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1985年 第7卷 第5期
1985, 7(5): 323-328.
摘要:
用目前國際上最靈敏的一種微光攝像機電子倍增硅靶微光攝像機對笛形空心陰極放電的著火過程進行了觀祭研究;對光發(fā)展的機理提出了理論解釋;判明了放電的發(fā)展存在兩個階段,即陽極與陰極管外空間的自持暗放電階段和放電通過小孔進入陰極管內的階段。對應于這兩個階段,存在兩個過程,即小孔周圍金屬表面上的過程和陰極內表面上的過程。根據(jù)上述結果,對目前流行的笛形空心陰極的幾何參數(shù)設計準則進行了討論。
用目前國際上最靈敏的一種微光攝像機電子倍增硅靶微光攝像機對笛形空心陰極放電的著火過程進行了觀祭研究;對光發(fā)展的機理提出了理論解釋;判明了放電的發(fā)展存在兩個階段,即陽極與陰極管外空間的自持暗放電階段和放電通過小孔進入陰極管內的階段。對應于這兩個階段,存在兩個過程,即小孔周圍金屬表面上的過程和陰極內表面上的過程。根據(jù)上述結果,對目前流行的笛形空心陰極的幾何參數(shù)設計準則進行了討論。
1985, 7(5): 329-340.
摘要:
本文從動力學理論出發(fā),闡述了特征線積分的意義。深入討論了平衡分布函數(shù)f0在定量分析中的作用及其對分析結果的巨大影響。利用波導軸坐標系結合單動量環(huán)形電子注與圓波導中TEmn場的互作用作為例子,嚴格地導出了色散方程。同時從特征線積分和變量體系等方面對文獻[1]介紹的方法所存在的問題進行了評述。
本文從動力學理論出發(fā),闡述了特征線積分的意義。深入討論了平衡分布函數(shù)f0在定量分析中的作用及其對分析結果的巨大影響。利用波導軸坐標系結合單動量環(huán)形電子注與圓波導中TEmn場的互作用作為例子,嚴格地導出了色散方程。同時從特征線積分和變量體系等方面對文獻[1]介紹的方法所存在的問題進行了評述。
1985, 7(5): 341-347.
摘要:
基于線性函數(shù)空間理論的矩量法不僅適用于電磁場問題的數(shù)值計算,而且適用于解析法求解電磁場間題。本文分析了用本征函數(shù)作試函數(shù)和展開函數(shù)時的標量波動方程和泊松方程的反演形式,得到了一個很簡單的對于各種邊界條件普遍適用的公式。這一公式不僅適用于求解標量波動方程和泊松方程,而且只要稍加修改還可適用于解矢量波動方程問題,即求普遍形式的電磁場的激勵問題。
基于線性函數(shù)空間理論的矩量法不僅適用于電磁場問題的數(shù)值計算,而且適用于解析法求解電磁場間題。本文分析了用本征函數(shù)作試函數(shù)和展開函數(shù)時的標量波動方程和泊松方程的反演形式,得到了一個很簡單的對于各種邊界條件普遍適用的公式。這一公式不僅適用于求解標量波動方程和泊松方程,而且只要稍加修改還可適用于解矢量波動方程問題,即求普遍形式的電磁場的激勵問題。
1985, 7(5): 348-355.
摘要:
本文從夫累涅爾-基爾霍夫標量衍射場方程出發(fā),證明了任意形狀的并饋口徑天線在任意口徑幅度分布時的沖激響應和端饋矩形口徑天線在任意口徑幅度分布時的沖激響應都可以用口徑幅度分布表達出來;而矩形口徑天線在口徑分布可分離時的沖激響應和圓形口徑天線在口徑分布圓對稱時的沖激響應則為上述一般情況的特例。
本文從夫累涅爾-基爾霍夫標量衍射場方程出發(fā),證明了任意形狀的并饋口徑天線在任意口徑幅度分布時的沖激響應和端饋矩形口徑天線在任意口徑幅度分布時的沖激響應都可以用口徑幅度分布表達出來;而矩形口徑天線在口徑分布可分離時的沖激響應和圓形口徑天線在口徑分布圓對稱時的沖激響應則為上述一般情況的特例。
1985, 7(5): 356-365.
摘要:
本文中,(1)引入了廣義混合基的概念,將作者在1982年提出的混合法推廣成廣義混合法;(2)引入了廣義分裂法的概念,建立了廣義混合法與廣義分裂法之間的一一對應關系,從而統(tǒng)一了混合法與分裂法;(3)提出了多級廣義分裂法及其算法;(4)提出了基本分裂法中等效樹-花形網(wǎng)絡和尊效互聯(lián)網(wǎng)絡的概念。
本文中,(1)引入了廣義混合基的概念,將作者在1982年提出的混合法推廣成廣義混合法;(2)引入了廣義分裂法的概念,建立了廣義混合法與廣義分裂法之間的一一對應關系,從而統(tǒng)一了混合法與分裂法;(3)提出了多級廣義分裂法及其算法;(4)提出了基本分裂法中等效樹-花形網(wǎng)絡和尊效互聯(lián)網(wǎng)絡的概念。
1985, 7(5): 366-373.
摘要:
本文給出了非線性電路直流故障模擬的一種有效算法。它利用豪斯霍爾德變換和分塊矩陣的方法。盡可能地減少了故障模擬的運算量。本算法也適用于非線性電路的直流分析。
本文給出了非線性電路直流故障模擬的一種有效算法。它利用豪斯霍爾德變換和分塊矩陣的方法。盡可能地減少了故障模擬的運算量。本算法也適用于非線性電路的直流分析。
1985, 7(5): 374-380.
摘要:
本文報道了UHF頻段小型低噪聲GaAs MESFET放大器的設計考慮、射頻性能和試驗結果。采用特殊的匹配網(wǎng)絡和CAD技術使電路達到小型化和最佳化。設計的二級700MHz和三級1000MHz放大器均制作在50600.8mm3的陶瓷基片上。其射頻性能分別為:功率增益GP為25dB(最佳29dB)和30dB,噪聲系數(shù)NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,帶寬W約為40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器裝成的衛(wèi)星直播電視接收機,接收圖像清晰,伴音音質良好。
本文報道了UHF頻段小型低噪聲GaAs MESFET放大器的設計考慮、射頻性能和試驗結果。采用特殊的匹配網(wǎng)絡和CAD技術使電路達到小型化和最佳化。設計的二級700MHz和三級1000MHz放大器均制作在50600.8mm3的陶瓷基片上。其射頻性能分別為:功率增益GP為25dB(最佳29dB)和30dB,噪聲系數(shù)NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,帶寬W約為40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器裝成的衛(wèi)星直播電視接收機,接收圖像清晰,伴音音質良好。
1985, 7(5): 381-384.
摘要:
本文介紹利用位移法測定光場的相位分布,測量精度可達1.5。該法適合于高精度光學元件的無接觸測量和其他特殊光場相位分布的測量。
本文介紹利用位移法測定光場的相位分布,測量精度可達1.5。該法適合于高精度光學元件的無接觸測量和其他特殊光場相位分布的測量。
1985, 7(5): 385-390.
摘要:
正 1.引言 微波功率分配器和開關在微波工程上都有許多應用,但兩者不能兼容。W.L.Teeter等人提出的任意分配比的功率分配器,無論是在性能上,還是在結構上都比早期工程上應用的有很大的提高。但仍然不能實現(xiàn)不同狀態(tài)下功率分配比的快速轉換。文中也未給出完整的分析。本文介紹的任意功率分配比的微波開關(以下簡稱開關),與文獻[1]給出的不全相同,它是分配器和開關的組合。它具有可變的任意功率分配比和在不同狀態(tài)(如寬、窄波束功率分配比;發(fā)射、接收等不同狀態(tài))下快速轉換的多功能組件。 開關是作為某種機載雷達的波束轉換開關而研制的,因為原鐵氧體波束轉換開關
正 1.引言 微波功率分配器和開關在微波工程上都有許多應用,但兩者不能兼容。W.L.Teeter等人提出的任意分配比的功率分配器,無論是在性能上,還是在結構上都比早期工程上應用的有很大的提高。但仍然不能實現(xiàn)不同狀態(tài)下功率分配比的快速轉換。文中也未給出完整的分析。本文介紹的任意功率分配比的微波開關(以下簡稱開關),與文獻[1]給出的不全相同,它是分配器和開關的組合。它具有可變的任意功率分配比和在不同狀態(tài)(如寬、窄波束功率分配比;發(fā)射、接收等不同狀態(tài))下快速轉換的多功能組件。 開關是作為某種機載雷達的波束轉換開關而研制的,因為原鐵氧體波束轉換開關
1985, 7(5): 391-392.
摘要:
正 陶瓷濾波器材料的kp值需要從15％到75％形成系列。而低kp值材料的QM值必須在3500以上,頻率穩(wěn)定度(△f/f)必須優(yōu)于0.01％才有使用價值。為此,我們在kp值為20％的材料基礎上,進行了kp值為15％的材料的研制
正 陶瓷濾波器材料的kp值需要從15％到75％形成系列。而低kp值材料的QM值必須在3500以上,頻率穩(wěn)定度(△f/f)必須優(yōu)于0.01％才有使用價值。為此,我們在kp值為20％的材料基礎上,進行了kp值為15％的材料的研制
1985, 7(5): 393-394.
摘要:
正 利用集成工藝,Knerr等人首先研制成功L波段薄膜型集總元件的鐵氧體環(huán)行器。其后,很多人用稍異的工藝,以類似的結構,相繼做出性能良好的同類器件。薄膜型集總元件環(huán)行器的電路示意圖見圖1,其核心部分是一個非互易結。這個結是由在一塊拋光的微波鐵氧體基片上,采用絕緣交迭工藝制造成的三個互相交迭、彼此絕緣、并相間120的電感線圈所構成。圖1示出的12個相互交叉交迭點是分別用ZrO2空氣雙層介質或單層空氣介質作絕緣隔離層制成的。前者工藝過于繁難,后者則使器件承受不了較大
正 利用集成工藝,Knerr等人首先研制成功L波段薄膜型集總元件的鐵氧體環(huán)行器。其后,很多人用稍異的工藝,以類似的結構,相繼做出性能良好的同類器件。薄膜型集總元件環(huán)行器的電路示意圖見圖1,其核心部分是一個非互易結。這個結是由在一塊拋光的微波鐵氧體基片上,采用絕緣交迭工藝制造成的三個互相交迭、彼此絕緣、并相間120的電感線圈所構成。圖1示出的12個相互交叉交迭點是分別用ZrO2空氣雙層介質或單層空氣介質作絕緣隔離層制成的。前者工藝過于繁難,后者則使器件承受不了較大
1985, 7(5): 395-400.
摘要:
正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很寬的組分變化范圍內
正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很寬的組分變化范圍內
