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1983年 第5卷 第4期
1983, 5(4): 201-209.
摘要:
本文敘述了一種微帶天線陣的設計方法。給出了微帶天線(元)分析表達式以及天線陣輸入導納近似公式。設計了兩個天線陣。它的副瓣、駐波比、交叉極化、增益等都是較好的。從而驗證了本方法的正確性。
本文敘述了一種微帶天線陣的設計方法。給出了微帶天線(元)分析表達式以及天線陣輸入導納近似公式。設計了兩個天線陣。它的副瓣、駐波比、交叉極化、增益等都是較好的。從而驗證了本方法的正確性。
1983, 5(4): 210-213.
摘要:
本文定義了一種二分圖,稱之為互補劃分圖。利用此圖容易證明有關互補劃分的定理,并可得到一個判別是否是本性互補劃分的較弱的條件。
本文定義了一種二分圖,稱之為互補劃分圖。利用此圖容易證明有關互補劃分的定理,并可得到一個判別是否是本性互補劃分的較弱的條件。
1983, 5(4): 214-220.
摘要:
m序列相位編碼信號最小峰值旁瓣濾波器(LP濾波器)的沖激響應序列可以通過解線性規(guī)劃問題求得。對于15位和31位全部m序列的計算結(jié)果表明,LP濾波器對峰值旁瓣有較大的抑制。對[4,3,0]反饋連接的起始狀態(tài)為1001的15位碼,它的長度為15的LP濾波器的峰值旁瓣電平降到21.47dB,比用匹配濾波器改善7.49dB;對[5,3,2,1,0]反饋連接的起始狀態(tài)為11101的31位碼,它的長度為31的LP濾波器的峰值旁瓣電平降到23.80dB,比用匹配濾波器改善6.01dB。當濾波器的長度增加時,LP濾波器可把峰值旁瓣抑制到更低電平。
m序列相位編碼信號最小峰值旁瓣濾波器(LP濾波器)的沖激響應序列可以通過解線性規(guī)劃問題求得。對于15位和31位全部m序列的計算結(jié)果表明,LP濾波器對峰值旁瓣有較大的抑制。對[4,3,0]反饋連接的起始狀態(tài)為1001的15位碼,它的長度為15的LP濾波器的峰值旁瓣電平降到21.47dB,比用匹配濾波器改善7.49dB;對[5,3,2,1,0]反饋連接的起始狀態(tài)為11101的31位碼,它的長度為31的LP濾波器的峰值旁瓣電平降到23.80dB,比用匹配濾波器改善6.01dB。當濾波器的長度增加時,LP濾波器可把峰值旁瓣抑制到更低電平。
1983, 5(4): 221-227.
摘要:
本文研究了低溫條件下Zn向GaAs中的擴散。實驗是用ZnAs2源在抽真空的石英管中進行的。研究了結(jié)深Xj,擴散溫度T和擴散時間t的關系。結(jié)果表明,表面層電阻Rs隨Xj,的增加而降低;表面濃度Cs隨1/T的增加而降低;遷移率隨Cs的增加而降低。將Cs對1/(RsXj)作圖表明,Cs隨1/(RsXj)的增加而增加。這一關系可作為判斷多層GaAlAs/GaAs外延層擴Zn后表面濃度的簡便方法。文中討論了Zn在GaAs和InP中的擴散機理,比較了Zn在InP和GaAs擴散層中的參數(shù)。 該擴散工藝可獲得表面光亮、無損傷的高濃度表面層,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管的制備工藝中應用。制得了光輸出功率為24mW、串聯(lián)電阻為35、壓降為2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管。
本文研究了低溫條件下Zn向GaAs中的擴散。實驗是用ZnAs2源在抽真空的石英管中進行的。研究了結(jié)深Xj,擴散溫度T和擴散時間t的關系。結(jié)果表明,表面層電阻Rs隨Xj,的增加而降低;表面濃度Cs隨1/T的增加而降低;遷移率隨Cs的增加而降低。將Cs對1/(RsXj)作圖表明,Cs隨1/(RsXj)的增加而增加。這一關系可作為判斷多層GaAlAs/GaAs外延層擴Zn后表面濃度的簡便方法。文中討論了Zn在GaAs和InP中的擴散機理,比較了Zn在InP和GaAs擴散層中的參數(shù)。 該擴散工藝可獲得表面光亮、無損傷的高濃度表面層,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管的制備工藝中應用。制得了光輸出功率為24mW、串聯(lián)電阻為35、壓降為2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光管。
1983, 5(4): 228-237.
摘要:
本文詳細介紹了變流裝置硅元件的串、并聯(lián)技術。
本文詳細介紹了變流裝置硅元件的串、并聯(lián)技術。
1983, 5(4): 238-246.
摘要:
本文采用一維單周期時間積分模型計算速調(diào)管輸出段的電子與高頻場的能量交換過程,比較簡單地解決了距離積分向時間積分的過渡以及輸出段中電子圓盤間空間電荷力的計算問題。用DJS-6自動化語言編寫了計算程序,用該程序計算了C波段寬帶速調(diào)管,計算結(jié)果與實測值基本一致。利用該程序?qū)敵龆蔚闹匾獏?shù)如阻抗、間隙渡越角等對效率的影響作了研究。
本文采用一維單周期時間積分模型計算速調(diào)管輸出段的電子與高頻場的能量交換過程,比較簡單地解決了距離積分向時間積分的過渡以及輸出段中電子圓盤間空間電荷力的計算問題。用DJS-6自動化語言編寫了計算程序,用該程序計算了C波段寬帶速調(diào)管,計算結(jié)果與實測值基本一致。利用該程序?qū)敵龆蔚闹匾獏?shù)如阻抗、間隙渡越角等對效率的影響作了研究。
1983, 5(4): 247-258.
摘要:
本文研究了橫向及縱向動量離散對電子迴旋諧振脈塞的影響。文中求得了擾動分布函數(shù)的一般表達式和TEmn模的任意次迴旋諧波與電子注互作用的色散方程。作為兩種特例,即當動量離散趨于零和m=0時,本文結(jié)果與有關文獻基本一致。
本文研究了橫向及縱向動量離散對電子迴旋諧振脈塞的影響。文中求得了擾動分布函數(shù)的一般表達式和TEmn模的任意次迴旋諧波與電子注互作用的色散方程。作為兩種特例,即當動量離散趨于零和m=0時,本文結(jié)果與有關文獻基本一致。
1983, 5(4): 259-264.
摘要:
正 (一)引言 在光電發(fā)射體以及光電器件的研究中,都要應用堿金屬源。堿金屬源分為中性源和離子源兩大類。在研究ⅢⅤ族光電發(fā)射體中多用離子源作為堿金屬源。堿金屬離子源還用于原子碰撞和離子碰撞研究中以及在低氣壓(p10-5)托)情況下伴隨電擊穿現(xiàn)象的研究中,此時把平穩(wěn)的離子流作為研究用的一種探針。所以,研究如何獲得堿金屬離子源是有意義的。我們?yōu)榱搜芯抗怆姲l(fā)射體的需要,研究了一種銫離子源。 (二)離子源的描述 把高純度的Al2O3電泳于鎢螺旋上作為載體,將其浸入
正 (一)引言 在光電發(fā)射體以及光電器件的研究中,都要應用堿金屬源。堿金屬源分為中性源和離子源兩大類。在研究ⅢⅤ族光電發(fā)射體中多用離子源作為堿金屬源。堿金屬離子源還用于原子碰撞和離子碰撞研究中以及在低氣壓(p10-5)托)情況下伴隨電擊穿現(xiàn)象的研究中,此時把平穩(wěn)的離子流作為研究用的一種探針。所以,研究如何獲得堿金屬離子源是有意義的。我們?yōu)榱搜芯抗怆姲l(fā)射體的需要,研究了一種銫離子源。 (二)離子源的描述 把高純度的Al2O3電泳于鎢螺旋上作為載體,將其浸入
