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1985年 第7卷 第3期
1985, 7(3): 161-170.
摘要:
本文報(bào)道的是用邊界元素法計(jì)算階梯開口波導(dǎo)的反射系數(shù)。文中給出了用邊界元素法求解波動(dòng)方程問題的主要步驟和公式,并對(duì)本問題的一些計(jì)算細(xì)節(jié)作了說明。把在特殊狀態(tài)下得到的結(jié)果與有關(guān)文獻(xiàn)中的結(jié)果作了比較,從而看出這種方法的有效性。
本文報(bào)道的是用邊界元素法計(jì)算階梯開口波導(dǎo)的反射系數(shù)。文中給出了用邊界元素法求解波動(dòng)方程問題的主要步驟和公式,并對(duì)本問題的一些計(jì)算細(xì)節(jié)作了說明。把在特殊狀態(tài)下得到的結(jié)果與有關(guān)文獻(xiàn)中的結(jié)果作了比較,從而看出這種方法的有效性。
1985, 7(3): 171-179.
摘要:
本文利用作者前文(1984)給出的方法和技巧,求解了自由空間廣義柱體并矢格林函數(shù)。所得公式在推導(dǎo)過程中未涉及柱體具體的橫截面形狀,故具有普遍適用的意義。作為具體運(yùn)用實(shí)例,給出了完純導(dǎo)電尖劈、半片和橢圓柱體的并矢格林函數(shù)去掉h積分的表示式。
本文利用作者前文(1984)給出的方法和技巧,求解了自由空間廣義柱體并矢格林函數(shù)。所得公式在推導(dǎo)過程中未涉及柱體具體的橫截面形狀,故具有普遍適用的意義。作為具體運(yùn)用實(shí)例,給出了完純導(dǎo)電尖劈、半片和橢圓柱體的并矢格林函數(shù)去掉h積分的表示式。
1985, 7(3): 180-187.
摘要:
本文引入線性系統(tǒng)分析中不定矩陣的拓展伴隨有向圖。僅求出拓展伴隨有向圖的全部有向樹,便同時(shí)得到了不定矩陣的一階和二階代數(shù)余子式,避免了通常求二階代數(shù)余子式需找有向2樹的運(yùn)算,使不定矩陣的拓?fù)溆?jì)算更易于計(jì)算機(jī)程序化。
本文引入線性系統(tǒng)分析中不定矩陣的拓展伴隨有向圖。僅求出拓展伴隨有向圖的全部有向樹,便同時(shí)得到了不定矩陣的一階和二階代數(shù)余子式,避免了通常求二階代數(shù)余子式需找有向2樹的運(yùn)算,使不定矩陣的拓?fù)溆?jì)算更易于計(jì)算機(jī)程序化。
1985, 7(3): 188-194.
摘要:
有理諧波注入鎖定比諧波注入鎖定可以使電路更簡單、更靈活。至今,尚未見有分析它的文章。本文分析并導(dǎo)出了有理諧波注入鎖定同步(s/m)max)的通用公式。結(jié)果表明Ⅰ.施密迪格(Schinideg)(1971)給出的諧波注入鎖定同步帶公式只是一個(gè)特例。 本文還介紹了一種用全通網(wǎng)絡(luò)來擴(kuò)展有理諧波注入鎖定同步帶的辦法。據(jù)此,制作了一個(gè)由集成塊FZIC組成的2/3注入鎖定甚高頻分頻器,其穩(wěn)定性因子n=f(3/2)max)/f[-40+85℃]4,原始電路的n0.6,從而使有理諧波注入鎖定有了更實(shí)用的價(jià)值。
有理諧波注入鎖定比諧波注入鎖定可以使電路更簡單、更靈活。至今,尚未見有分析它的文章。本文分析并導(dǎo)出了有理諧波注入鎖定同步(s/m)max)的通用公式。結(jié)果表明Ⅰ.施密迪格(Schinideg)(1971)給出的諧波注入鎖定同步帶公式只是一個(gè)特例。 本文還介紹了一種用全通網(wǎng)絡(luò)來擴(kuò)展有理諧波注入鎖定同步帶的辦法。據(jù)此,制作了一個(gè)由集成塊FZIC組成的2/3注入鎖定甚高頻分頻器,其穩(wěn)定性因子n=f(3/2)max)/f[-40+85℃]4,原始電路的n0.6,從而使有理諧波注入鎖定有了更實(shí)用的價(jià)值。
1985, 7(3): 195-202.
摘要:
本文從鎖相環(huán)的基本原理出發(fā)對(duì)用攝動(dòng)法定量研究二階鎖相環(huán)的非線性性能一文中存在的幾個(gè)問題,提出不同意見進(jìn)行商榷。
本文從鎖相環(huán)的基本原理出發(fā)對(duì)用攝動(dòng)法定量研究二階鎖相環(huán)的非線性性能一文中存在的幾個(gè)問題,提出不同意見進(jìn)行商榷。
1985, 7(3): 203-212.
摘要:
本文對(duì)電流型開關(guān)倍頻器的工作原理作了較詳細(xì)的定量分析,給出了電流型開關(guān)倍頻器的最佳工作狀態(tài)與電路元器件參數(shù)間的關(guān)系式,進(jìn)而提出了倍頻器的最佳設(shè)計(jì)原則,并做了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。此外,還探討了微分電感的穩(wěn)定性及寄生諧波對(duì)倍頻器輸出信號(hào)的穩(wěn)定度的影響。
本文對(duì)電流型開關(guān)倍頻器的工作原理作了較詳細(xì)的定量分析,給出了電流型開關(guān)倍頻器的最佳工作狀態(tài)與電路元器件參數(shù)間的關(guān)系式,進(jìn)而提出了倍頻器的最佳設(shè)計(jì)原則,并做了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。此外,還探討了微分電感的穩(wěn)定性及寄生諧波對(duì)倍頻器輸出信號(hào)的穩(wěn)定度的影響。
1985, 7(3): 213-219.
摘要:
本文用一個(gè)計(jì)算機(jī)程序研究了實(shí)際的高低摻雜變?nèi)荻O管的工作情況,確定該器件作為參放的優(yōu)劣程度。還給出了工作頻率范圍、偏置電壓、泵浦功率以及相應(yīng)的負(fù)阻值等主要的電氣參量,從而為參放的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
本文用一個(gè)計(jì)算機(jī)程序研究了實(shí)際的高低摻雜變?nèi)荻O管的工作情況,確定該器件作為參放的優(yōu)劣程度。還給出了工作頻率范圍、偏置電壓、泵浦功率以及相應(yīng)的負(fù)阻值等主要的電氣參量,從而為參放的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
1985, 7(3): 220-226.
摘要:
用改進(jìn)了的射頻濺射儀,在GaAs/GaAlAs DH面發(fā)光管的窗口上沉積一層厚度近于/4的Al2O3抗反射層后,其輸出光功率增高了3066％。而在相同涂層條件下,退化發(fā)光管輸出光功率的提高則不到30％,這可能與其體內(nèi)形成缺陷有關(guān)。
用改進(jìn)了的射頻濺射儀,在GaAs/GaAlAs DH面發(fā)光管的窗口上沉積一層厚度近于/4的Al2O3抗反射層后,其輸出光功率增高了3066％。而在相同涂層條件下,退化發(fā)光管輸出光功率的提高則不到30％,這可能與其體內(nèi)形成缺陷有關(guān)。
1985, 7(3): 227-231.
摘要:
正 (一)引言 串饋波導(dǎo)窄邊縫隙陣天線是一種廣泛應(yīng)用的天線。波導(dǎo)縫隙電導(dǎo)與縫隙幾何尺寸的關(guān)系是設(shè)計(jì)這種天線的基礎(chǔ),而縫隙導(dǎo)納的頻率特性則是分析天線頻率特性所必不可少的依據(jù)。設(shè)計(jì)波導(dǎo)縫隙陣天線,雖有理論分析公式可以應(yīng)用,但所得結(jié)果與實(shí)際情況還有出入;因此,設(shè)計(jì)之前,先測(cè)得波導(dǎo)縫隙的電導(dǎo)值。由于單個(gè)縫隙的電導(dǎo)值相當(dāng)小,難以測(cè)準(zhǔn),加之縫隙之間又存在相互耦合,因此,人們都是測(cè)量多個(gè)(至少20個(gè))縫隙的陣中的縫隙電導(dǎo)值。一般是采用測(cè)量S參量的方法,即測(cè)量波節(jié)點(diǎn)的移動(dòng),通過作圖求得電導(dǎo)值。這種測(cè)量方法非常繁瑣,而且精度也難保證。也有人采用行波功率法,但只能得到諧振頻率上的電導(dǎo)值。至今尚未見到關(guān)于測(cè)量縫隙導(dǎo)納的頻率特性的簡捷方
正 (一)引言 串饋波導(dǎo)窄邊縫隙陣天線是一種廣泛應(yīng)用的天線。波導(dǎo)縫隙電導(dǎo)與縫隙幾何尺寸的關(guān)系是設(shè)計(jì)這種天線的基礎(chǔ),而縫隙導(dǎo)納的頻率特性則是分析天線頻率特性所必不可少的依據(jù)。設(shè)計(jì)波導(dǎo)縫隙陣天線,雖有理論分析公式可以應(yīng)用,但所得結(jié)果與實(shí)際情況還有出入;因此,設(shè)計(jì)之前,先測(cè)得波導(dǎo)縫隙的電導(dǎo)值。由于單個(gè)縫隙的電導(dǎo)值相當(dāng)小,難以測(cè)準(zhǔn),加之縫隙之間又存在相互耦合,因此,人們都是測(cè)量多個(gè)(至少20個(gè))縫隙的陣中的縫隙電導(dǎo)值。一般是采用測(cè)量S參量的方法,即測(cè)量波節(jié)點(diǎn)的移動(dòng),通過作圖求得電導(dǎo)值。這種測(cè)量方法非常繁瑣,而且精度也難保證。也有人采用行波功率法,但只能得到諧振頻率上的電導(dǎo)值。至今尚未見到關(guān)于測(cè)量縫隙導(dǎo)納的頻率特性的簡捷方
1985, 7(3): 232-237.
摘要:
正 (一)引言 Stratton說過:事物在表面上極其復(fù)雜多樣,這激勵(lì)人們從中發(fā)現(xiàn)經(jīng)常出現(xiàn)的一致性。例如可以設(shè)計(jì)出這樣的電路,使其性能與力學(xué)系統(tǒng)的振蕩能用同樣的微分方程組描寫,兩者具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系。1936年,波導(dǎo)傳輸實(shí)驗(yàn)成功,從此開始了微波技術(shù)的歷史。次年,Schelkunoff即采用等效電壓、電流概念,對(duì)自由空間的橫磁(TM)平面波作了分析,并第一次采用等效電路,即用分布式多節(jié)網(wǎng)絡(luò),模擬一個(gè)帶有截止條件的波動(dòng)過程。他在文獻(xiàn)[4]中,把阻抗概念推廣到電磁場(chǎng)領(lǐng)域,并從一維的傳輸線模擬開始,建立了基本理論基礎(chǔ)。而阻抗本來是力學(xué)、聲學(xué)、流體力學(xué)中的一個(gè)固有參數(shù)。 本世紀(jì)初量子理論的發(fā)展,使人們認(rèn)識(shí)到電磁場(chǎng)具有波粒二象性
正 (一)引言 Stratton說過:事物在表面上極其復(fù)雜多樣,這激勵(lì)人們從中發(fā)現(xiàn)經(jīng)常出現(xiàn)的一致性。例如可以設(shè)計(jì)出這樣的電路,使其性能與力學(xué)系統(tǒng)的振蕩能用同樣的微分方程組描寫,兩者具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系。1936年,波導(dǎo)傳輸實(shí)驗(yàn)成功,從此開始了微波技術(shù)的歷史。次年,Schelkunoff即采用等效電壓、電流概念,對(duì)自由空間的橫磁(TM)平面波作了分析,并第一次采用等效電路,即用分布式多節(jié)網(wǎng)絡(luò),模擬一個(gè)帶有截止條件的波動(dòng)過程。他在文獻(xiàn)[4]中,把阻抗概念推廣到電磁場(chǎng)領(lǐng)域,并從一維的傳輸線模擬開始,建立了基本理論基礎(chǔ)。而阻抗本來是力學(xué)、聲學(xué)、流體力學(xué)中的一個(gè)固有參數(shù)。 本世紀(jì)初量子理論的發(fā)展,使人們認(rèn)識(shí)到電磁場(chǎng)具有波粒二象性
1985, 7(3): 238-240.
摘要:
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細(xì)地介紹過稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類似的負(fù)電效應(yīng)。并且討論過該效應(yīng)的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來我們?cè)趯?shí)驗(yàn)中,又觀察到鑭(La)也是具有負(fù)電效應(yīng)的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準(zhǔn)靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動(dòng)。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實(shí)驗(yàn) MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學(xué)拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴(kuò)入La,進(jìn)而在不同條件(溫度、時(shí)間、氣氛等)下,對(duì)
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者們還曾詳細(xì)地介紹過稀有金屬鈀(Pd)、釓(Gd)、銠(Rh)等在si/SiO2界面呈現(xiàn)的類似的負(fù)電效應(yīng)。并且討論過該效應(yīng)的普遍性及其改善器件表面性質(zhì)的可能性。近來我們?cè)趯?shí)驗(yàn)中,又觀察到鑭(La)也是具有負(fù)電效應(yīng)的雜質(zhì),同樣能引起MOS結(jié)構(gòu)C-V曲線,包括高頻和準(zhǔn)靜態(tài)曲線,沿正柵壓方向明顯移動(dòng)。本文介紹的是摻La界面電特性的主要結(jié)果。 (二)實(shí)驗(yàn) MOS樣品是在電阻率為812cm的111P型Si單晶片上制成的。Si片是經(jīng)研磨、SiO2膠體拋光和化學(xué)拋光制成的,厚度約為300m。在1150℃下HC1和干氧的混合氣流中氧化30min,使Si片表面生成厚度約為1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,從背面擴(kuò)入La,進(jìn)而在不同條件(溫度、時(shí)間、氣氛等)下,對(duì)
