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1987年 第9卷 第2期
1987, 9(2): 97-106.
摘要:
本文論述了瞬態(tài)電磁場用于目標識別的一種新方法,給出了激勵目標的單模散射場的基本理論及其數(shù)學推導過程。把這一理論用于線性目標和導電球體,已獲得了較為滿意的結果,給出了計算目標沖擊響應得到的有用的結論。最后提出了一個實際可行的,在時域中測試目標沖擊響應的方案。實驗證明這一方案是可行的。
本文論述了瞬態(tài)電磁場用于目標識別的一種新方法,給出了激勵目標的單模散射場的基本理論及其數(shù)學推導過程。把這一理論用于線性目標和導電球體,已獲得了較為滿意的結果,給出了計算目標沖擊響應得到的有用的結論。最后提出了一個實際可行的,在時域中測試目標沖擊響應的方案。實驗證明這一方案是可行的。
1987, 9(2): 107-115.
摘要:
本文研究了在確定的觀察時間內,在有色高斯噪聲中離散時間檢測和估計的性能與樣本數(shù)之間的關系。指出相鄰樣本之間相關系數(shù)在0.10.2范圍內,廣義信噪比就能相當接近極限值S2(T)。在討論二階相關噪聲時指出,由二階微分方程描寫的高斯過程的樣本序列一般不是AR(2)模型,但是當樣本間隔△0時,卻可用AR(2)模型近似描寫序列,因此求極限信噪比時,可以較簡便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估計與似然比檢驗之間和兩者的性能測度之間的聯(lián)系。
本文研究了在確定的觀察時間內,在有色高斯噪聲中離散時間檢測和估計的性能與樣本數(shù)之間的關系。指出相鄰樣本之間相關系數(shù)在0.10.2范圍內,廣義信噪比就能相當接近極限值S2(T)。在討論二階相關噪聲時指出,由二階微分方程描寫的高斯過程的樣本序列一般不是AR(2)模型,但是當樣本間隔△0時,卻可用AR(2)模型近似描寫序列,因此求極限信噪比時,可以較簡便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估計與似然比檢驗之間和兩者的性能測度之間的聯(lián)系。
1987, 9(2): 116-124.
摘要:
本文討論E/D NMOS斬波穩(wěn)零運算放大器的設計方法,著重分析了斬波穩(wěn)零運算放大器的失調因素,并導出了計算公式。 電路設計利用SPICE-Ⅱ程序進行了計算機模擬,樣片的測試結果與分析結果一致。
本文討論E/D NMOS斬波穩(wěn)零運算放大器的設計方法,著重分析了斬波穩(wěn)零運算放大器的失調因素,并導出了計算公式。 電路設計利用SPICE-Ⅱ程序進行了計算機模擬,樣片的測試結果與分析結果一致。
1987, 9(2): 125-134.
摘要:
開關電容濾波器(SCF)在集成電路中占有極為重要的地位,它具有集成度高,設計精度高,溫度穩(wěn)定性好,并可采用成熟的MOS工藝實現(xiàn)等優(yōu)點,為了提高電路設計的效率和準確性,計算機輔助分析受到越來越多的重視。 本文采用SPICE電路模擬程序和等效電路變換方法,討論了對SCF電路進行計算機輔助分析的步驟和方法,并用此方法設計了一個用于脈碼調制(PCM)電話系統(tǒng)的D3通道的五階橢圓低通濾波器,所得結果與傳輸函數(shù)結果一致。
開關電容濾波器(SCF)在集成電路中占有極為重要的地位,它具有集成度高,設計精度高,溫度穩(wěn)定性好,并可采用成熟的MOS工藝實現(xiàn)等優(yōu)點,為了提高電路設計的效率和準確性,計算機輔助分析受到越來越多的重視。 本文采用SPICE電路模擬程序和等效電路變換方法,討論了對SCF電路進行計算機輔助分析的步驟和方法,并用此方法設計了一個用于脈碼調制(PCM)電話系統(tǒng)的D3通道的五階橢圓低通濾波器,所得結果與傳輸函數(shù)結果一致。
1987, 9(2): 135-139.
摘要:
本文提出了一種測定放電消電離時間以確定等離子體電子溫度的方法。給出了實驗裝置簡圖和實驗結果。所得結果的數(shù)值與探針測量結果比較一致,表明這種方法是簡易可行的。
本文提出了一種測定放電消電離時間以確定等離子體電子溫度的方法。給出了實驗裝置簡圖和實驗結果。所得結果的數(shù)值與探針測量結果比較一致,表明這種方法是簡易可行的。
1987, 9(2): 140-148.
摘要:
本文推導了兩種類型的多極靜電偏轉器在無窮長情況下場分布的普遍解;提供了多極靜電偏轉器在光軸附近獲得均勻偏轉場的方法;計算了六種實用的多極靜偏器,給出了有關公式和數(shù)據(jù),分析了兩種多極靜偏器之間的聯(lián)系和區(qū)別。
本文推導了兩種類型的多極靜電偏轉器在無窮長情況下場分布的普遍解;提供了多極靜電偏轉器在光軸附近獲得均勻偏轉場的方法;計算了六種實用的多極靜偏器,給出了有關公式和數(shù)據(jù),分析了兩種多極靜偏器之間的聯(lián)系和區(qū)別。
1987, 9(2): 149-155.
摘要:
本文報道研究擴散摻鈦的硅中深能級的結果。用DLTS法觀測到三個與鈦有關的深能級,即在n-Si(Ti)中有二個電子陷阱,能級位置分別為Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一個空穴陷阱,能級位置為Ev+0.32eV。詳細的電容瞬態(tài)研究得到了這些能級在一定測試溫度范圍內的熱激活能和俘獲截面以及其它有關參量。本文還就測量結果對能級的鍵合性質和釘扎于那一能帶做了討論。
本文報道研究擴散摻鈦的硅中深能級的結果。用DLTS法觀測到三個與鈦有關的深能級,即在n-Si(Ti)中有二個電子陷阱,能級位置分別為Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一個空穴陷阱,能級位置為Ev+0.32eV。詳細的電容瞬態(tài)研究得到了這些能級在一定測試溫度范圍內的熱激活能和俘獲截面以及其它有關參量。本文還就測量結果對能級的鍵合性質和釘扎于那一能帶做了討論。
1987, 9(2): 156-160.
摘要:
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作擴散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的擴散。給出了擴散溫度和擴散時間,擴散源的種類和材料的組份對xj-t1/2關系的影響,Zn在InxGa1-xAs中的擴散速度(xj2/t)較Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面濃度為1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面濃度較在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m發(fā)光管的接觸層可使接觸電阻降低。
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作擴散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的擴散。給出了擴散溫度和擴散時間,擴散源的種類和材料的組份對xj-t1/2關系的影響,Zn在InxGa1-xAs中的擴散速度(xj2/t)較Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面濃度為1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面濃度較在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m發(fā)光管的接觸層可使接觸電阻降低。
1987, 9(2): 161-164.
摘要:
一個穩(wěn)定的光陰極表面層是獲得一個穩(wěn)定的長壽命光陰極的必不可少的條件。由于反射式GaAs(Cs,F)光陰極用氟代替氧進行表面激活,氟的強烈的電負性使得表面層的穩(wěn)定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光陰極的壽命達到8500小時。除此之外,它的工藝重復性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光陰極的好。
一個穩(wěn)定的光陰極表面層是獲得一個穩(wěn)定的長壽命光陰極的必不可少的條件。由于反射式GaAs(Cs,F)光陰極用氟代替氧進行表面激活,氟的強烈的電負性使得表面層的穩(wěn)定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光陰極的壽命達到8500小時。除此之外,它的工藝重復性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光陰極的好。
1987, 9(2): 165-171.
摘要:
赫芝(Hertz)于1887年發(fā)現(xiàn)光電發(fā)射效應,為了紀念光電發(fā)射效應發(fā)現(xiàn)100周年,本文對實用光陰極的發(fā)展歷史作一簡單的回顧,并對其現(xiàn)況作扼要的評述。
赫芝(Hertz)于1887年發(fā)現(xiàn)光電發(fā)射效應,為了紀念光電發(fā)射效應發(fā)現(xiàn)100周年,本文對實用光陰極的發(fā)展歷史作一簡單的回顧,并對其現(xiàn)況作扼要的評述。
1987, 9(2): 172-175.
摘要:
本文進一步討論了作者(1986)提出的雙△函數(shù)逆問題,并提出了剔除卷積核譜零點的具體做法。
本文進一步討論了作者(1986)提出的雙△函數(shù)逆問題,并提出了剔除卷積核譜零點的具體做法。
1987, 9(2): 176-180.
摘要:
本文研究了雙向負阻晶體管(BNRT)張弛振蕩器的分段線性(具有四段折線和三段折線)動力學模型。給出了電路和動態(tài)方程。討論了張弛振蕩器的一些性質。實驗結果與計算結果一致,表明這種動力學模型是適當而有效的。
本文研究了雙向負阻晶體管(BNRT)張弛振蕩器的分段線性(具有四段折線和三段折線)動力學模型。給出了電路和動態(tài)方程。討論了張弛振蕩器的一些性質。實驗結果與計算結果一致,表明這種動力學模型是適當而有效的。
1987, 9(2): 181-187.
摘要:
本文介紹了一種根據(jù)狀態(tài)轉換圖直接設計時序電路的實用方法。此方法具有許多優(yōu)點,特別適用于多個輸入和多個狀態(tài)的情況。
本文介紹了一種根據(jù)狀態(tài)轉換圖直接設計時序電路的實用方法。此方法具有許多優(yōu)點,特別適用于多個輸入和多個狀態(tài)的情況。
1987, 9(2): 188-192.
摘要:
本文闡述了波紋圓錐喇叭的多頻段工作原理,并介紹了一個至少能在4,6和11 GHz三個頻段共用的波紋圓錐喇叭。此喇叭在4,6 GHz頻段的交叉極化峰值優(yōu)于-25dB,在11GHz頻段的幅度方向圖性能優(yōu)良。理論和實踐表明,使用不止在一個工作區(qū)工作的波紋圓錐喇叭可以實現(xiàn)多頻段共用的饋源喇叭。
本文闡述了波紋圓錐喇叭的多頻段工作原理,并介紹了一個至少能在4,6和11 GHz三個頻段共用的波紋圓錐喇叭。此喇叭在4,6 GHz頻段的交叉極化峰值優(yōu)于-25dB,在11GHz頻段的幅度方向圖性能優(yōu)良。理論和實踐表明,使用不止在一個工作區(qū)工作的波紋圓錐喇叭可以實現(xiàn)多頻段共用的饋源喇叭。
