文介紹了利用電子束成象在硅襯底上的薄二氧化硅膜中制作圖形的一種新方法。所得的電子象,利用聚脂型反應(yīng)媒介物并通過(guò)氫氟酸汽相腐蝕,不僅可以在二氧化硅膜上形成正圖形,而且可以形成負(fù)圖形。
本文介紹了利用電子束成象在硅襯底上的薄二氧化硅膜中制作圖形的一種新方法。所得的電子象,利用聚脂型反應(yīng)媒介物并通過(guò)氫氟酸汽相腐蝕,不僅可以在二氧化硅膜上形成正圖形,而且可以形成負(fù)圖形。
