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1985年 第7卷 第4期
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1985, 7(4): 241-246.
摘要:
本文利用橫截面法并引入相位修正因子推導(dǎo)出非對(duì)稱(chēng)模式情況下的緩變截面圓波導(dǎo)和同軸波導(dǎo)開(kāi)放腔的開(kāi)放端的衍射反射系數(shù)。由此得到開(kāi)放端口處的衍射邊界條件,進(jìn)而求得開(kāi)放腔的主要參數(shù),并求解了多模問(wèn)題。文中比較了幾種形式的開(kāi)放腔,認(rèn)為變截面同軸波導(dǎo)開(kāi)放腔的本征頻譜最稀。此外,本文還對(duì)模式競(jìng)爭(zhēng)和工程計(jì)算方法作了簡(jiǎn)要討論。
本文利用橫截面法并引入相位修正因子推導(dǎo)出非對(duì)稱(chēng)模式情況下的緩變截面圓波導(dǎo)和同軸波導(dǎo)開(kāi)放腔的開(kāi)放端的衍射反射系數(shù)。由此得到開(kāi)放端口處的衍射邊界條件,進(jìn)而求得開(kāi)放腔的主要參數(shù),并求解了多模問(wèn)題。文中比較了幾種形式的開(kāi)放腔,認(rèn)為變截面同軸波導(dǎo)開(kāi)放腔的本征頻譜最稀。此外,本文還對(duì)模式競(jìng)爭(zhēng)和工程計(jì)算方法作了簡(jiǎn)要討論。
1985, 7(4): 247-253.
摘要:
本文討論了大功率、高增益、寬頻帶大功率速調(diào)管的設(shè)計(jì)和制造,還采用小信號(hào)增益和大信號(hào)效率計(jì)算程序,對(duì)寬頻帶速調(diào)管的群聚段進(jìn)行了設(shè)計(jì)。當(dāng)小信號(hào)增益大于50dB時(shí),7腔速調(diào)管的群聚頻寬寬于10％,8腔速調(diào)管的群聚頻寬可達(dá)1015％ 給出了兩類(lèi)寬頻帶輸出電路,即濾波器型輸出電路和重疊模雙間隙腔輸出電路的設(shè)計(jì)方法和測(cè)試結(jié)果,結(jié)果表明:前一種輸出電路的頻寬可達(dá)7.510％,后一種輸出電路的頻寬可達(dá)1015％。 研制了兩種類(lèi)型速調(diào)管,采用濾波器型輸出段的速調(diào)管的性能達(dá)到:1dB等激勵(lì)頻寬為7.5％,效率為38％,飽和增益大于43dB,輸出功率大于2.5MW。采用雙間隙腔輸出段的速調(diào)管的1dB等激勵(lì)頻寬遲10％,工作穩(wěn)定。
本文討論了大功率、高增益、寬頻帶大功率速調(diào)管的設(shè)計(jì)和制造,還采用小信號(hào)增益和大信號(hào)效率計(jì)算程序,對(duì)寬頻帶速調(diào)管的群聚段進(jìn)行了設(shè)計(jì)。當(dāng)小信號(hào)增益大于50dB時(shí),7腔速調(diào)管的群聚頻寬寬于10％,8腔速調(diào)管的群聚頻寬可達(dá)1015％ 給出了兩類(lèi)寬頻帶輸出電路,即濾波器型輸出電路和重疊模雙間隙腔輸出電路的設(shè)計(jì)方法和測(cè)試結(jié)果,結(jié)果表明:前一種輸出電路的頻寬可達(dá)7.510％,后一種輸出電路的頻寬可達(dá)1015％。 研制了兩種類(lèi)型速調(diào)管,采用濾波器型輸出段的速調(diào)管的性能達(dá)到:1dB等激勵(lì)頻寬為7.5％,效率為38％,飽和增益大于43dB,輸出功率大于2.5MW。采用雙間隙腔輸出段的速調(diào)管的1dB等激勵(lì)頻寬遲10％,工作穩(wěn)定。
1985, 7(4): 254-266.
摘要:
本文提出了正(負(fù))根完全有向樹(shù)和正(負(fù))根完全有向k樹(shù)的概念和線性有源網(wǎng)絡(luò)的正(負(fù))根完全有向樹(shù)分沂法。這個(gè)方法是完全樹(shù)法與有向樹(shù)法的統(tǒng)一。它沒(méi)有符號(hào)問(wèn)題與對(duì)消項(xiàng)問(wèn)題。
本文提出了正(負(fù))根完全有向樹(shù)和正(負(fù))根完全有向k樹(shù)的概念和線性有源網(wǎng)絡(luò)的正(負(fù))根完全有向樹(shù)分沂法。這個(gè)方法是完全樹(shù)法與有向樹(shù)法的統(tǒng)一。它沒(méi)有符號(hào)問(wèn)題與對(duì)消項(xiàng)問(wèn)題。
1985, 7(4): 267-275.
摘要:
本文給出了實(shí)現(xiàn)單位元波開(kāi)關(guān)電容濾波器適配器的幾個(gè)新電路。這些新適配器電路儀用一個(gè)單位增益器和一個(gè)兩相時(shí)鐘信號(hào),而且電路特性對(duì)主寄生電容效應(yīng)極不敏感。文中還分析了次寄生電容(包括電容器上極板對(duì)襯底的寄生電容和開(kāi)關(guān)的寄生電容)對(duì)電路特性的影響。分析表明,整個(gè)次寄生電容效應(yīng)表現(xiàn)為對(duì)反射系數(shù)的影響。通過(guò)調(diào)整一個(gè)電容,就可以把這種本來(lái)就很小的影響降至更小。另外,本文的電路還非常適合用于實(shí)現(xiàn)程控濾波器,可以有效地進(jìn)行實(shí)時(shí)語(yǔ)聲綜合。最后,給出了一個(gè)五階切比雪夫低通濾波器的例子。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論相符。
本文給出了實(shí)現(xiàn)單位元波開(kāi)關(guān)電容濾波器適配器的幾個(gè)新電路。這些新適配器電路儀用一個(gè)單位增益器和一個(gè)兩相時(shí)鐘信號(hào),而且電路特性對(duì)主寄生電容效應(yīng)極不敏感。文中還分析了次寄生電容(包括電容器上極板對(duì)襯底的寄生電容和開(kāi)關(guān)的寄生電容)對(duì)電路特性的影響。分析表明,整個(gè)次寄生電容效應(yīng)表現(xiàn)為對(duì)反射系數(shù)的影響。通過(guò)調(diào)整一個(gè)電容,就可以把這種本來(lái)就很小的影響降至更小。另外,本文的電路還非常適合用于實(shí)現(xiàn)程控濾波器,可以有效地進(jìn)行實(shí)時(shí)語(yǔ)聲綜合。最后,給出了一個(gè)五階切比雪夫低通濾波器的例子。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論相符。
1985, 7(4): 276-287.
摘要:
本文介紹一種設(shè)計(jì)寬帶高方向性定向耦合器的數(shù)值方法。此法經(jīng)擴(kuò)展后,可用以解決一系列與此類(lèi)似的問(wèn)題,還可以把計(jì)算結(jié)果編制成設(shè)計(jì)手冊(cè),以便于使用。
本文介紹一種設(shè)計(jì)寬帶高方向性定向耦合器的數(shù)值方法。此法經(jīng)擴(kuò)展后,可用以解決一系列與此類(lèi)似的問(wèn)題,還可以把計(jì)算結(jié)果編制成設(shè)計(jì)手冊(cè),以便于使用。
1985, 7(4): 288-296.
摘要:
本文提出了一種利用B樣條函數(shù)進(jìn)行數(shù)字圖象幾何變換的算法。在給定一組特殊的規(guī)則控制柵格點(diǎn)的條件下,構(gòu)成B樣條變換式。此變換算法保證給出的控制柵格點(diǎn)的準(zhǔn)確對(duì)應(yīng),可得較高的精度。在小型圖象處理系統(tǒng)中可用一種專(zhuān)用的變換解算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。 本文還提出開(kāi)窗幾何變換的自動(dòng)實(shí)現(xiàn)。
本文提出了一種利用B樣條函數(shù)進(jìn)行數(shù)字圖象幾何變換的算法。在給定一組特殊的規(guī)則控制柵格點(diǎn)的條件下,構(gòu)成B樣條變換式。此變換算法保證給出的控制柵格點(diǎn)的準(zhǔn)確對(duì)應(yīng),可得較高的精度。在小型圖象處理系統(tǒng)中可用一種專(zhuān)用的變換解算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。 本文還提出開(kāi)窗幾何變換的自動(dòng)實(shí)現(xiàn)。
1985, 7(4): 297-303.
摘要:
本文介紹了在450700℃的廣闊溫度范圍內(nèi)研究Cd和Zn向InP擴(kuò)散的結(jié)果,并對(duì)結(jié)果作了比較。詳細(xì)研究了Cd,Zn及其化合物等不同雜質(zhì)源對(duì)擴(kuò)散的影響。我們用結(jié)深(xj)的平方和時(shí)間(t)的比值(xj2/t)作為擴(kuò)散速度的度量,并畫(huà)出了xj2/t-1/T(溫度)曲線。發(fā)現(xiàn)Cd源,特別是CdP2源的擴(kuò)散速度較慢,容易控制它擴(kuò)散的結(jié)深和濃度,昕以它是比較理想的擴(kuò)散雜質(zhì)源。利用Tien的中性復(fù)合體理論,解釋了Cd和Zn在InP中擴(kuò)散的復(fù)雜現(xiàn)象。
本文介紹了在450700℃的廣闊溫度范圍內(nèi)研究Cd和Zn向InP擴(kuò)散的結(jié)果,并對(duì)結(jié)果作了比較。詳細(xì)研究了Cd,Zn及其化合物等不同雜質(zhì)源對(duì)擴(kuò)散的影響。我們用結(jié)深(xj)的平方和時(shí)間(t)的比值(xj2/t)作為擴(kuò)散速度的度量,并畫(huà)出了xj2/t-1/T(溫度)曲線。發(fā)現(xiàn)Cd源,特別是CdP2源的擴(kuò)散速度較慢,容易控制它擴(kuò)散的結(jié)深和濃度,昕以它是比較理想的擴(kuò)散雜質(zhì)源。利用Tien的中性復(fù)合體理論,解釋了Cd和Zn在InP中擴(kuò)散的復(fù)雜現(xiàn)象。
1985, 7(4): 304-310.
摘要:
本文研究了電子束光刻中電子能量(1030keV)和電荷劑量(10-610-3Ccm-2)對(duì)鋁柵MOS電容器的損傷和低溫退火(500℃)的影響。研究電子束光刻中高能量(30keV)和高劑量(10-3Ccm-2)電子束引起的損傷,對(duì)電子束汽相顯影光刻和電子束無(wú)顯影光刻是有實(shí)際意義的。實(shí)驗(yàn)表明,平帶電壓的損傷可高達(dá)十幾伏,界面態(tài)密度可高達(dá)1012cm-2eV-1以上。在一定電荷劑量下,平帶電壓的損傷對(duì)電子能量的變化(在一定范圍內(nèi))不敏感。在一定電子能量下,界面態(tài)密度的損傷對(duì)電荷劑量的變化(在一定范圍內(nèi))不敏感。低溫(500℃)退火能完全消除平帶電壓的損傷,但不能完全消除界面態(tài)密度的損傷。
本文研究了電子束光刻中電子能量(1030keV)和電荷劑量(10-610-3Ccm-2)對(duì)鋁柵MOS電容器的損傷和低溫退火(500℃)的影響。研究電子束光刻中高能量(30keV)和高劑量(10-3Ccm-2)電子束引起的損傷,對(duì)電子束汽相顯影光刻和電子束無(wú)顯影光刻是有實(shí)際意義的。實(shí)驗(yàn)表明,平帶電壓的損傷可高達(dá)十幾伏,界面態(tài)密度可高達(dá)1012cm-2eV-1以上。在一定電荷劑量下,平帶電壓的損傷對(duì)電子能量的變化(在一定范圍內(nèi))不敏感。在一定電子能量下,界面態(tài)密度的損傷對(duì)電荷劑量的變化(在一定范圍內(nèi))不敏感。低溫(500℃)退火能完全消除平帶電壓的損傷,但不能完全消除界面態(tài)密度的損傷。
1985, 7(4): 311-314.
摘要:
正 1.引言 近幾年來(lái)由于約瑟夫遜隧道結(jié)在許多方面得到應(yīng)用,特別是在新一代超級(jí)電子計(jì)算機(jī)上得到了應(yīng)用,所以人們對(duì)制作小面積隧道結(jié)的技術(shù)產(chǎn)生了濃厚的興趣。制作軟金屬超導(dǎo)隧道結(jié),以IBM為代表已形成一套完整的工藝。但要用他們的辦法重復(fù)地制作出實(shí)用的隧道結(jié),必須有高級(jí)的專(zhuān)用設(shè)備和豐富的技術(shù)積累。一般單位在短期內(nèi)是難以達(dá)到這樣的技術(shù)水平的。1982年Gundlach(西德馬克斯-普朗克學(xué)會(huì))發(fā)表的文章仍在使用刀片制作的金屬掩模。我們也曾經(jīng)使用過(guò)這種掩模,但是用一般形式的金屬掩模制作隧道結(jié)時(shí),在氧化層勢(shì)壘形成以后,必須打開(kāi)鍍膜機(jī)的鐘罩,以便轉(zhuǎn)換掩模制作上電極。這樣氧化層勢(shì)壘就容易受到大氣污染。 為了克服這一缺點(diǎn),我們用刀片拼裝成的懸掛金屬掩模來(lái)制作隧道結(jié)。這一技術(shù)具
正 1.引言 近幾年來(lái)由于約瑟夫遜隧道結(jié)在許多方面得到應(yīng)用,特別是在新一代超級(jí)電子計(jì)算機(jī)上得到了應(yīng)用,所以人們對(duì)制作小面積隧道結(jié)的技術(shù)產(chǎn)生了濃厚的興趣。制作軟金屬超導(dǎo)隧道結(jié),以IBM為代表已形成一套完整的工藝。但要用他們的辦法重復(fù)地制作出實(shí)用的隧道結(jié),必須有高級(jí)的專(zhuān)用設(shè)備和豐富的技術(shù)積累。一般單位在短期內(nèi)是難以達(dá)到這樣的技術(shù)水平的。1982年Gundlach(西德馬克斯-普朗克學(xué)會(huì))發(fā)表的文章仍在使用刀片制作的金屬掩模。我們也曾經(jīng)使用過(guò)這種掩模,但是用一般形式的金屬掩模制作隧道結(jié)時(shí),在氧化層勢(shì)壘形成以后,必須打開(kāi)鍍膜機(jī)的鐘罩,以便轉(zhuǎn)換掩模制作上電極。這樣氧化層勢(shì)壘就容易受到大氣污染。 為了克服這一缺點(diǎn),我們用刀片拼裝成的懸掛金屬掩模來(lái)制作隧道結(jié)。這一技術(shù)具
1985, 7(4): 315-318.
摘要:
正 1.引言 眾所周知,晶體管的電流增益與收集極電流有關(guān),開(kāi)始它隨收集極電流增大而增大,達(dá)到一最大值后,它又隨收集極電流的進(jìn)一步增大而逐漸減小。所謂大電流時(shí)電流增益下降,就是指收集極電流大于電流增益達(dá)最大值所對(duì)應(yīng)的收集極電流后電流增益下降的現(xiàn)象。 關(guān)于大電流時(shí)電流增益下降的物理原因,過(guò)去有兩種解釋:一是由Webster提出的基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng);另一是由Kirk提出的有效基區(qū)展寬效應(yīng)
正 1.引言 眾所周知,晶體管的電流增益與收集極電流有關(guān),開(kāi)始它隨收集極電流增大而增大,達(dá)到一最大值后,它又隨收集極電流的進(jìn)一步增大而逐漸減小。所謂大電流時(shí)電流增益下降,就是指收集極電流大于電流增益達(dá)最大值所對(duì)應(yīng)的收集極電流后電流增益下降的現(xiàn)象。 關(guān)于大電流時(shí)電流增益下降的物理原因,過(guò)去有兩種解釋:一是由Webster提出的基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng);另一是由Kirk提出的有效基區(qū)展寬效應(yīng)
1985, 7(4): 319-322.
摘要:
正 一、引言 在CaAs氣相外延中,除了用各種摻雜劑制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延層的制備。鑒于P型材料可用作雙漂移二極管和太陽(yáng)能電池,本文在GaAsCl3-H2體系中采用元素Cd為摻雜劑,研究了Cd的摻雜行為并制得了各種結(jié)構(gòu)的p-n材料
正 一、引言 在CaAs氣相外延中,除了用各種摻雜劑制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延層的制備。鑒于P型材料可用作雙漂移二極管和太陽(yáng)能電池,本文在GaAsCl3-H2體系中采用元素Cd為摻雜劑,研究了Cd的摻雜行為并制得了各種結(jié)構(gòu)的p-n材料
