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1982年 第4卷 第6期
1982, 4(6): 325-330.
摘要:
以往國內(nèi)外采用種種鎖相方法,而直接控制體效應(yīng)振蕩器偏壓的鎖相法則被認(rèn)為是不切實(shí)際的方法。本文作者在實(shí)驗(yàn)上成功地克服了文獻(xiàn)[1]所提出的困難,運(yùn)用直接控制體效應(yīng)振蕩器偏壓的方法實(shí)現(xiàn)了8mm(35GHz)鎖相標(biāo)準(zhǔn)頻率源和8mm固定中頻鎖相跟蹤系統(tǒng),本文分析了這種新的鎖相方法所具有的獨(dú)特優(yōu)越性并給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
以往國內(nèi)外采用種種鎖相方法,而直接控制體效應(yīng)振蕩器偏壓的鎖相法則被認(rèn)為是不切實(shí)際的方法。本文作者在實(shí)驗(yàn)上成功地克服了文獻(xiàn)[1]所提出的困難,運(yùn)用直接控制體效應(yīng)振蕩器偏壓的方法實(shí)現(xiàn)了8mm(35GHz)鎖相標(biāo)準(zhǔn)頻率源和8mm固定中頻鎖相跟蹤系統(tǒng),本文分析了這種新的鎖相方法所具有的獨(dú)特優(yōu)越性并給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
1982, 4(6): 331-336.
摘要:
本文提出了短背射天線的一種分析方法,它較好地解釋了背射天線的工作原理。按此分析方法研制的短背射天線的增益比普通短背射天線的約高2.5dB。
本文提出了短背射天線的一種分析方法,它較好地解釋了背射天線的工作原理。按此分析方法研制的短背射天線的增益比普通短背射天線的約高2.5dB。
1982, 4(6): 337-345.
摘要:
硅整流器過電壓損壞事故常有發(fā)生，因此本文介紹的過電壓保護(hù)對國民經(jīng)濟(jì)有一定的價值.本文敘述了硅整流器過電壓的起因和防止方法.本文還介紹了新型浪涌吸收器用壓敏電阻的選擇方法.本文所介紹的保護(hù)措施也適用于其他半導(dǎo)體裝置.
硅整流器過電壓損壞事故常有發(fā)生，因此本文介紹的過電壓保護(hù)對國民經(jīng)濟(jì)有一定的價值.本文敘述了硅整流器過電壓的起因和防止方法.本文還介紹了新型浪涌吸收器用壓敏電阻的選擇方法.本文所介紹的保護(hù)措施也適用于其他半導(dǎo)體裝置.
1982, 4(6): 346-353.
摘要:
VVMOS晶體管是一種開有V形槽的垂直溝道高頻功率MOS場效應(yīng)器件,它的一個主要優(yōu)點(diǎn)是與其它MOS器件一樣不會發(fā)生二次擊穿,然而近來一些作者報(bào)道MOS器件有負(fù)阻擊穿效應(yīng),而這種負(fù)阻擊穿效應(yīng)也會引起二次擊穿,導(dǎo)致器件燒毀。我們在測量自制的VVMOS晶體管時,也觀察到了負(fù)阻擊穿,經(jīng)過研究,提出了縱向寄生npn雙極晶體管的VVMOS晶體管負(fù)阻擊穿模型,在此基礎(chǔ)上還提出了幾種抑制負(fù)阻擊穿效應(yīng)的方法,在采用了這些方法后,負(fù)阻擊穿效應(yīng)被減弱,甚至被消除,從而證實(shí)了所提出的VVMOS晶體管負(fù)阻擊穿模型。
VVMOS晶體管是一種開有V形槽的垂直溝道高頻功率MOS場效應(yīng)器件,它的一個主要優(yōu)點(diǎn)是與其它MOS器件一樣不會發(fā)生二次擊穿,然而近來一些作者報(bào)道MOS器件有負(fù)阻擊穿效應(yīng),而這種負(fù)阻擊穿效應(yīng)也會引起二次擊穿,導(dǎo)致器件燒毀。我們在測量自制的VVMOS晶體管時,也觀察到了負(fù)阻擊穿,經(jīng)過研究,提出了縱向寄生npn雙極晶體管的VVMOS晶體管負(fù)阻擊穿模型,在此基礎(chǔ)上還提出了幾種抑制負(fù)阻擊穿效應(yīng)的方法,在采用了這些方法后,負(fù)阻擊穿效應(yīng)被減弱,甚至被消除,從而證實(shí)了所提出的VVMOS晶體管負(fù)阻擊穿模型。
1982, 4(6): 354-364.
摘要:
本文提出了設(shè)計(jì)寬帶速調(diào)管濾波器型輸出回路的新的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法,由此可以求得符合速調(diào)管設(shè)計(jì)要求,并具有最大阻抗頻帶特性的輸出段。本文還從等效電路出發(fā),直接計(jì)算間隙作用阻抗,并求得輸出回路各參數(shù)對阻抗-頻帶特性的影響,根據(jù)計(jì)算曲線,調(diào)整輸出回路參數(shù),可在實(shí)際研制工作中求得最佳結(jié)果。
本文提出了設(shè)計(jì)寬帶速調(diào)管濾波器型輸出回路的新的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法,由此可以求得符合速調(diào)管設(shè)計(jì)要求,并具有最大阻抗頻帶特性的輸出段。本文還從等效電路出發(fā),直接計(jì)算間隙作用阻抗,并求得輸出回路各參數(shù)對阻抗-頻帶特性的影響,根據(jù)計(jì)算曲線,調(diào)整輸出回路參數(shù),可在實(shí)際研制工作中求得最佳結(jié)果。
1982, 4(6): 365-371.
摘要:
本文對幾種不同類型的迴旋諧振脈塞振蕩器的電動力學(xué)系統(tǒng)、工作原理、性能進(jìn)行了分析比較。表明:外激勵迴旋諧振脈塞雙腔同步振蕩器和具有外反饋的迴旋諧振脈塞雙腔振蕩器是比較理想的大功率毫米波和亞毫米波振蕩器。
本文對幾種不同類型的迴旋諧振脈塞振蕩器的電動力學(xué)系統(tǒng)、工作原理、性能進(jìn)行了分析比較。表明:外激勵迴旋諧振脈塞雙腔同步振蕩器和具有外反饋的迴旋諧振脈塞雙腔振蕩器是比較理想的大功率毫米波和亞毫米波振蕩器。
1982, 4(6): 372-383.
摘要:
塞普帖透鏡作為低球差靜電透鏡,經(jīng)實(shí)踐證明是一種比較理想的結(jié)構(gòu)。本文提供的在不同幾何尺寸和電極電壓下的計(jì)算結(jié)果,可供不同場合下選擇使用的依據(jù)。
塞普帖透鏡作為低球差靜電透鏡,經(jīng)實(shí)踐證明是一種比較理想的結(jié)構(gòu)。本文提供的在不同幾何尺寸和電極電壓下的計(jì)算結(jié)果,可供不同場合下選擇使用的依據(jù)。
1982, 4(6): 384-389.
摘要:
本文介紹了一種借助線路技術(shù)快速測定熱陰極的脈沖拐點(diǎn)發(fā)射的方法。這一方法可避免測試對陰極的損傷,可提高測量的準(zhǔn)確性,可用于比較不同熱陰極的發(fā)射水平和監(jiān)測壽命試驗(yàn)過程中陰極活性的變化。本文還敘述了熱陰極脈沖拐點(diǎn)發(fā)射快速測量的原理,實(shí)現(xiàn)了拐點(diǎn)在伏安特性曲線上的自動顯示,給出了鑒定拐點(diǎn)真實(shí)性的方法,并討論了儀器的測量誤差,通過對各種實(shí)用熱陰極的大量測試表明,該儀器是有實(shí)用意義的。
本文介紹了一種借助線路技術(shù)快速測定熱陰極的脈沖拐點(diǎn)發(fā)射的方法。這一方法可避免測試對陰極的損傷,可提高測量的準(zhǔn)確性,可用于比較不同熱陰極的發(fā)射水平和監(jiān)測壽命試驗(yàn)過程中陰極活性的變化。本文還敘述了熱陰極脈沖拐點(diǎn)發(fā)射快速測量的原理,實(shí)現(xiàn)了拐點(diǎn)在伏安特性曲線上的自動顯示,給出了鑒定拐點(diǎn)真實(shí)性的方法,并討論了儀器的測量誤差,通過對各種實(shí)用熱陰極的大量測試表明,該儀器是有實(shí)用意義的。
1982, 4(6): 390-392.
摘要:
正 (一)引言 超導(dǎo)現(xiàn)象早在1911年就發(fā)現(xiàn)了,但作為一門新技術(shù)應(yīng)用于不同領(lǐng)域,還只是本世紀(jì)60年代以后的事情。但是超導(dǎo)技術(shù)在最近十幾年內(nèi)的發(fā)展是迅速的。超導(dǎo)體在許多科學(xué)領(lǐng)域,特別是在托克馬克聚變動力堆和超導(dǎo)輸電等電工、電子技術(shù)方面已經(jīng)或?qū)⒌玫綉?yīng)用。因此,超導(dǎo)技術(shù)近年來得到各國科學(xué)工作者的廣泛重視。 臨界溫度是超導(dǎo)體重要性能之一。關(guān)于高溫超導(dǎo)體的臨界溫度的變化規(guī)律,已有不
正 (一)引言 超導(dǎo)現(xiàn)象早在1911年就發(fā)現(xiàn)了,但作為一門新技術(shù)應(yīng)用于不同領(lǐng)域,還只是本世紀(jì)60年代以后的事情。但是超導(dǎo)技術(shù)在最近十幾年內(nèi)的發(fā)展是迅速的。超導(dǎo)體在許多科學(xué)領(lǐng)域,特別是在托克馬克聚變動力堆和超導(dǎo)輸電等電工、電子技術(shù)方面已經(jīng)或?qū)⒌玫綉?yīng)用。因此,超導(dǎo)技術(shù)近年來得到各國科學(xué)工作者的廣泛重視。 臨界溫度是超導(dǎo)體重要性能之一。關(guān)于高溫超導(dǎo)體的臨界溫度的變化規(guī)律,已有不
1982, 4(6): 393-396.
摘要:
正 隨著迴旋管研制工作的進(jìn)展,目前在毫米波和亞毫米波段迴旋管輸出功率要比普通微波管高12個數(shù)量級。因此迴旋管對其輸出窗提出了更高的要求,即:(1)具有較寬的帶寬,以減小對不同模式波的反射,(2)具有高的功率容量,使高頻損耗、電子轟擊、二次電子倍增效應(yīng)等都不致導(dǎo)致?lián)p壞。藍(lán)寶石作輸出窗,其性能遠(yuǎn)好于氧化鋁和氧化鈹。按文獻(xiàn)[4]的公式我們作過粗略計(jì)算,在窗結(jié)構(gòu)、工作頻率、匹配狀態(tài)等都相同的情況下
正 隨著迴旋管研制工作的進(jìn)展,目前在毫米波和亞毫米波段迴旋管輸出功率要比普通微波管高12個數(shù)量級。因此迴旋管對其輸出窗提出了更高的要求,即:(1)具有較寬的帶寬,以減小對不同模式波的反射,(2)具有高的功率容量,使高頻損耗、電子轟擊、二次電子倍增效應(yīng)等都不致導(dǎo)致?lián)p壞。藍(lán)寶石作輸出窗,其性能遠(yuǎn)好于氧化鋁和氧化鈹。按文獻(xiàn)[4]的公式我們作過粗略計(jì)算,在窗結(jié)構(gòu)、工作頻率、匹配狀態(tài)等都相同的情況下
