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1984年 第6卷 第2期
1984, 6(2): 89-95.
摘要:
通過對文獻中提出的有關鋇系統(tǒng)熱陰極的數(shù)據(jù),特別是用近代表面分析儀器所獲得的數(shù)據(jù)的綜合和分析,我們得到一個統(tǒng)一的理論,即動態(tài)表面發(fā)射中心模型。在氧化物陰極中,鋇吸附在堿土金屬氧化物上;在鋇鎢陰極中,鋇吸附在鋁酸鹽或鎢酸鹽等上都可以形成發(fā)射中心。發(fā)射中心應該大到足以屏蔽基金屬所產(chǎn)生的勢場,但又應小到有利于電子從基金屬到中心的傳遞,最后對表面發(fā)射中心的組成和動態(tài)性質也進行了討論。
通過對文獻中提出的有關鋇系統(tǒng)熱陰極的數(shù)據(jù),特別是用近代表面分析儀器所獲得的數(shù)據(jù)的綜合和分析,我們得到一個統(tǒng)一的理論,即動態(tài)表面發(fā)射中心模型。在氧化物陰極中,鋇吸附在堿土金屬氧化物上;在鋇鎢陰極中,鋇吸附在鋁酸鹽或鎢酸鹽等上都可以形成發(fā)射中心。發(fā)射中心應該大到足以屏蔽基金屬所產(chǎn)生的勢場,但又應小到有利于電子從基金屬到中心的傳遞,最后對表面發(fā)射中心的組成和動態(tài)性質也進行了討論。
1984, 6(2): 166-171.
摘要:
正 (一)引言 用晶體振蕩法測量陰極蒸發(fā)率,一般是把陰極當作點蒸發(fā)源。這可能是為了便于計算蒸發(fā)率。在其它報道,例如文獻[3]中,陰極則被當作是平面元蒸發(fā)源,蒸發(fā)物接受器被當作是陰極面法向上某處的一個平面元。 本文采取有效措施克服了晶體因溫度變化引起的振蕩頻率漂移(晶體諧振頻率漂移)對測量蒸發(fā)率的影響。這不僅提高了測量蒸發(fā)物引起的振蕩頻率變化(晶體諧振頻率變
正 (一)引言 用晶體振蕩法測量陰極蒸發(fā)率,一般是把陰極當作點蒸發(fā)源。這可能是為了便于計算蒸發(fā)率。在其它報道,例如文獻[3]中,陰極則被當作是平面元蒸發(fā)源,蒸發(fā)物接受器被當作是陰極面法向上某處的一個平面元。 本文采取有效措施克服了晶體因溫度變化引起的振蕩頻率漂移(晶體諧振頻率漂移)對測量蒸發(fā)率的影響。這不僅提高了測量蒸發(fā)物引起的振蕩頻率變化(晶體諧振頻率變
1984, 6(2): 172-175.
摘要:
正 (一)引言 近年來InP在光電和微波器件中的應用已引起廣泛重視。對InP的歐姆接觸和肖特基勢壘已有報道,這些結果表明,Bp較Bn大,n-InP的比接觸電阻較p-lnP的低。以InP為襯底的多層結構器件中,表面層有時是p-InP,因此研究p-InP與接觸金屬界面上的冶金行為和電學特性,對改善器件參數(shù)和提高器件的可靠性有實際意義。對p-InP與接觸金屬Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇電子能譜(AES)和電子探針(EP)進行的研究結果
正 (一)引言 近年來InP在光電和微波器件中的應用已引起廣泛重視。對InP的歐姆接觸和肖特基勢壘已有報道,這些結果表明,Bp較Bn大,n-InP的比接觸電阻較p-lnP的低。以InP為襯底的多層結構器件中,表面層有時是p-InP,因此研究p-InP與接觸金屬界面上的冶金行為和電學特性,對改善器件參數(shù)和提高器件的可靠性有實際意義。對p-InP與接觸金屬Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇電子能譜(AES)和電子探針(EP)進行的研究結果
1984, 6(2): 176-180.
摘要:
正 (一)引言 開關電容(SC)濾波器在1977年被重新提出后,受到了極大的注意。最近,一些作者又利用開關電容方法來實現(xiàn)別的模擬電路,如正弦波振蕩器、過零檢波器和峰值檢波器、跟蹤濾波器、鎖相環(huán)和平衡解調器、壓控張弛振蕩器,以及模擬延遲線等。 本文描述一種采用感性開關電容的正弦波振蕩器。與文獻[3]中采用并聯(lián)開關電容的方案相比,由于感性開關電容在一個時鐘周期Tc內,完成兩次信息傳輸,因而預期
正 (一)引言 開關電容(SC)濾波器在1977年被重新提出后,受到了極大的注意。最近,一些作者又利用開關電容方法來實現(xiàn)別的模擬電路,如正弦波振蕩器、過零檢波器和峰值檢波器、跟蹤濾波器、鎖相環(huán)和平衡解調器、壓控張弛振蕩器,以及模擬延遲線等。 本文描述一種采用感性開關電容的正弦波振蕩器。與文獻[3]中采用并聯(lián)開關電容的方案相比,由于感性開關電容在一個時鐘周期Tc內,完成兩次信息傳輸,因而預期
1984, 6(2): 96-106.
摘要:
本文簡要地回顧了傳統(tǒng)上對天線的要求,并以實例說明隨著近代科學技術發(fā)展的需要,天線波束的相位特性應該引起重視和研究,在此背景下本文試圖將天線波束相位和孔徑電流分布等有關問題系統(tǒng)化,在前人工作的基礎上,總結并討論了關于相位參考點、不同相位參考點的天線方向圖的變換關系、方向圖的零點電平和相鄰波束間的相位差,線陣電流分布的分解;提出并從理論上證明了天線同相波束的普遍條件和連續(xù)線陣的對稱波束條件。歸納為幾個定理,并將這些論述統(tǒng)稱為天線波束相位理論。
本文簡要地回顧了傳統(tǒng)上對天線的要求,并以實例說明隨著近代科學技術發(fā)展的需要,天線波束的相位特性應該引起重視和研究,在此背景下本文試圖將天線波束相位和孔徑電流分布等有關問題系統(tǒng)化,在前人工作的基礎上,總結并討論了關于相位參考點、不同相位參考點的天線方向圖的變換關系、方向圖的零點電平和相鄰波束間的相位差,線陣電流分布的分解;提出并從理論上證明了天線同相波束的普遍條件和連續(xù)線陣的對稱波束條件。歸納為幾個定理,并將這些論述統(tǒng)稱為天線波束相位理論。
1984, 6(2): 107-116.
摘要:
天線陣輻射圖型強制零點控制,由于對定向干擾抑制的有效性,已成為天線陣輻射圖型綜合理論中心課題之一。本文圍繞著這個課題,對三維天線陣輻射圈的零點控制進行了研究,它包括:用矢量空間方法,分析了多重零點控制的基本關系;根據(jù)零點本身的擴展性,引入了零域的概念,提出了多重強制零域的生成方法;導出了多重零點控制輻射圖型的分解公式;揭示了由主波束和多個零點強制波束合成多重強制零點輻射圖型的基本規(guī)律;給出了數(shù)值結果并進行了討論;把這一分解原理與自適應成零天線陣輻射圖型進行了類比。
天線陣輻射圖型強制零點控制,由于對定向干擾抑制的有效性,已成為天線陣輻射圖型綜合理論中心課題之一。本文圍繞著這個課題,對三維天線陣輻射圈的零點控制進行了研究,它包括:用矢量空間方法,分析了多重零點控制的基本關系;根據(jù)零點本身的擴展性,引入了零域的概念,提出了多重強制零域的生成方法;導出了多重零點控制輻射圖型的分解公式;揭示了由主波束和多個零點強制波束合成多重強制零點輻射圖型的基本規(guī)律;給出了數(shù)值結果并進行了討論;把這一分解原理與自適應成零天線陣輻射圖型進行了類比。
1984, 6(2): 117-124.
摘要:
本文用等效介電常數(shù)法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波鏡象波導的奇偶模傳播特性,進而分析了耦合陷波鏡象線耦合器的理論特性,為實際耦合器的設計提供了理論依據(jù)。
本文用等效介電常數(shù)法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波鏡象波導的奇偶模傳播特性,進而分析了耦合陷波鏡象線耦合器的理論特性,為實際耦合器的設計提供了理論依據(jù)。
1984, 6(2): 125-136.
摘要:
釔鐵石榴石(YIG)振蕩器具有調諧范圍寬、調諧線性好、噪聲低等優(yōu)點,在部分覆蓋式微波頻率綜合實驗中,用它作壓控振蕩器(VCO),在 24 GHz 頻段內,成功地綜合出上萬個具有高穩(wěn)石英晶振穩(wěn)定度和準確度的微波頻率。本文從理論上研究了磁場滯后效應對此實驗中的YIG鎖相環(huán)非線性性能的影響。用解析近似法推導出存在磁場滯后效應的YIG鎖相環(huán)的三個公式,即平均頻差公式、捕捉時間公式和捕捉帶公式,公式具有明確的物理意義。實驗表明,捕捉帶公式與實際測量結果有較好的一致性。
釔鐵石榴石(YIG)振蕩器具有調諧范圍寬、調諧線性好、噪聲低等優(yōu)點,在部分覆蓋式微波頻率綜合實驗中,用它作壓控振蕩器(VCO),在 24 GHz 頻段內,成功地綜合出上萬個具有高穩(wěn)石英晶振穩(wěn)定度和準確度的微波頻率。本文從理論上研究了磁場滯后效應對此實驗中的YIG鎖相環(huán)非線性性能的影響。用解析近似法推導出存在磁場滯后效應的YIG鎖相環(huán)的三個公式,即平均頻差公式、捕捉時間公式和捕捉帶公式,公式具有明確的物理意義。實驗表明,捕捉帶公式與實際測量結果有較好的一致性。
1984, 6(2): 137-146.
摘要:
本文利用電抗補償?shù)母拍顚纱?lián)體效應振蕩器進行電抗補償,使調諧帶寬增加。在C波段,相對調諧帶寬達10％以上;輸出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。給出了調諧帶寬的解析表達式和振蕩器電路的設計。 這種寬帶集成體效應振蕩器采用微帶和同軸相結合的結構。變并聯(lián)諧振為串聯(lián)諧振,頻率調整比較方便,在雷達和通信上得到了廣泛的應用。
本文利用電抗補償?shù)母拍顚纱?lián)體效應振蕩器進行電抗補償,使調諧帶寬增加。在C波段,相對調諧帶寬達10％以上;輸出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。給出了調諧帶寬的解析表達式和振蕩器電路的設計。 這種寬帶集成體效應振蕩器采用微帶和同軸相結合的結構。變并聯(lián)諧振為串聯(lián)諧振,頻率調整比較方便,在雷達和通信上得到了廣泛的應用。
1984, 6(2): 147-155.
摘要:
本文研究了耦合腔內場的相位分布函數(shù)對駐波場形和耦合阻抗計算的影響。計算表明,在不同的相位分布的假定下,負一次諧波耦合阻抗的計算值可以相差一倍。
本文研究了耦合腔內場的相位分布函數(shù)對駐波場形和耦合阻抗計算的影響。計算表明,在不同的相位分布的假定下,負一次諧波耦合阻抗的計算值可以相差一倍。
1984, 6(2): 156-165.
摘要:
本文評述并探討了-Si:H薄膜在電子學領域的種種應用。-Si:H太陽電池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究課題仍是改進材料性質和器件參數(shù),以提高電池的能量轉換效率。利用-Si:H靈敏的光敏效應記錄圖象信息,可能有廣闊的應用前景(如用于攝象管和靜電復印等)。以-Si:H場效應管為基礎的集成電路,易于實現(xiàn)大面積和結構的立體化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驅動的液晶大面積顯示和材料本身的場致發(fā)光在大面積平面顯示中直接應用的可能性亦引人注目。以整流、檢測等為目的的其它-Si:H二極管也都具有相當?shù)膬r值。
本文評述并探討了-Si:H薄膜在電子學領域的種種應用。-Si:H太陽電池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究課題仍是改進材料性質和器件參數(shù),以提高電池的能量轉換效率。利用-Si:H靈敏的光敏效應記錄圖象信息,可能有廣闊的應用前景(如用于攝象管和靜電復印等)。以-Si:H場效應管為基礎的集成電路,易于實現(xiàn)大面積和結構的立體化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驅動的液晶大面積顯示和材料本身的場致發(fā)光在大面積平面顯示中直接應用的可能性亦引人注目。以整流、檢測等為目的的其它-Si:H二極管也都具有相當?shù)膬r值。
