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1986年 第8卷 第3期
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1986, 8(3): 161-168.
摘要:
本文提出了一種用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的互補(bǔ)型復(fù)合跟隨器構(gòu)成高Q模擬電感電路和低耗電容倍增器的新方案。這種電感電路和電容倍增器與以往的相比,它們具有電路簡(jiǎn)單、只用一組電源、溫度特性可以互補(bǔ)、適于制作低頻段的高感值電感電路和低耗電容倍增器(由于復(fù)合跟隨器輸入阻抗高)等優(yōu)點(diǎn)。文中分析了這種模擬電感電路和低耗電容倍增器的工作原理;找出了模擬電感電路的Q與(角頻率)、Q與r(補(bǔ)償電阻);電容倍增器的Q與r、(電容倍增系數(shù))與r、Re(損耗電阻)與r的關(guān)系;同時(shí)還介紹了這種模擬電感電路和電容倍增器的設(shè)計(jì)方法;并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。最后,導(dǎo)出了這種模擬電感電路的Q值靈敏度的表達(dá)式,給出了這種模擬電感電路應(yīng)用的例子。
本文提出了一種用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的互補(bǔ)型復(fù)合跟隨器構(gòu)成高Q模擬電感電路和低耗電容倍增器的新方案。這種電感電路和電容倍增器與以往的相比,它們具有電路簡(jiǎn)單、只用一組電源、溫度特性可以互補(bǔ)、適于制作低頻段的高感值電感電路和低耗電容倍增器(由于復(fù)合跟隨器輸入阻抗高)等優(yōu)點(diǎn)。文中分析了這種模擬電感電路和低耗電容倍增器的工作原理;找出了模擬電感電路的Q與(角頻率)、Q與r(補(bǔ)償電阻);電容倍增器的Q與r、(電容倍增系數(shù))與r、Re(損耗電阻)與r的關(guān)系;同時(shí)還介紹了這種模擬電感電路和電容倍增器的設(shè)計(jì)方法;并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。最后,導(dǎo)出了這種模擬電感電路的Q值靈敏度的表達(dá)式,給出了這種模擬電感電路應(yīng)用的例子。
1986, 8(3): 169-179.
摘要:
本文利用蒙特卡羅法估計(jì)電路產(chǎn)品合格率對(duì)元件參數(shù)中心值的一、二階偏導(dǎo)數(shù),再與牛頓最優(yōu)化方法結(jié)合得到了一個(gè)電路中心設(shè)計(jì)的算法,為了提高偏導(dǎo)數(shù)估計(jì)值的精度,文中又給出了利用失敗樣本點(diǎn)的估計(jì)式。為了減少電路分析次數(shù),作者提出了適用于蒙特卡羅分析的采樣頻率按權(quán)排序法,理論分析和算例表明:本文算法是成功的,適用于非凸、非單連通可行域,可進(jìn)行中等規(guī)模電路的產(chǎn)品合格率估計(jì)和中心設(shè)計(jì)。
本文利用蒙特卡羅法估計(jì)電路產(chǎn)品合格率對(duì)元件參數(shù)中心值的一、二階偏導(dǎo)數(shù),再與牛頓最優(yōu)化方法結(jié)合得到了一個(gè)電路中心設(shè)計(jì)的算法,為了提高偏導(dǎo)數(shù)估計(jì)值的精度,文中又給出了利用失敗樣本點(diǎn)的估計(jì)式。為了減少電路分析次數(shù),作者提出了適用于蒙特卡羅分析的采樣頻率按權(quán)排序法,理論分析和算例表明:本文算法是成功的,適用于非凸、非單連通可行域,可進(jìn)行中等規(guī)模電路的產(chǎn)品合格率估計(jì)和中心設(shè)計(jì)。
1986, 8(3): 180-187.
摘要:
在密特拉(R.Mittra)等作者(1979)對(duì)圓投影口徑面天線所做工作的基礎(chǔ)上,本文利用修正的雅可比多項(xiàng)式的獨(dú)特遞推關(guān)系,將面天線分析中的雅可比-貝塞爾級(jí)數(shù)方法推廣到橢圓投影口徑拋物面天線的遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)計(jì)算中。同時(shí)導(dǎo)出了級(jí)數(shù)展開(kāi)系數(shù)pBmn的一層新的部分遞推關(guān)系,使數(shù)值積分所用機(jī)時(shí)降低為原來(lái)的三分之一左右。
在密特拉(R.Mittra)等作者(1979)對(duì)圓投影口徑面天線所做工作的基礎(chǔ)上,本文利用修正的雅可比多項(xiàng)式的獨(dú)特遞推關(guān)系,將面天線分析中的雅可比-貝塞爾級(jí)數(shù)方法推廣到橢圓投影口徑拋物面天線的遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)計(jì)算中。同時(shí)導(dǎo)出了級(jí)數(shù)展開(kāi)系數(shù)pBmn的一層新的部分遞推關(guān)系,使數(shù)值積分所用機(jī)時(shí)降低為原來(lái)的三分之一左右。
1986, 8(3): 188-195.
摘要:
本文給出了在直、柱和球坐標(biāo)系中的規(guī)則邊界條件下的M和N類矢量波函數(shù)及其歸一化積分的普遍形式,并由此得到了相應(yīng)的格林函數(shù)的普遍形式。
本文給出了在直、柱和球坐標(biāo)系中的規(guī)則邊界條件下的M和N類矢量波函數(shù)及其歸一化積分的普遍形式,并由此得到了相應(yīng)的格林函數(shù)的普遍形式。
1986, 8(3): 196-203.
摘要:
本文是研究圓形波導(dǎo)有源區(qū)域并矢格林函數(shù)(DGF)的計(jì)算及其普遍性質(zhì)的第Ⅱ部分。文中首先導(dǎo)出圓形波導(dǎo)中麥克斯韋方程的邊界條件的并矢形式,并證明了圓形波導(dǎo)中橫向電流源本征函數(shù)展開(kāi)的完備性定理,然后驗(yàn)證作者1984年在另一文中解得的圓形波導(dǎo)有源區(qū)域DGF是否滿足有源并矢麥克斯韋方程和電流連續(xù)性原理。文未給出了圓形波導(dǎo)有源區(qū)域電磁場(chǎng)的計(jì)算公式。
本文是研究圓形波導(dǎo)有源區(qū)域并矢格林函數(shù)(DGF)的計(jì)算及其普遍性質(zhì)的第Ⅱ部分。文中首先導(dǎo)出圓形波導(dǎo)中麥克斯韋方程的邊界條件的并矢形式,并證明了圓形波導(dǎo)中橫向電流源本征函數(shù)展開(kāi)的完備性定理,然后驗(yàn)證作者1984年在另一文中解得的圓形波導(dǎo)有源區(qū)域DGF是否滿足有源并矢麥克斯韋方程和電流連續(xù)性原理。文未給出了圓形波導(dǎo)有源區(qū)域電磁場(chǎng)的計(jì)算公式。
1986, 8(3): 204-208.
摘要:
本文提出了一種新的多能量離子注入的計(jì)算方法等效面積法。應(yīng)用這一方法可按器件的特殊要求,任意設(shè)計(jì)各種濃度分布。 本文應(yīng)用這一方法,設(shè)計(jì)和計(jì)算了具有矩形雜質(zhì)分布的Si-RAPD器件,具有低一高一低特殊分布的Si-RAPD和具有馬頭型結(jié)構(gòu)的 GaAs M-ESPET器件,IMPATT器件,均得到了較為滿意的結(jié)果。還對(duì)用這一方法設(shè)計(jì)新型器件的前景作了預(yù)測(cè),最后把本文的計(jì)算結(jié)果與本納德(R.H.Benhard)(1977)的實(shí)測(cè)值作了比較,結(jié)果是令人滿意的。
本文提出了一種新的多能量離子注入的計(jì)算方法等效面積法。應(yīng)用這一方法可按器件的特殊要求,任意設(shè)計(jì)各種濃度分布。 本文應(yīng)用這一方法,設(shè)計(jì)和計(jì)算了具有矩形雜質(zhì)分布的Si-RAPD器件,具有低一高一低特殊分布的Si-RAPD和具有馬頭型結(jié)構(gòu)的 GaAs M-ESPET器件,IMPATT器件,均得到了較為滿意的結(jié)果。還對(duì)用這一方法設(shè)計(jì)新型器件的前景作了預(yù)測(cè),最后把本文的計(jì)算結(jié)果與本納德(R.H.Benhard)(1977)的實(shí)測(cè)值作了比較,結(jié)果是令人滿意的。
1986, 8(3): 209-216.
摘要:
本文利用蒙特卡羅模擬給出了電子束光刻中 30、50、100 keV 電子束垂直入射到厚襯底硅上的薄膜(0.4m)電子抗蝕劑聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模擬了理想點(diǎn)源和高斯圓束點(diǎn)源電子束情況下的膜中的徑向散射和能耗,包括來(lái)自襯底的背散射,計(jì)算的電子數(shù)為三萬(wàn)到五萬(wàn)個(gè)。
本文利用蒙特卡羅模擬給出了電子束光刻中 30、50、100 keV 電子束垂直入射到厚襯底硅上的薄膜(0.4m)電子抗蝕劑聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模擬了理想點(diǎn)源和高斯圓束點(diǎn)源電子束情況下的膜中的徑向散射和能耗,包括來(lái)自襯底的背散射,計(jì)算的電子數(shù)為三萬(wàn)到五萬(wàn)個(gè)。
1986, 8(3): 217-222.
摘要:
本文用光電導(dǎo)歸一化法得出 -Si:H膜在低吸收區(qū)的光吸收系數(shù)譜;用電子從價(jià)帶的指數(shù)尾態(tài)和導(dǎo)帶邊以下1.0 eV處,由懸掛鍵形成的局域態(tài)到導(dǎo)帶擴(kuò)展態(tài)的躍遷,解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果;并從而得出費(fèi)米能級(jí)EF以下的隙態(tài)密度,通過(guò)對(duì)復(fù)合動(dòng)力學(xué)的研究,還得到費(fèi)米能級(jí)以上(EFn-EF)的局域態(tài)密度的平均值,從而得出費(fèi)米能級(jí)以上部份的態(tài)密度。結(jié)果表明導(dǎo)帶尾比價(jià)帶尾窄。
本文用光電導(dǎo)歸一化法得出 -Si:H膜在低吸收區(qū)的光吸收系數(shù)譜;用電子從價(jià)帶的指數(shù)尾態(tài)和導(dǎo)帶邊以下1.0 eV處,由懸掛鍵形成的局域態(tài)到導(dǎo)帶擴(kuò)展態(tài)的躍遷,解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果;并從而得出費(fèi)米能級(jí)EF以下的隙態(tài)密度,通過(guò)對(duì)復(fù)合動(dòng)力學(xué)的研究,還得到費(fèi)米能級(jí)以上(EFn-EF)的局域態(tài)密度的平均值,從而得出費(fèi)米能級(jí)以上部份的態(tài)密度。結(jié)果表明導(dǎo)帶尾比價(jià)帶尾窄。
1986, 8(3): 223-227.
摘要:
正 一、簡(jiǎn)單的回顧 到目前為止,對(duì)背射天線具有高增益輻射特性的理論分析和物理解釋已有多種,但說(shuō)法各異。本文根據(jù)文獻(xiàn)[1]的基本理論:背射天線可以近似地等效于曲面反射器天線,它具有等效焦點(diǎn)和等效焦距,并有下列關(guān)系式
正 一、簡(jiǎn)單的回顧 到目前為止,對(duì)背射天線具有高增益輻射特性的理論分析和物理解釋已有多種,但說(shuō)法各異。本文根據(jù)文獻(xiàn)[1]的基本理論:背射天線可以近似地等效于曲面反射器天線,它具有等效焦點(diǎn)和等效焦距,并有下列關(guān)系式
1986, 8(3): 228-234.
摘要:
正 PAL制電視信號(hào)編碼采用的是頻譜交熾原理,如果仍利用以往的Y-C分離方法就難以達(dá)到完善的分離,會(huì)在圖像上形成Y、C成分間的相互串?dāng)_,造成失真以及亮度和色度細(xì)節(jié)的損失。為了充分挖掘PAL制的潛力,獲得高質(zhì)量的重顯圖像,研究適合于此制式的、行之有效并易于實(shí)現(xiàn)的、新的Y-C分離方式是有實(shí)際意義的
正 PAL制電視信號(hào)編碼采用的是頻譜交熾原理,如果仍利用以往的Y-C分離方法就難以達(dá)到完善的分離,會(huì)在圖像上形成Y、C成分間的相互串?dāng)_,造成失真以及亮度和色度細(xì)節(jié)的損失。為了充分挖掘PAL制的潛力,獲得高質(zhì)量的重顯圖像,研究適合于此制式的、行之有效并易于實(shí)現(xiàn)的、新的Y-C分離方式是有實(shí)際意義的
1986, 8(3): 235-240.
摘要:
正 一、前言 Cu-Al-Mg合金是一種新型的次級(jí)電子發(fā)射材料。這種合金最大的優(yōu)點(diǎn)是不用專門活化處理就具有優(yōu)良的次級(jí)發(fā)射性能。 眾所周知,金屬的次級(jí)發(fā)射系數(shù)是比較低的,最高也只有1.8;氧化物則具有較高的次級(jí)發(fā)射系數(shù),如MgO的發(fā)射系數(shù)可大于8。合金型次級(jí)發(fā)射體,如Cu-Be等經(jīng)過(guò)專門
正 一、前言 Cu-Al-Mg合金是一種新型的次級(jí)電子發(fā)射材料。這種合金最大的優(yōu)點(diǎn)是不用專門活化處理就具有優(yōu)良的次級(jí)發(fā)射性能。 眾所周知,金屬的次級(jí)發(fā)射系數(shù)是比較低的,最高也只有1.8;氧化物則具有較高的次級(jí)發(fā)射系數(shù),如MgO的發(fā)射系數(shù)可大于8。合金型次級(jí)發(fā)射體,如Cu-Be等經(jīng)過(guò)專門
